CIP-2021 : C01B 33/107 : Silanos halogenados.

CIP-2021CC01C01BC01B 33/00C01B 33/107[2] › Silanos halogenados.

Notas[t] desde C01 hasta C14: QUIMICA

C QUIMICA; METALURGIA.

C01 QUIMICA INORGANICA.

C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B).

C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956).

C01B 33/107 · · Silanos halogenados.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Calentador de hidrocloración y métodos relacionados de los mismos.

(02/10/2019) Un método para preparar triclorosilano que comprende: calentar en 5 una sección de calentamiento de un rehervidor, al menos una porción de una corriente gaseosa que comprende hidrógeno con vapor saturado que tiene una presión en un rango de 5 bar a 15 bar para proporcionar una corriente gaseosa calentada que tiene suficiente calor de vaporización para saturar la corriente gaseosa calentada que comprende hidrógeno con una corriente líquida que comprende tetracloruro de silicio; introducir la corriente líquida que comprende tetracloruro de silicio en el rehervidor para proporcionar un nivel de líquido deseado en el rehervidor; vaporizar la corriente líquida que…

Procedimiento para la producción de octaclorotrisilanos y decaclorotetrasilanos puros.

(10/07/2019). Solicitante/s: Evonik Operations GmbH. Inventor/es: RAULEDER, HARTWIG, DR., GÖTZ,CHRISTIAN, LANG,JÜRGEN ERWIN, MARINAS PÉREZ,JANAINA, UEHLENBRUCK,GOSWIN.

Procedimiento para la producción de compuestos de silicio triméricos y cuaternarios de la fórmula general Si3X8 y Si4X10 o de compuestos de germanio triméricos y cuaternarios de la fórmula general Ge3X8 y Ge4X10, a) exponiéndose a un plasma no térmico una mezcla de compuestos de silicio de la fórmula general Sin(R1 ...R2n+2) o una mezcla de compuestos de germanio de la fórmula general Gen(R1 ... R2n+2) con n ≥ 3, y R1 a R2n+2 hidrógeno y/o correspondiendo X y X = halógeno, y seleccionándose el halógeno a partir de cloro, bromo y/o yodo, y b) sometiéndose la fase resultante al menos una vez a una rectificación en vacío y filtración, obteniéndose compuestos de silicio de la fórmula general Si3X8 y Si4X10 o compuestos de germanio de la fórmula general Ge3X8 y Ge4X10.

PDF original: ES-2744678_T3.pdf

Procedimiento para la producción de silanos superiores con rendimiento mejorado.

(03/06/2019). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Inventor/es: RAULEDER, HARTWIG, DR., MUH,EKKEHARD, LANG,JÜRGEN ERWIN.

Procedimiento para la producción de hexaclorodisilano o Ge2Cl6, activándose a) un plasma no térmico por medio de una tensión alterna de frecuencia f en un gas que contiene SiCl4 o GeCl4, caracterizado por que se acopla en el plasma al menos un impulso electromagnético con la tasa de repetición g, cuyo componente de tensión presenta una pendiente de flanco en el flanco ascendente de V ns-1 a 1 kV ns-1, y una anchura de pulso b de 500 ns a 100 μs, obteniéndose una fase líquida, y b) obteniéndose hexaclorodisilano puro o Ge2Cl6 a partir de la fase líquida, en una elaboración destilativa.

PDF original: ES-2715316_T3.pdf

Procedimiento para la producción de halogenosilanos e hidrurosilanos.

(02/05/2018). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Inventor/es: WIEBER,STEPHAN, PATZ,MATTHIAS, STÜGER,HARALD, WALKNER,CHRISTOPH.

Procedimiento para la producción de un halogenosilano superior, empleándose al menos un halogenosilano de la fórmula genérica SinX2n+2 con n ≥ 2 y X ≥ F, Cl, Br y/o I, y mediante desproporción para dar una mezcla de productos que contiene al menos un halogenosilano superior de la fórmula genérica SimX2m+2 con m > n y X ≥ F, Cl, Br y/o I, y al menos un halogenosilano inferior de la fórmula genérica SiaX2a+2 con a ≥ 1-2 y X ≥ F, Cl, Br y/o I, caracterizado por que la reacción se cataliza mediante al menos un fosfano terciario, seleccionado a partir del grupo que comprende alquilfosfanos terciarios, arilfosfanos terciarios, fosfanos terciarios bidentados o mezclas de los mismos.

PDF original: ES-2673285_T3.pdf

Procedimiento para la hidrogenación de compuestos de silano halogenados superiores.

(21/02/2018). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Inventor/es: TROCHA, MARTIN, DR., MOUSSALLEM,IMAD, OH,MIN-ZAE, HAUBROCK,JENS, SCHWÄRTZKE,THORSTEN.

Procedimiento continuo para la hidrogenación de compuestos de silano halogenados con al menos tres átomos de silicio, en el que se hacen reaccionar - al menos un compuesto de silano halogenado con al menos tres átomos de silicio, y - al menos un agente de hidrogenación seleccionado a partir del grupo de compuestos constituido por LiAlH4, NaBH4 y i-Bu2AlH - continuamente bajo formación - de al menos un compuesto de hidrurosilano con al menos 3 átomos de silicio, y - de agente de hidrogenación oxidado, y extrayéndose - el agente de hidrogenación oxidado, reduciéndose y alimentándose de nuevo a la hidrogenación el producto de reacción de esta reacción de reducción.

PDF original: ES-2664718_T3.pdf

Procedimiento para el desdoblamiento selectivo de silanos superiores.

(06/12/2017). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Inventor/es: RAULEDER, HARTWIG, DR., MUH,EKKEHARD.

Un procedimiento para la preparación de compuestos de silicio monoméricos y/o diméricos de la Formula general I con los X independientemente iguales a un halógeno, n igual a 1 o 2 y x igual a 0 o 1 e y igual a 3 o 4 para n ≥ 1 o respectivamente 5 o 6 para n ≥ 2, con la condición de que y + x ha de ser ≥ 2n+2, SinHxXy (I), a partir de un silano inorgánico oligomérico o una mezcla que comprende silanos inorgánicos oligoméricos, teniendo un silano oligomérico por lo menos tres átomos de silicio unidos directamente por enlaces covalentes y estando seleccionados los sustituyentes situados junto a los átomos de silicio entre un halógeno, hidrógeno y/u oxígeno, - haciéndose reaccionar el silano oligomérico o la mezcla en presencia de un halogenuro de hidrógeno junto a un catalizador que contiene nitrógeno para dar compuestos de silicio de la Fórmula general I a 80 hasta 120°C y a una presión de 10 mbar hasta 10 bares.

PDF original: ES-2655733_T3.pdf

Método para la producción de triclorosilano.

(19/04/2017). Solicitante/s: ELKEM AS. Inventor/es: HOEL,JAN-OTTO, RONG,HARRY,MORTEN, KJENLI,HENNING, RØE,TORBJØRN, BJØRDAL,JOSTEIN.

Método para la producción de triclorosilano por reacción de silicio con gas HCl a una temperatura entre 250º y 1.100ºC, y una presión absoluta de 0,05 - 3,04 MPa (0,5 - 30 atm) en un reactor de lecho fluidizado, en un reactor de lecho agitado o en un reactor de lecho sólido, caracterizado por que el silicio suministrado al reactor contiene entre 40 y 10.000 ppm en peso de bario y entre 40 y 10.000 ppm en peso de cobre.

PDF original: ES-2624286_T3.pdf

Procedimiento para convertir tetracloruro de silicio en triclorosilano.

(12/10/2016) Procedimiento para la conversión de tetracloruro de silicio en triclorosilano, mediante la incorporación de gas precursor que contiene tetracloruro de silicio e hidrógeno en una zona de reacción de un reactor en el que la temperatura asciende a 1200-1600ºC, siendo calentada la zona de reacción a través de una calefacción que se encuentra por fuera de la zona de reacción, y siendo enfriado a continuación el gas producto resultante que contiene triclorosilano, con la condición de que se enfríe en el espacio de 0,1 - 35 ms, a una temperatura de 700 - 900ºC, siendo calentado el gas precursor por medio de un intercambiador de calor según el principio de contracorriente, mediante el gas producto, formando el reactor y el intercambiador de calor una única pieza de trabajo…

Procedimiento para la preparación de hidrurosilanos.

(07/09/2016) Procedimiento para la preparación de hidrurosilanos a partir de halogenosilanos, caracterizado por que a) se hacen reaccionar i) al menos un halógenosilano de la fórmula genérica SinX2n+2 (con n ≥ 3 y X ≥ F, Cl, Br y/o I) y ii) al menos un catalizador de la fórmula genérica NRR'aR"bYc con a ≥ 0 ó 1, b ≥ 0 ó 1 y c ≥ 0 ó 1, y en donde aa) - R, R' y/o R" son iguales a -alquil C1-C12, -aril C1-C12, -aralquil C1-C12, -aminoalquil C1-C12, -aminoaril C1-C12, -aminoaralquil C1-C12, y/o - dos o tres radicales R, R' y R", en el caso de c ≥ 0, forman conjuntamente un sistema cíclico o bicíclico, heteroalifático o heteroaromático que incluye N, - con la condición de que al menos un radical R, R' o R" no sea -CH3 y/o bb) - R y R' y/o R" (en el caso de c ≥ 1) son iguales a -alquilen C1-C12, -arilen C1-C12,…

Análisis de la composición de un gas o de una corriente gaseosa en un reactor químico y un procedimiento para la producción de clorosilanos en un reactor de lecho turbulento.

(11/05/2016). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: GOEBEL,THORSTEN, HAECKL,WALTER, MUENZER,WOLFGANG, PAETZOLD,UWE, SOFINA,NATALIA.

Procedimiento para el análisis de la composición de un gas o de una corriente gaseosa, que contiene AlCl3, en un reactor de lecho turbulento (A) con una altura de reactor H0, en el que el HCl alimentado reacciona con silicio, mediante lo cual se producen clorosilanos, que comprende separación de AlCl3 del gas y subsiguiente análisis de la composición del gas por medio de cromatografía de gases o espectroscopía, caracterizado por que, debido a la composición del gas, se modifica un perfil de temperaturas en el reactor (A) en función de la altura del reactor H0, siendo el perfil de temperaturas en el reactor de lecho turbulento mayor que S1(H/H0) ≥ (a1-b1)*(1/(1+exp(- c1((H/H0)-d1))))+b1 y menor que S2(H/H0) ≥ (a2-b2)*(1/(1+exp(-c2((H/H0)-d2))))+b2, siendo a1 ≥ 100 °C, a2 ≥ 300 °C, b1 ≥ 300 °C, b2 ≥ 400 °C, c1 ≥ 50, c2 ≥ 20, d1 ≥ 0,2, d2 ≥ 0,8.

PDF original: ES-2648909_T3.pdf

Procedimiento para el accionamiento de un reactor de lecho fluidizado.

(04/05/2016) Procedimiento para el accionamiento de un reactor de lecho fluidizado en un proceso para la producción de triclorosilano a partir de silicio y HCl, o a partir de silicio y H2/tetraclorosilano, o en un proceso para la producción de silicio a partir de triclorosilano, que comprende un lavado a del reactor y de los conductos de alimentación de gas a temperatura ambiente con un gas inerte durante 0,5 a 10 segundos, con una cantidad de gas de 10 a 500 Nm3/h; un lavado b del reactor y de los conductos de alimentación de gas con H2, calentándose a una temperatura de 100- 1000ºC durante el lavado con H2, realizándose el lavado durante 2 a 10 horas con una cantidad de gas de 200…

Procedimiento para la extracción, desde bauxita o desde el barro rojo resultante del procesamiento de bauxita, de productos de interés industrial separados uno de otro.

(04/05/2016) Un procedimiento para la extracción, de la bauxita y del barro rojo resultante del procesamiento de la bauxita, de productos de interés industrial, separados uno de otro, comprendiendo dicho procedimiento las siguientes etapas: - trituración y/o secado opcional del material a ser tratado a una temperatura de 60 a 250 ºC; - tostación opcional del material secado; - fusión del material resultante; - mantenimiento del baño de fusión a una temperatura superior a 1350 ºC; - insuflado dentro del baño de fusión de cloro, o al menos un compuesto generador de cloro in situ, opcionalmente junto con al menos un gas inerte; - agitación opcional del baño fundido para favorecer la difusión del cloro y la cinética de las reacciones del proceso; …

Dispositivo y procedimiento para el tratamiento de temperatura de gases corrosivos.

(06/04/2016) Dispositivo para el tratamiento de temperatura de gases corrosivos en un reactor para la conversión de tetracloruro de silicio con hidrógeno en triclorosilano, que comprende una cámara para el calentamiento de gases, en el que se encuentran al menos cuatro elementos calefactores o cuatro grupos de elementos calefactores de un material conductor de electricidad, en el que cada elemento calefactor o cada grupo de elementos calefactores están conectados en un sistema parcial regulable y/o controlable por separado de una red de energía eléctrica y en el que se puede calentar a través de paso directo de la corriente, en el que cada elemento calefactor regulable y/o controlable por separado o cada grupo de elementos calefactores regulable y/o controlable por separado es controlable o regulable al menos a un valor o bien igual o diferente de un parámetro…

Procedimiento para la preparación de hexaclorodisilano por desdoblamiento de policlorosilanos de orden más alto tales como octaclorotrisilano.

(02/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Inventor/es: RAULEDER, HARTWIG, DR., MUH,EKKEHARD, LANG,JÜRGEN ERWIN.

Un procedimiento para la conversión química de policlorosilanos en hexaclorodisilano, en el que por lo menos un policlorosilano trímero o un policlorosilano trímero en una mezcla con policlorosilanos de más alto peso molecular se somete a un plasma no térmico y se obtiene hexaclorodisilano, en donde el plasma no térmico es anisotérmico y tiene una temperatura de los electrones Te ≥ 104 K y una temperatura de los gases TG ≤ 103 K, y la presión de trabajo, a la que se lleva a cabo la reacción, está situada entre 1 y 1.000 mbarabs.

PDF original: ES-2639105_T3.pdf

Procedimiento y dispositivo para la producción de octaclorosilano.

(02/03/2016) Procedimiento para la producción de octaclorotrisilano, exponiéndose clorosilanos, que comprenden al menos un clorosilano monómero de la fórmula general I HxSiCl4-x (I) con x, independientemente entre sí, seleccionado a partir de 0, 1, 2 o 3, a un plasma térmico, siendo el plasma térmico un plasma de arco voltaico, en el que los electrones y los iones poseen aproximadamente la misma temperatura, caracterizado por que el procedimiento se lleva a cabo en un dispositivo que comprende un reactor de descarga de gases con dos columnas (2a, 2b), y - esta prevista una primera columna (2a) con una entrada de columna (3a) para la separación de octaclorotrisilano aguas arriba antes del reactor…

Procedimiento y dispositivo para la separación destilativa de una mezcla de tres o más componentes.

(02/03/2016) Procedimiento para la separación destilativa de una mezcla de tres o más componentes, que contiene al menos una fracción de bajo punto de ebullición, al menos una fracción de productos de punto de ebullición medio, y al menos una fracción de productos de punto de ebullición elevado, alimentándose la mezcla de tres o más componentes a una primera columna, a través de la que se separa al menos un producto de punto de ebullición elevado como fracción de cola y se alimenta una fracción de cabeza a una segunda columna, separándose en la segunda columna al menos un producto de punto de ebullición medio a través de una extracción lateral y al menos un producto de bajo punto de ebullición como fracción de cabeza, así como devolviéndose…

Dispositivo y procedimiento para el tratamiento de líquidos que contienen clorosilanos.

(17/02/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: LIEBISCHER,SEBASTIAN, BRÄUNLING,DANIEL, GAESS,DANIEL, THOMPSON,JEFFERY.

Procedimiento para el tratamiento de un líquido que contiene al menos un clorosilano, que comprende evaporar el líquido, tratar el líquido evaporado poniéndolo en contacto con un medio alcalino en una cámara de lavado, de modo que se obtiene como resultado un líquido de lavado con pH 9-13, y tratar posteriormente el líquido de lavado extraído de la cámara de lavado en una instalación de tratamiento de aguas residuales, añadiéndose un ácido para ajustar un pH de 6-9 y separándose los sólidos del líquido de lavado por medio de una centrífuga.

PDF original: ES-2622055_T3.pdf

Procedimiento para la reacción endotérmica en fase gaseosa en un reactor.

(22/07/2015) Procedimiento para la conversión química del tetracloruro de silicio con hidrógeno en el triclorosilano en un reactor, en el que unos eductos gaseosos se introducen en el reactor a través de un dispositivo de entrada de gases y éstos son distribuidos uniformemente, mediante un dispositivo de distribución de gases, en una zona de calefacción, en la que los eductos gaseosos son calentados mediante unos elementos de calefacción a una temperatura media de 500-1.500°C, y a continuación son conducidos a una zona de reacción, regulándose el calentamiento de los elementos de calefacción mediante unas mediciones de la temperatura en la zona de reacción, estando presentes para esta finalidad en la zona de reacción por lo menos dos sensores de la temperatura,…

Procedimiento y dispositivo para la conversión química del tetracloruro de silicio en el triclorosilano.

(13/05/2015) Procedimiento para la hidrogenación de clorosilanos en un reactor, incorporándose en una zona de reacción, por separado unas de otras, por lo menos dos corrientes gaseosas de eductos, siendo conducida la primera corriente gaseosa de eductos, que contiene tetracloruro de silicio, a través de una primera unidad de intercambio de calor, en la que ella es calentada, y luego siendo conducida a través de una unidad de calefacción, y siendo calentada en este caso a una primera temperatura antes de que la primera corriente gaseosa de eductos alcance a la zona de reacción, y siendo calentada a una segunda temperatura la segunda corriente gaseosa de eductos, que contiene hidrógeno, a través de una segunda unidad de intercambio de calor, siendo la primera temperatura más grande que la segunda temperatura, y siendo incorporada…

Silicio policristalino.

(17/09/2014) Silicio policristalino que ha sido depositado a partir del triclorosilano sobre una barra filamentosa constituida a base de silicio, con unas concentraciones de sustancias dopantes de 1-10 ppta de boro, 1-20 ppta de fósforo, 1-10 ppta de arsénico, y 0,01-1 ppta de aluminio, así como con una duración de vida útil de los portadores de cargas eléctricas de por lo menos 2.000 y de a lo sumo 4.500 μs.

Procedimiento para la producción de un polisilicio.

(26/03/2014) Procedimiento para la producción de un polisilicio, que comprende a) un proceso de deposición de un silicio policristalino sobre unos filamentos en un reactor de deposición mediante un gas de reacción que contiene un componente que contiene silicio, el cual comprende triclorosilano, e hidrógeno, siendo por lo menos de 25 % la saturación molar del componente que contiene silicio en lo que se refiere al hidrógeno; b) la aportación de un gas de salida que sale del proceso de deposición a un dispositivo para el enfriamiento del gas de salida, i) siendo conducidos los componentes que se condensan por medio del enfriamiento, del gas de salida que contiene a un dispositivo, que hace posible una purificación por destilación del material condensado,…

Procedimiento para la purificación de clorosilanos por destilación.

(08/11/2013) Procedimiento para la purificación de clorosilanos por destilación, que comprende una puesta a disposición deuna mezcla de clorosilanos con un contenido de boro, que contiene TCS, DCS y STC y una purificación de la mezclade clorosilanos por destilación en varias columnas de destilación, caracterizado por que la mezcla de clorosilanospuesta a disposición es aportada a una columna de separación , cuyos parámetros de columna se escogen de talmanera que en una primera fracción procedente de la columna de separación están contenidas menos que 10ppm de STC y en una segunda fracción procedente de la columna de separación están contenidas menosque 10 ppm de TCS, en donde la fracción procedente de la columna de separación es aportada a una terceracolumna y es separada por destilación en una corriente de sumidero (6b), que…

Proceso para eliminar aluminio y otros cloruros de metal de los clorosilanos.

(02/10/2013) Un proceso para eliminar el cloruro de aluminio y otros cloruros de metal parcialmente solublesprovenientes de clorosilanos líquidos, comprendiendo las etapas que consisten en: proporcionar un recipiente de procesamiento con un medio de agitación, introducir un material de germeny una solución impura de clorosilanos líquidos en el recipiente de procesamiento, dicha solución impurade clorosilanos líquidos conteniendo cloruros de aluminio y otros cloruros de metal, mantener el clorurode aluminio, y otros cloruros de metal parcialmente soluble, disuelto o suspendido en la solución declorosilanos líquidos mientras se mezcla el germen y la solución de clorisilanos líquidos para permitir ladeposición de aluminio y capas de cloruros de metal en el germen, transferir la mezcla de germen ysolución de clorosilanos líquidos…

Procedimiento para la hidrólisis de sales metálicas con emulsiones.

(11/06/2013) Procedimiento para la limpieza de recubrimientos de sales metálicas en partes y piezas de instalaciones en elestado incorporado y montado mediante una hidrólisis de las sales metálicas hidrolizables, que se escogen entre elconjunto formado por los halogenuros de aluminio, hierro, titanio y cromo, en cuyo caso las sales metálicas se hacenreaccionar con unas emulsiones a base de a) agua y b) un líquido inerte, que se escoge entre el conjunto formadopor organopolisiloxanos, hidrocarburos y mezclas de éstos, siendo de 10 a 50 % en peso la proporción de agua de laemulsión utilizada, y la emulsión utilizada retarda la liberación de calor en el caso de la hidrólisis de las salesmetálicas.

Método de concentración de isótopos.

(30/03/2012) Método de enriquecimiento de isótopos que comprende la etapa de realizar el intercambio de isótopos entre una disolución acuosa que contiene por lo menos dos componentes representándose de cada uno por la fórmula: H2O-H2SiF6·nSiF4 (en la que n 0) y un gas que contiene SiF4 para enriquecer un isótopo estable de Si.

PROCEDIMIENTO PARA LA DISMINUCIÓN DEL CONTENIDO DE ELEMENTOS, TALES COMO BORO, EN HALOGENOSILANOS, ASÍ COMO INSTALACIÓN PARA LA REALIZACIÓN DEL PROCEDIMIENTO.

(12/01/2012) Procedimiento para la disminución del contenido de elementos del tercer grupo principal del sistema periódico en halógenosilanos de pureza técnica para la preparación de halógenosilanos purificados, que comprende las siguientes etapas, a) reunión de los halógenosilanos que se han de purificar con el cloruro de trifenilmetilo para la formación de compuestos complejos difícilmente solubles en halógenosilanos, y b) obtención de halógenosilanos purificados mediante separación de los compuestos complejos difícilmente solubles que se han formado, mediante una acción mecánica.

PROCEDIMIENTO PARA DISMUTAR CLOROSILANENO.

(16/07/1994). Solicitante/s: DEGUSSA AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: PANSTER, PETER, DR., KLEINSCHMIT, PETER, DR., KLOCKNER, HANS-JURGEN, DR.

EL INVENTO SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO QUE SE UTILIZA PARA DISMUTAR CLOROSILANENO, QUE CONSISTE EN CONDUCIR UN COMPUESTO ORGANOPOLISILOXANO, EN FASE GASEOSA, O EN FASE LIQUIDA, POR UN CATALIZADOR QUE SE PRESENTA EN FORMA DE ESFERAS Y QUE LLEVA DE UNO A CUATRO GRUPOS FUNCIONALES, ELEGIDOS ENTRE GRUPOS AMONIO, GRUPOS AMINO Y SE CARACTERIZA PORQUE EN FASE GASEOSA LA CONDUCCION SE REALIZA A UNA TEMPERATURA ENTRE 55 NTE 0,01 A 100 SEGUNDOS Y EN FASE LIQUIDA, LA CONDUCCION SE REALIZA A UNA TEMPERATURA ENTRE 25 Y 55 C, DURANTE 1 A 1000 SEGUNDOS.

PROCESO PARA LA PRODUCCION DE TETRAFLUORURO DE SILICIO.

(01/03/1993) SE PRESENTA UN PROCESO CONTINUO PARA LA PRODUCCION, CON GRAN RENDIMIENTO, DE TETRAFLUORURO DE SILICIO DE ALTA PUREZA, PARTIENDO DE UNA SOLUCION ACUOSA DE ACIDO FLUOSILICICO QUE COMPRENDE A) LA REACCION DE UNA SOLUCION ACUOSA DE ACIDO FLUOSILICICO CON ACIDO SULFURICO CONCENTRADO, REALIZADA CON UN CORTO TIEMPO DE RESIDENCIA Y PREFERIBLEMENTE BAJO CONDICIONES FLUIDODINAMICAS DE TURBULENCIA DENTRO DE UNA ZONA DE REACCION; B) LE SEPARACION DE UNA CORRIENTE GASEOSA CONTENIENDO TETRAFLUORURO DE SILICIO DE UNA CORRIENTE LIQUIDA DE ACIDO SULFURICO ACUOSO, REALIZADA DENTRO DE UNA ZONA DE SEPARACION, CONECTADA DIRECTAMENTE…

UN METODO PARA LA CLORODESFENILACION DE FENILDISILANOS.

(16/10/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HILTY, TERRENCE KEITH, CAMPBELL, WILLIAM HENRY.

UN METODO PARA LA CLORODESFENILACION DE FENILDISILANOS. SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA LA CLORODESFENILACION DE UN DISILANO QUE CONTIENE FENILO PARA PRODUCIR ALQUILHALODISILANOS. EL PROCEDIMIENTO COMPRENDE: (A) LA ADICION DE UN HALURO DE ALUMINIO, ALX3, A UN DISILANO QUE CONTIENE FENILO, QUE TIENE LA FORMULA R3-A (C6H5)A SI-SIR3-B (C6H5)B, DONDE EL DISILANO QUE CONTIENE FENILO PRESENTA UN PUNTO DE FUSION INFERIOR A 50GC APROXIMADAMENTE; Y EL HALURO DE ALUMINIO SE AÑADE A UNA CONCENTRACION SUPERIOR A 1 MOL POR CIENTO APROXIMADAMENTE CON RELACION AL DISILANO QUE CONTIENE FENILO; (B) PONER EN CONTACTO EL DISILANO QUE CONTIENE FENILO Y EL HALURO DE ALUMINIO, EN AUSENCIA DE UN DISOLVENTE, CON GAS HALURO DE HIDROGENO ANHIDRO EN EXCESO A UNA TEMPERATURA INFERIOR A UNOS 50GC; (C) FACILITAR LA CONVERSION DEL DISILANO QUE CONTIENE FENILO EN ALQUILHALODISILANO; Y (D) AISLAR Y RECUPERAR EL ALQUILHALODISILANO.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE TETRAFLUORURO DE SILICIO.

(01/05/1986). Solicitante/s: D. SWAROVSKI & CO..

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE TETRAFLUORURO DE SILICIO. COMPRENDE: A) HIDROLIZAR CON AGUA GASES QUE CONTIENEN FLUORURO DE SILICIO EN LOS QUE LA PROPORCION SI/F DEBE ESTAR ENTRE 1/4 Y 1/5, EN UN DEPURADOR DE GASES DE DESPERDICIO ; B) AGITAR VIOLENTAMENTE EN RECIPIENTES AGITADORES RESISTENTES A LA CORROSION EL HIDROLIZADO OBTENIDO EN A) CON FLUORURO SODICO, FLUORURO POTASICO O FLUORURO BARICO EN SUSPENSION, PARA OBTENER HEXAFLUOROSILICATOS; C) SEPARAR EN Y SECAR EL HEXAFLUOROSILICATO OBTENIDO EN ; D) DESCOMPONER TERMICAMENTE EN EL PRODUCTO DE C) PARA OBTENER TETRAFLUORURO DE SILICIO DE PUREZA MAYOR AL 90% EN VOLUMEN Y FLUORURO METALICO, MANTENIENDO UNA PRESION DE 0,1 A 500 MBAR Y UNA TEMPERATURA ENTRE 400 Y 800JC; Y E) RECICLAR EL FLUORURO METALICO OBTENIDO EN D). SU UTILIZACION ES MULTIPLE: TRATAMIENTO DE PIEZAS DE HORMIGON, ETC.

PROCEDIMIENTO PERFECCIONADO PARA LA FABRICACIÓN INDUSTRIAL DE TRICLOROSILANO.

(01/01/1961). Solicitante/s: PECHINEY, COMPAGNIE DE PRODUITS CHIMIQUES ET ELECTROMETALLURGIQUES.

Procedimiento perfeccionado para la fabricación industrial de triclorosilano por reacción de silicio metálico con ácido clorhídrico en presencia de cobre a una temperatura comprendida entre 170º y 350ºC operando en continuo en un reactor que funciona según el procedimiento del lecho fluidificado, caracterizándose porque el silicio que alimenta el aparato, se halla, por lo menos parcialmente, en forma de polvo de silicio no aleado.

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