CIP-2021 : H01L 21/324 : Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores,
p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/324 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método de división de sustrato.
(26/07/2017) Un método de división de sustrato que comprende las etapas de:
irradiar un sustrato semiconductor , teniendo el sustrato semiconductor una cara frontal sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz láser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor para formar una región procesada fundida debido a absorción multifotón solamente dentro del sustrato semiconductor , formando la región procesada fundida una región de punto de partida para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor , una distancia predeterminada…
Método para dividir un sustrato.
(28/03/2012) Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de:
irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región modificada debido a la absorción multi-fotón dentro del sustrato , y causa que la región modificada forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato , en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ;
esmerilar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte, de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se…
DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO PARA LA ATEMPERACIÓN SIMULTÁNEA DE VARIOS PRODUCTOS EN PROCESO.
(25/02/2011) Dispositivo para la atemperación simultánea de varios productos en proceso, en una determinada atmósfera gaseosa, mediante la absorción de una cantidad de energía por un producto en proceso mediante absorción de una determinada radiación electromagnética, y mediante la absorción de al menos otra cantidad de energía por al menos otro producto en proceso mediante absorción al menos de otra determinada radiación electromagnética, presentando el dispositivo - una unidad de atemperación con al menos una fuente de energía para la producción de la radiación electromagnética y - al menos, otra unidad de…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPAS DE CARBURO DE SILICIO (SIC) MEDIANTE IMPLANTACION IONICA DE CARBONO Y RECOCIDOS.
(01/08/2003) Procedimiento de fabricación de capas de carburo de silicio (sic) mediante implantación iónica de carbono y recocidos. La presente invención se refiere al uso de una combinación de implantaciones iónicas de C+ y recocidos convencionales para la fabricación de estructuras complejas multicapas basadas en SiC. Esta combinación de técnicas muy bien conocidas de la tecnología del Si proporciona una gran versatilidad en cuando a la estructura de las capas sintetizadas (estructura amorfa, policristalina, o cristalina con control de la orientación cristalina; multicapas, capas enteradas o sobre aislante) y permite la obtención de capas con muy bajos niveles de tensión residual y con superficies…
PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO DE TITANIO EN UNA OBLEA SEMICONDUCTORA.
(16/10/1996) SE REVELA UN PROCESO MEJORADO PARA FORMAR UNA CAPA CONDUCTORA DE SILICIURO DE TITANIO EN UN DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR UTILIZANDO UN UNICO PASO DE RECOCCION QUE INCLUYE LAS ETAPAS DE FORMAR UNA CAPA DE TITANIO SOBRE EL DISCO EN UNA CAMARA DE DEPOSICION AL VACIO EN LA AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO; TRANSFERIR EL DISCO REVESTIDO DE TITANIO A UNA CAMARA DE RECOCCION SELLADA SIN EXPONER SUSTANCIALMENTE LA CAPA DE TITANIO FORMADA A LOS GASES PORTADORES DE OXIGENO; Y LUEGO RECOCER EL DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR REVESTIDO DE TITANIO EN UNA ATMOSFERA PORTADORA DE NITROGENO EN LA CAMARA DE RECOCCION SELLADA A UNA PRIMERA TEMPERATURA ENTRE 500 C Y 695 C APROXIMADAMENTE, CON AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO, PARA…
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA EL RECOCIDO DE SEMICONDUCTORES.
(16/09/1995) ESTE INVENTO SE DIRIGE A LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, ESPECIALMENTE LOS QUE COMPRENDEN MATERIALES SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS III-V Y II-VI, E INCLUYE EL RECOCIDO, ESPECIALMENTE EL RECOCIDO TERMICO RAPIDO (RTA), DE PLAQUITAS SEMICONDUCTORAS, ESPECIALMENTE LAS APLICADAS CON IMPURIFICANTE. EL INVENTO TRATA TAMBIEN DE UNA APLICACION DE CAJA NEGRA UTILIZADA EN COMBINACION CON EL RTA. EL PROCESO COMPRENDE EL ENCIERRE DE UNA PLAQUITA QUE SE VA A RECOCER, DENTRO DE UNA "CAJA NEGRA" QUE CONTIENE COMPONENTES DE UN MATERIAL DE CUERPO NEGRO, Y EL SOMETIMIENTO DE LA CAJA NEGRA CON LA PLAQUITA EN SU INTERIOR A UN RTA. EN UNA REALIZACION PREFERENTE, EL RTA COMPRENDE…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON OXIDO DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA.
(01/07/1995). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: DOKLAN, RAYMOND H., MARTIN, EDWARD PAUL, JR., ROY, PRADIP KUMAR, SHIVE, SCOTT FRANCIS, SINHA, ASHOK KUMAR.
SE DESCRIBEN OXIDOS DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA ADECUADOS PARA USAR COMO OXIDOS DE PUERTA DELGADA O EN CAPACITORES DE ALMACENAMIENTO DE CARGA. LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DIELECTRICAS SE FORMAN SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURAS DE DEFECTOS DESALINEADOS. LUEGO SE FORMA UNA TERCERA CAPA (UN OXIDO) POR DIFUSION DE UNA ESPECIE OXIDANTE A TRAVES DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DEL SUBSTRATO. LA ESPECIE REACCIONA CON EL SUBSTRATO. LA BAJA DENSIDAD DE DEFECTOS RESULTA DE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DESALINEADOS DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS. EN UNA INCORPORACION, LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS SON OXIDOS FORMADOS Y DEPOSITADOS, RESPECTIVAMENTE. LA TERCERA CAPA SE FORMA POR DIFUSION DE OXIGENO A TRAVES DE LAS DOS PRIMERAS CAPAS, DONDE LA INTERFASE ENTRE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS ACTUA COMO SUMIDERO ATRAPADOR DE DEFECTOS. LA INTERFASE DE OXIDO DE SILICIO TIENE CARACTERISTICAS DESEABLES (ESENCIALMENTE PLANA Y SIN TENSION) DEBIDO A LA FORMACION DE OXIDO EN CONDICIONES PROXIMAS AL EQUILIBRIO.
UN METODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO ELECTRONICO TAL COMO UNA CELULA FOTOVOLTAICA, UN DIODO LUMINISCENTE O UN RECTIFICADOR.
(16/12/1980). Solicitante/s: WILLIAM A.COLBURN.
METODO DE FABRICACION DE COMPONENTES ELECTRONICOS. BASANDOSE EN LA PROPIEDAD DE LAS SUSTANCIAS EUTETICAS O EUTECTOIDES DE CONFORMARSE SUS DOS COMPONENTES EN PEQUEÑAS LAMINAS ESTRATIFICADAS, USANDO PARA LA MEZCLA UNA SUSTANCIA P Y OTRA N, SE CONSIGUEN LAS UNIONES PN NECESARIAS PARA LA FORMACION DE COMPONENTES ELECTRONICOS. ESTE METODO SE COMPLETA CON TECNICAS PARA LA ORIENTACION DE LAS LAMINAS. PARA PROPORCIONAR LAS CONEXIONES ELECTRICAS SE FORMAN, A TRAVES DEL COMPUESTO, UNAS CAPAS DE SUSTANCIAS RESPECTIVAS ELECTRONICAMENTE SIMILARES A CADA UNA DE LAS FASES DONDE SE DISPONEN LOS CONTACTOS ELECTRICOS PARA LOS TERMINALES DEL DISPOSITIVO. D.