TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO CON ESPACIADOR DE PUERTA.
SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO SEMICONDUCTOR Y UN METODO DE FABRICACION.
LA ESTRUCTURA INCLUYE UNA PUERTA FET (POR EJEMPLO, 18) CON ESPACIADORES DE PUERTA DE DOBLE O TRIPLE CAPA ADYACENTES (POR EJEMPLO, 21,23,19). LOS ESPACIADORES PERMITEN EL CORTE PRECISO DE LOS PERFILES DE UNION DE CANALES LIGERAMENTE BARNIZADOS QUE TIENEN PORCIONES DE UNION PROFUNDAS Y SUPERFICIALES. ADE,AS, PUEDE FORMARSE UN SILICIDO AUTO-ALINEADO (POR EJEMPLO, 51) SOLAMENTE SOBRE LA PORCION DE UNION PROFUNDA PRODUCIENDO ASI UNA CONEXION DE RESISTENCIA DE BAJO CONTACTO SEGURA PARA FUENTE Y CANAL.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: LEE, KUO-HUA, SUNG, JANMYE, LU, CHIH-YUAN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 17 de Julio de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/033 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › incluyendo capas inorgánicas.
- H01L21/28 H01L 21/00 […] › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
- H01L21/336 H01L 21/00 […] › con puerta aislada.
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