CIP-2021 : H01L 21/335 : Transistores de efecto de campo.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/335 · · · · · Transistores de efecto de campo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE UNA PELÍCULA ORGÁNICA SEMICONDUCTORA, PELÍCULA ORGÁNICA SEMICONDUCTORA Y DISPOSITIVO ELECTRÓNICO QUE LA CONTIENE.
(10/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: VECIANA MIRO,JAUME, ROVIRA ANGULO,CONCEPCIO, MAS TORRENT,MARTA, PFATTNER,Raphael, DEL POZO LEÓN,Freddy Geovanny.
Comprende preparar una disolución de una mezcla que comprende a) una molécula o polímero semiconductor orgánico y b) un polímero ligante a una viscosidad determinada; en un sustrato, depositar la disolución, donde el sustrato, y opcionalmente la disolución, se ha precalentado previa la deposición de la disolución sobre el sustrato; formar un menisco con el soporte de una barra; desplazar el menisco a lo largo del sustrato a una velocidad determinada para obtener una película semiconductora orgánica sólida e isotrópica, donde el disolvente se evapora simultáneamente al avance del menisco. La película obtenida es útil para preparar un dispositivo electrónico, en especial un transistor de efecto de campo (OFET). La nueva técnica permite una buena procesabilidad de mezclas complejas que permite obtener películas semiconductoras orgánicas isotrópicas con excelentes propiedades de estabilidad a escala industrial.
Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón.
(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~
una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende:
dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor ,
siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga;
estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…
Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica.
(12/11/2014) Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende:
formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes:
formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ;
formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ;
atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ;
eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y
atacar químicamente tres de dichas cuatro…
Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET sobre semiconductores III-V.
(23/12/2013) Fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET sobre semiconductores III-V.
Esta invención propone aplicar la pulverización de alta presión de nanoláminas metálicas de escandio y un lantánido y su posterior oxidación por plasma temperatura ambiente sobre sustratos semiconductores III-V, de interés para dispositivos MOSFET, tanto planares como FinFETs. La ventaja de estos semiconductores es que tienen mayor movilidad de portadores en el canal que el Si, mayor transconductancia y menor retardo de conmutación con respecto a la tecnología actual.
Se obtienen estructuras MOS funcionales sobre semiconductores alternativos al Si con un óptimo recubrimiento de escalones. Solamente se necesitan tecnologías…
Método para fabricar un nanohilo monocristalino.
(23/10/2013) Método para fabricar una nanoestructura monocristalina que comprende las etapas de:
a) proporcionar una capa de dispositivo con una orientación 100 sobre un sustrato;
b) proporcionar una capa de tensión sobre la capa de dispositivo;
c) formar patrones en la capa de tensión a lo largo de la dirección 110 de la capa dedispositivo;
d) retirar selectivamente partes de la capa de tensión para obtener partes expuestas de lacapa de dispositivo;
e) someter a ataque químico dependiente del plano las partes expuestas de la capa dedispositivo para obtener unas caras 111 expuestas de la capa de dispositivo ;
f) oxidar térmicamente la cara 111 expuesta de la capa de dispositivo y formar una capa deoxidación lateral…
MÉTODO PARA LA FABRICACIÓN DE ESTRUCTURAS DE PUERTA DE TRANSISTORES MOSFET MEDIANTE TÉCNICAS DE PLASMA SIN UTILIZAR GASES CONTAMINANTES.
(12/09/2012) La presente invención se refiere a un método de obtención de estructuras de puerta de transistores MOSFET con la combinación de dos técnicas de depósito por plasma de materiales dieléctricos: Electron Cyclotron Resonance (ECR)) y High Pressure Sputtering (HPS). El depósito de dieléctricos sobre Si con HPS no requiere, durante el proceso de fabricación, de gases con elementos metálicos, habitualmente utilizados cuando se recurre a técnicas convencionales, extremadamente tóxicos y contaminantes y que elevan enormemente los costos de procesado de residuos. Antes de depositar el dieléctrico, se protege el Si con la técnica ECR, con la que se obtiene por nitruración del Si, en atmósfera de N2, una capa muy fina de SiN (5A). Sobre esta capa se deposita con HPS…
METODO DE FABRICACION DE TRANSISTORES VDMOS.
(01/05/1998). Ver ilustración. Solicitante/s: ALCATEL STANDARD ELECTRICA, S.A.. Inventor/es: FERNANDEZ GARCIA, JUAN, MONTSERRAT MARTI, JOSEP, VELLVEHI HERNANDEZ, MIQUEL, CABRUJA CASAS, ENRIC, FARRES BERENGUER, ESTEVE, REBOLLO PALACIOS, JOSE ANDRES, MILLAN GOMEZ, JOSE.
METODO DE FABRICACION DE TRANSISTORES VDMOS. SE PRESENTAN LAS ETAPAS BASICAS DEL PROCESO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO VDMOS DE POTENCIA DE BAJA TENSION Y BAJA RESISTENCIA EN CONDUCCION. ESTE COMPORTAMIENTO ELECTRICO SE CON SIGUE MEDIANTE UNA TRIPLE IMPLANTACION JONICA PARA LA FORMACION DE LAS REGIONES DE FUENTE , POZO Y DIFUSION P+ DE CORTOCIRCUITO ENTRE AMBOS, SEGUIDAS DE LOS CORRESPONDIENTES TRATAMIENTOS TERMICOS POSTERIORES. LA DIFUSION DE BORO EN LA REGLON DE POZO SE REALIZA CON UN NIVEL TAL QUE, MANTENIENDO LA MAYOR RESISTIVIDAD POSIBLE DE LA MISMA, LA TENSION DE RUPTURA DEL DISPOSITIVO NO DECREZCA SUBSTANCIALMENTE. ADEMAS, CON OBJETO DE EVITAR LA ACTIVACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR PARASITO INHERENTE A LA ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR VDMOS, LA DIFUSION P+ ENTRE FUENTE Y POZO ES TIPO SUPERFICIAL, LO CUAL NO DEGRADA LA TENSION DE RUPTURA DEL DISPOSITIVO PARA UN MISMO ESPESOR DE LA CAPA EPITAXIAL , POR LO QUE LA RESISTENCIA DEL DISPOSITIVO NO SE MODIFICA.
