CIP-2021 : C30B 28/06 : por solidificación simple o en un gradiente de temperatura.
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 28/00 Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada.
C30B 28/06 · · por solidificación simple o en un gradiente de temperatura.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Crisol para la producción de lingotes semiconductores cristalinos y método para la fabricación del mismo.
(13/07/2016). Solicitante/s: VESUVIUS FRANCE S.A.. Inventor/es: DUBOIS, LAURENT, MARTIN, CHRISTIAN, RANCOULE, GILBERT.
Crisol para la producción de lingotes semiconductores cristalinos, comprendiendo dicho crisol un volumen interno definido por una parte inferior (1a) cuya superficie superior comprende una parte plana que define un primer plano horizontal (H) y paredes laterales periféricas (1b) cada una comprendiendo una superficie interna que comprende una parte plana vertical, que define un plano vertical (V), y perpendicular al primer plano horizontal (H), uniéndose dichas paredes laterales (1b) a la parte inferior (1a) en el perímetro del último formando un radio de curvatura, R1, de al menos 1 mm, caracterizado por que, la línea de intersección (hv) que forma la intersección entre el primer plano horizontal (H) y los planos verticales (V) definida por las partes planas verticales de cada pared lateral (1b) se sitúa completamente en las paredes laterales (1b), en la parte inferior (1a), o en el volumen interno del crisol.
PDF original: ES-2596255_T3.pdf
Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras adaptado a una utilización en un horno de solidificación dirigida de silicio.
(18/06/2014) Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras susceptible de ser utilizado en un recinto térmicamente aislante de un horno de cristalización de silicio y destinado a ser insertado parcialmente en el recinto de dicho horno por un orificio dispuesto en la pared del recinto, caracterizado porque comprende:
- una guía de onda de sílice cristalina, que comprende una cara de entrada de una onda ultrasonora, una cara de salida de una onda ultrasonora y una superficie lateral que une la cara de entrada y la cara de salida,
- una estructura de grafito o de carburo de silicio, que rodea al menos parcialmente la superficie lateral de la guía de onda,
- una…
Dispositivo de control del estado de avance de la cristalización de un baño de material fundido en un procedimiento de solidificación dirigida usando ultrasonidos.
(06/11/2013) Dispositivo para controlar el estado de avance de la cristalización de un baño de material fundido realizado en unacámara térmicamente aislante de un horno de cristalización de acuerdo con un procedimiento de solidificacióndirigida, que comprende una fuente de ultrasonidos y un detector de ultrasonidos , caracterizado porque:
- la fuente de ultrasonidos comprende n conjunto(s), siendo n un número entero mayor que o igual a 1,comprendiendo cada conjunto de la fuente un transductor , que es capaz de emitir una onda ultrasónica,conectado a una guía de ondas , que es capaz de guiar la onda ultrasónica producida por dicho transductor, haciala interfase vapor-líquido del baño líquido,
- el detector de ultrasonidos comprende al menos 2n conjuntos, comprendiendo cada…
Método y reactor de crisol para producir silicio o un metal reactivo.
(21/06/2013) Un método para producir silicio o un metal reactivo, que comprende:
introducir una alimentación que contiene silicio o una alimentación que contiene metal reactivo en una cámara dereacción, donde la cámara de reacción incluye una pared de la cámara de reacción que tiene (i) una superficieinterior orientada hacia un espacio de reacción y (ii) una superficie exterior opuesta;
generar una primera energía térmica dentro del espacio de reacción suficiente para generar un producto de siliciolíquido o un producto de metal reactivo líquido;
generar una segunda energía térmica exterior a la pared de la cámara de reacción, de manera que un flujo decalor desde la segunda energía térmica impacta inicialmente con la superficie exterior de la pared de la cámarade reacción; y
establecer…
Instalación y procedimiento de fabricación en continuo de barra de silicio multicristalino.
(19/04/2012) Instalación de fabricación en continuo de una barra de silicio multicristalino en un crisol sustancialmente cilíndrico , siendo dicho crisol calentado en su parte alta por inducción de manera que la parte superior del silicio se funda, y estando asociado a unos medios de realimentación de silicio, caracterizada porque comprende unos medios para aspirar periódicamente una parte del silicio fundido.
MODIFICACIONES DE LA PROTEINA VEGFR-2 Y PROCEDIMIENTO DE USO.
(16/05/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: AGOURON PHARMACEUTICALS, INC.. Inventor/es: MCTIGUE, MICHELE, A., PINKO, CHRIS, PARAST, CAMRAN, V., GEHRING, MICHAEL, R., KAN, CHEN-CHEN, APPELT, KRZYSZTOF, WICKERSHAM, JOHN, A., SHOWALTER, RICHARD, EDWARD, TEMPCYZK-RUSSELL, ANNA-MARIA, MROCZKOWSKI, BARBARA, VILLAFRANCA, JESUS, ERNESTO.
Una secuencia aislada de ADN que codifica una proteína VEGFR-2 modificada, en la que dicha proteína VEGFR-2 contiene un ligador catalítico sintético, en la que dicho ligador es el dominio de inserción de la proteína quinasa de la región catalítica del VEGFR-2, que tiene eliminados los residuos T940 a E989.
PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE CERAMICAS SUPERCONDUCTORAS TEXTURADAS DE TRBA2CU3O, DONDE TR SIGNIFICA TIERRA RARA O YTRIO, MEDIANTE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL.
(16/09/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: OBRADORS BERENGUER,XAVIER, PIÑOL VIDAL, SALVADOR, MARTINEZ PEREZ, BENJAMIN, FONTCUBERTA GRIÑO, JOSE, SANDIUMENCE ORTIZ, FELIPE.
PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE CERAMICAS SUPERCONDUCTORAS TEXTURADAS DE TRBA2CU3O, DONDE TR SIGNIFICA TIERRA RARA O YTRIO, MEDIANTE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. PROCEDIMIENTO DE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL DE CERAMICAS PRESINTERIZADAS DE MATRIZ TRBA2CU3O7 EN LAS QUE SE HA MEZCLADO DE FORMA HOMOGENEA UNA CANTIDAD ADICIONAL DE TR2BACUO5 Y CEO2. TRAS LA FUSION INCONGRUENTE DE LA MEZCLA, SE OBTIENE POR REACCION PERITECTICA Y SOLIDIFICACION DIRECCIONAL BARRAS Y LINGOTES TEXTURADOS SUPERCONDUCTORES CON BUENAS PROPIEDADES MECANICAS Y CORRIENTES CRITICAS SUPERIORES A 1X106 A/CM2 A 5K Y 1X105 A/CM2 A 77K EN CAMPO MAGNETICO NULO. EL USO DE ADITIVOS COMO CEO2 PERMITE CONTROLAR EL PROCESO DE CRISTALIZACION DIRECCIONAL DEBIDO A SU INFLUENCIA EN LAS CARACTERISTICAS DE LA MEZCLA SEMISOLIDA A ALTA TEMPERATURA. AL MISMO TIEMPO LAS CARACTERISTICAS MICROESTRUCTURALES FINALES DE LA CERAMICA TEXTURADA SE VEN MODIFICADAS EN GRAN MEDIDA MEDIANTE EL USO DE DICHOS ADITIVOS.
