Dispositivos de procesamiento con láser.
(21/03/2012) Aparato de procesamiento con láser para irradiar un objeto a procesar en forma de oblea con luz láser (L1) mientras se sitúa un punto de convergencia de la luz (P) en el interior del objeto para así formar una zona modificada , comprendiendo el aparato:
un expansor de haz para aumentar el tamaño de haz de la luz láser emitida desde una fuente de luz láser ;
una lente condensadora para converger la luz láser que incide sobre la misma por medio del expansor de haz hacia el objeto; y caracterizado por:
un elemento de sujeción de la lente que sujeta la lente condensadora y que incluye un primer orificio de transmisión de luz para hacer que la luz láser incida sobre la lente condensadora;
en el cual un elemento de diafragma , que tiene un segundo orificio de transmisión de luz para reducir y transmitir la luz láser,…
MÉTODO DE PROCESAMIENTO POR LÁSER.
(29/08/2011) Un método de procesamiento por láser que comprende la etapa irradiar un objeto que tiene que procesarse que comprende un sustrato y una parte laminada dispuesta en una cara delantera del sustrato con luz de láser (L), mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato , para formar una región modificada sólo dentro del sustrato , y hacer que la región modificada forme una región del punto de partida, ubicada dentro del sustrato a una distancia predeterminada desde la cara incidente de luz de láser del objeto , para cortar el objeto; cortar el sustrato y la parte laminada a lo largo de la línea a lo largo de la que se tiene que cortar el objeto cuando una fractura generada…
APARATO DE CAPTURA DE IMÁGENES, MÉTODO DE CAPTURA DE IMÁGENES Y PROGRAMA DE CAPTURA DE IMÁGENES.
(16/06/2011) Un aparato de captura de imagen que comprende: medio de captura de imagen macro para la captura de imagen macro de una muestra (S); medio de captura de imagen micro para la captura de la imagen micro de la muestra (S) mediante el escaneado de la muestra (S) a una resolución predeterminada; y una unidad y control que incluye (i) medio de ajuste de la condición de captación de la imagen para el ajuste, para la muestra (S), de un campo de captura de imagen (R) que incluye un objeto (S0) cuya imagen se ha de capturar, junto con información de enfoque en relación a la captura de la imagen del objeto (S0), comprendiendo la información de enfoque un plano focal o un mapa focal en 2 dimensiones de las posiciones focales para el campo de captura de imagen (R),…
APARATO DE ADQUISICIÓN DE IMAGENES, MÉTODO DE ADQUISICIÓN DE IMÁGENES Y PROGRAMA DE ADQUISICIÓN DE IMÁGENES.
(13/06/2011) Aparato de adquisición de imágenes que comprende: medios de almacenamiento de muestras para almacenar una pluralidad de muestras (S); medios de reserva de muestras en los que pueden colocarse muestras, en una posición de espera; medios de adquisición de macroimágenes para adquirir una macroimagen de la muestra (S); medios de adquisición de microimágenes para adquirir una microimagen mientras que se explora la muestra con resolución superior que la de la macroimagen; medios de movimiento de muestras para mover cada una de la muestras (S) entre una posición de almacenamiento en los medios de almacenamiento de…
PROCEDIMIENTO DE CORTE DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR.
(10/06/2011) Procedimiento de corte de un substrato semiconductor para cortar un substrato semiconductor que presenta una cara anterior formada por una pluralidad de dispositivos funcionales a lo largo de líneas dispuestas a modo de malla que discurren entre los dispositivos funcionales adyacentes , para fabricar un dispositivo semiconductor que presenta uno de los dispositivos funcionales , comprendiendo el procedimiento las etapas de: unir una película protectora a la cara anterior del substrato semiconductor , de manera que los dispositivos funcionales queden cubiertos, caracterizado por el hecho de irradiar el substrato semiconductor con luz láser mientras se posiciona un punto convergente de luz dentro del substrato semiconductor con una cara posterior del substrato…
MÉTODO DE CORTE DE UN OBJETO PROCESADO.
(13/04/2011) Un método de corte de un objeto a procesar, comprendiendo el método: una etapa de formación de la región de punto de partida de corte de irradiación de un objeto con forma de oblea a procesar con luz láser (L) mientras se sitúa un punto de convergencia de luz (P) en su interior, a fin de formar una región modificada debido a absorción multifotónica únicamente dentro del objeto , de manera que la luz láser apenas se absorba por una cara terminal del objeto y la otra cara terminal en el lado opuesto del mismo para evitar que la una cara terminal del objeto y la otra cara terminal del objeto se fundan tras la irradiación con luz láser (L) y provoquen que la región modificada forme una región de punto de partida de corte, desviada desde una posición central del objeto en una dirección de espesor de la misma…
METODO DE TRATAMIENTO POR LASER.
(03/09/2010) Un método de procesamiento por láser que incluye:
una primera etapa de irradiar un objeto plano que se tiene que procesar con luz de láser (L) mientras que emplaza un punto de convergencia de luz (P) dentro del objeto, a fin de formar una primera región modificada que se convierte en una región del punto de inicio para el corte dentro del objeto a lo largo de una primera línea de corte (5a) en el objeto, y formar una segunda región modificada que se convierte en una región del punto de inicio para el corte dentro del objeto a lo largo de una segunda línea de corte (5b)
caracterizado por que
la segunda línea de corte (5b) intersecta la primera línea de corte (5a) de manera que la segunda región modificada se intersecta al menos una parte de la primera región…
METODO PARA DIVIDIR UN SUSTRATO.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Electricidad
(16/11/2007). Ver ilustración. Inventor/es: UCHIYAMA, NAOKI, FUJII,YOSHIMARO, FUKUYO,FUMITSUGU, FUKUMITSU,KENSHI. Clasificación: B23K26/00, B23K26/40, B23K26/06, H01L21/324, H01L21/78, H01L21/26, H01L21/30, H01L21/301, H01L21/42, H01L21/46, H01L21/477.
Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato hecho de un material semiconductor con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región procesada por fusión dentro del sustrato , y causa que la región procesada por fusión forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de cada una de las líneas a lo largo de las cuales se cortará el sustrato, en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; adelgazar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se divide el sustrato a lo largo de cada una de las líneas a lo largo de las cuales se cortará el sustrato.
DISIPADOR DE CALOR Y DISPOSITIVO LASER SEMICONDUCTOR Y PILA DE LASER DE SEMICONDUCTOR QUE USA UN DISIPADOR DE CALOR.
(01/03/2007) Un aparato de láser de semiconductor que comprende: un disipador de calor (10a, 10b, 10c) que comprende: un primer miembro plano que tiene una primera y una segunda caras opuestas una a la otra y que tiene una primera parte de ranura en la primera cara del mismo; un segundo miembro plano que tiene una primera y una segunda caras opuestas una a la otra y que tiene una segunda parte de ranura en la segunda superficie de la misma; una partición que tiene una primera superficie y una segunda superficie y dispuestas entre la primera superficie del primer miembro plano y la segunda superficie del segundo miembro plano , en la que la primera parte de ranura y la segunda cara de la partición definen un primer espacio , la segunda parte de ranura y la primera superficie de la partición definen un segundo espacio , y la partición tiene…
Sección de la CIP Electricidad
(16/10/2004). Ver ilustración. Inventor/es: NIIGAKI, MINORU, HIROHATA, TORU, KAN, HIROFUMI, YAMADA, MASAMI. Clasificación: H01J29/94.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN TUBO DE ELECTRONES QUE TIENE UNA CONFIGURACION QUE PUEDE MANTENER SU ESTABILIDAD OPERATIVA DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO. EL TUBO DE ELECTRONES COMPRENDE, AL MENOS, UN EMISOR DE CAMPO QUE ESTA FABRICADO DE DIAMANTE O DE UN MATERIAL COMPUESTO PRINCIPALMENTE DE DIAMANTE Y QUE TIENE UNA SUPERFICIE TERMINADA EN HIDROGENO, Y UNA ENVOLVENTE SELLADA PARA ACOMODAR EL EMISOR DE CAMPO DE DIAMANTE. DEBIDO A LA TERMINACION DE HIDROGENO, SE ESTABLECE LA AFINIDAD ELECTRONICA DEL EMISOR DE CAMPO DE DIAMANTE A UN ESTADO NEGATIVO. ADEMAS, EL HIDROGENO ESTA ENCERRADO DENTRO DE LA ENVOLVENTE SELLADA. DEBIDO A DICHA CONFIGURACION, EL ESTADO TERMINADO DE HIDROGENO DE LA SUPERFICIE DEL EMISOR DE CAMPO DE DIAMANTE QUEDA ESTABILIZADO Y SE EVITA QUE LA AFINIDAD ELECTRONICA DEL EMISOR DE DIAMANTE CAMBIE DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO.
LAMPARA DE DESCARGA GASEOSA.
(01/08/1996) UNA LAMPARA DE DESCARGA GASEOSA TIENE UN TUBO QUE DEFINE UN ENVOLTORIO DE LA LAMPARA EN EL CUAL ESTA CONFINADO UN GAS INERTE TIPO XENON. UN REFLECTOR EN FORMA DE TAZA ESTA DISPUESTO EN EL INTERIOR DE LA LAMPARA, CUYA SECCION TRANSVERSAL DE LA CARA INTERNA ES UNA HIPERBOLE O UNA ELIPSE TAL QUE UN SPOT DE LUZ ALINEADA O UN RAYO DE LUZ PARALELO SE PROYECTA FUERA DE LA LAMPARA. EL REFLECTOR TIENE UN EXTENSO DIAMETRO QUE SE ABRE MOSTRANDO UNA VENTANA DE PROYECCION DE LUZ FORMADA SOBRE UNA CARA DEL TUBO Y UNA PORCION INFERIOR FORMADA CON UN ORIFICIO . UN ANODO Y UN CATODO ESTAN DISPUESTOS UNO FRENTE AL OTRO EN UN ESPACIO CIRCUNDADO POR EL REFLECTOR . UN DISPARADOR PRUEBA ELECTRODO ESTA LOCALIZADO ENTRE EL ANODO Y EL CATODO . UN ELECTRODO APAGACHISPAS ESTA DISPUESTO FUERA DEL REFLECTOR…
