PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA FUNCIONAL QUE CONTIENE ATOMOS DE LOS GRUPOS 3 Y 5 COMO ATOMOS PRINCIPALES CONSTITUYENTES MEDIANTE UN PROCESO DE DEPOSITACION QUIMICO DE VAPOR DE PLASMA MEDIANTE MICROONDAS.

SE PRESENTA UN PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA FUNCIONAL CONTENIENDO ATOMOS QUE PERTENECEN A LOS GRUPOS TERCERO Y QUINTO DE LA TABLA PERIODICA COMO ATOMOS PRINCIPALES DE CONSTITUCION MEDIANTE LA INTRODUCCION, DENTRO DE UN ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA DISPUESTO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE UN SUBSTRATO DISPUESTO EN EL, UN COMPUESTO

(1) Y UN COMPUESTO (2) REPRESENTADOS RESPECTIVAMENTE POR LAS FORMULAS GENERALES (1) Y (2) COMO MATERIAL EN BRUTO PARA LA FORMACION DE LA PELICULA Y, SI SE NECESITA, UN COMPUESTO (3) QUE CONTIENE UN ELEMENTO CAPAZ DE CONTROLAR LOS ELECTRONES DE VALENCIA PARA LA PELICULA DEPOSITADA COMO ELEMENTO CONSTITUYENTE CADA UNO DE ELLOS EN UN ESTADO GASEOSO, O EN UN ESTADO DONDE AL MENOS UNO DE DICHOS COMPUESTOS ESTA ACTIVADO PREVIEMENTE EN UN ESPACIO DE ACTIVACION DISPUESTO SEPARADAMENTE DEL ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA, MIENTRAS SE FORMAN ATOMOS DE HIDROGENO EN ESTADO DE EXCITACION QUE PROVOCAN LA REACCION QUIMICA CON AL MENOS UNO DE LOS COMPONENTES (1, 2 Y 3) EN ESTADO GASEOSO O EN ESTADO ACTIVADO EN UN ESTADO DE ACTIVACION DIFERENTE DEL ESTADO DE FORMACION DE LA PELICULA E INTRODUCIENDOLOS DENTRO DEL ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA MEDIANTE LO CUAL SE FORMA LA PELICULA DEPOSITADA SOBRE EL SUBSTRATO, EN DONDE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN ESTADO DE EXCITACION SE FORMAN A PARTIR DE UN GAS DE HIDROGENO O UNA MEZCLA DE GASES COMPUESTA DE UN GAS DE HIDROGENO Y UN GAS RARO MEDIANTE UN PLASMA DE MICROONDAS GENERADO EN UNA CAMARA DE GENERACION DE PLASMA DISPUESTA EN UN RESONADOR DE CAVIDAD INTEGRADA CON DOS CIRCUITOS DE EQUILIBRADO DE IMPEDANCIA EN UN CIRCUITO DE MICROONDAS Y EL ESTADO DE EXCITACION DEL ATOMO DE HIDROGENO RESULTA CONTROLADO: RNMM (I) AABB (II) DONDE M REPRESENTA UN ENTERO POSITIVO IGUAL A O UN ENTERO MULTIPLO DEL NUMERO DE VALENCIA PARA R, N REPRESENTA UN ENTERO POSITIVO IGUAL A O UN ENTERO MULTIPLE DEL NUMERO DE VALENCIA PARA M, M REPRESENTA UN ELEMENTO QUE PERTENEZCA AL GRUPO TERCERO DE LA TABLA PERIODICA, R REPRESENTA UN MIEMBRO SELECCIONADO ENTRE HIDROGENO, HALOGENO Y UN GRUPO DE HIDROCARBONO, A REPRESENTA UN ENTERO POSITIVO IGUAL A O MULTIPLO DEL NUMERO DE VALENCIA PARA B, B REPRESENTA UN ENTERO POSITIVO IGUAL O MULTIPLO DEL NUMERO DE VALENCIA PARA A Y A REPRESENTA UN ELEMENTO QUE PERTENEZCA AL GRUPO QUINTO DE LA TABLA PERIODICA, B REPRESENTA UN MIEMBRO SELECCIONADO ENTRE HIDROGENO, HALOGENO Y UN GRUPO DE HIDROCARBONO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 2 de Junio de 1993.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/205 (utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > Revestimiento químico por descomposición de compuestos... > C23C16/44 (caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad))
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > Revestimiento químico por descomposición de compuestos... > C23C16/06 (caracterizado por la deposición de un material metálico)
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