CIP-2021 : H01L 21/82 : para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/82 · · · · para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Un método de corte de un objeto a lo largo de dos direcciones diferentes usando adicionalmente una hoja elástica para dividir el objeto.

(31/12/2014) Un método de procesamiento del objeto hecho de un material transmisor de luz cuya superficie reposa en un plano X-Y, y está formado con una pluralidad de secciones de circuito , estando el método caracterizado por las siguientes etapas de: irradiación del objeto con luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) dentro del objeto para formar una primera zona modificada solamente dentro del objeto por debajo de una superficie de incidencia del láser del objeto , en el que, la primera zona modificada está separada de la superficie de incidencia del láser del objeto por una distancia predeterminada, y adicionalmente en el que la…

CMOS DE CARBURO DE SILICIO Y METODO DE FABRICACION.

(01/09/2004) DISPOSITIVO MONOBLOQUE DE CMOS INTEGRADO, FORMADO EN CARBURO DE SILICIO Y METODO PARA LA FABRICACION DEL MISMO. EL INSTRUMENTO DE CMOS INTEGRADO INCLUYE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO DE UN TIPO DE PRIMERA CONDUCTIVIDAD CON UNA REGION HUNDIDA DE UN TIPO DE SEGUNDA CONDUCTIVIDAD FORMADO EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. UN TRANSISTOR COMPLEMENTARIO MOS DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA REGION HUNDIDA Y UN TRANSITOR MOS COMPLEMENTARIO DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. EL METODO DE FABRICACION DEL CMOS DE CARBURO DE SILICIO INCLUYE LA FORMACION DE UNA REGION HUNDIDA DE UNA CONDUCTIVIDAD OPUESTA EN UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO POR IMPLANTACION DE ION. LOS CONTACTOS DE FUENTE Y DRENAJE TAMBIEN ESTAN FORMADOS POR IMPLANTACION SELECTIVA DE ION EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO Y EN LA…

METODO DE FABRICACION DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR PARA CIRCUITOS INTEGRADOS.

(16/04/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, COCHRAN, WILLIAM THOMAS, KELLY, MICHAEL JAMES.

SE REVELA UN METODO DE FORMACION DE UN TRANSISTOR. LAS TECNICAS DE FABRICACION CONVENCIONAL DIRIGEN UN RAYO ION DE IMPRESION HACIA UN SUSTRATO , SOBRE EL CUAL UN GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS DE BARRERA HAN SIDO YA FORMADAS . SI EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS ESTA DEMASIADO BAJO EN RELACION CON LA ENERGIA DE RADIACION INCIDENTE, LAS ESPECIES DOPANTES PUEDEN SER CANALIZADAS A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, AFECTANDO ADVERSAMENTE AL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR. LA PRESENTE INVENCION PREVIENE DE LA CANALIZACION A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS MEDIANTE EL RECUBRIMIENTO DE LA BARRERA CON UNA CAPA PROTECTORA ANTES DE LA IMPRESION DEL ION. LA CAPA PROTECTORA ES UNA CAPA DE OXIDO, LA CUAL ESTA FORMADA TANTO EN EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, DONDE ES MAS ESPESA, COMO EN EL SUSTRATO.

PROCESO DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO FOTONICO.

(16/01/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: KOCH, THOMAS LAWSON, KOREN, UZIEL.

SE PRESENTA UN PROCESO PARA ATACAR AL ACIDO MODELOS ONDULADOS, PARA DISPOSITIVOS DE RETROALIMENTACION DISTRIBUIDA (DFB) O REFLECTORES DE BRAGG DISTRIBUIDOS (DBR). UNA CAPA DE ENMASCARAMIENTO SE DEPOSITA SOBRE EL AREA ADYACENTE AL AREA CUANDO SE REQUIERE LA ONDULACION. UNA ENMASCARAMIENTO DIBUJADA DE ONDULACION SE FORMA SOBRE LA CAPA DE ENMASCARAMIENTO ASI COMO SOBRE EL AREA DONDE SE REQUIERE LA ONDULACION Y SE LLEVA A CABO EL ATAQUE AL ACIDO PARA FORMAR ONDULACIONES EN LA CAPA DE ENMASCARAMIENTO ASI COMO LAS ONDULACIONES DESEADA . LA CAPA DE ENMASCARAMIENTO PUEDE SER RETIRADA. EL MATERIAL DE LA CAPA DE ENMASCARAMIENTO SE ELIGE PARA ATACAR AL ACIDO A LA MISMA VELOCIDAD, Y ASI PARA AGOTAR LA CONCENTRACION DEL DECAPANTE ATAQUE A ACIDO POR LA MISMA CANTIDAD, CUANDO EL MATERIAL EN EL QUE SE REQUIERES LAS ONDULACIONES. ASI SE EVITAN CONCENTRACIONES MAYORES DE DECAPANTE CERCA DEL BORDE DE LA CAPA DE ENMASCARAMIENTO, Y EVITAR UN SOBREATAQUE AL ACIDO CONSECUENTE.

CIRCUITO INTEGRADO CON CONEXION DE CUBETAS.

(16/02/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, LEUNG, CHUNG WAI, WROGE, DANIEL MARK.

CUANDO SE FABRICAN CIRCUITOS LOGICOS CMOS, POR EJEMPLO UN INVERSOR, ES CON FRECUENCIA NECESARIO CONECTAR LAS FUENTES DE LOS TRANSISTORES DE LOS CANALES P Y N A SUS CUBETAS RESPECTIVAS (N Y P, RESPECTIVAMENTE). LA TECNICA ANTERIOR EXIGIA BIEN UNA GRAN VENTANA DE CONTACTO CUBRIENDO TANTO LA FUENTE COMO LAS CUBETAS O BIEN DOS VENTANAS DE CONTACTO DE TAMAÑO ESTANDAR. LA TECNICA DESCRITA AQUI FORMA LA CONEXION UTILIZANDO LA MISMA CAPA DE SILICIURO QUE SE FORMA EN LAS REGIONES FUENTE/DESCARGA, LA CUAL TAMBIEN FORMA UN SILICIURO DE PUERTA EN EL PROCESO DE SILICIURO AUTOALINEADO. ASI, PUEDE EMPLEARSE UNA VENTANA CONVENCIONAL PARA CONECTAR LA UNION DE SILICIURO DE LA CUBETA (Y, POR LO TANTO, LAS REGIONES FUENTE/CUBETA) A UN CONDUCTO DE SUMINISTRO DE CORRIENTE . DE ESTA FORMA SE CONSIGUE AHORRAR ESPACIO Y MAYOR LIBERTAD PARA COLOCAR LA FUENTE ENERGETICA.

CIRCUITO INTEGRADO CMOS CON AISLAMIENTO PERFECCIONADO.

(16/01/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, COCHRAN, WILLIAM T., LEUNG, CHUNG WAI.

SE AISLA UNA DEPRESION TIPO P EN UN CIRCUITO INTEGRADO CMOS QUEDA AISLADA DE LA DEPRESION ADYACENTE TIPO N MEDIANTE UN CAMPO DE OXIDO CON UNA REGION DE SEPARACION TIPO P FORMADA POR UN IMPLANTE DE IONES DE BORO. LA PERFORACION DE ESTE SE SELECCIONA PARA QUE LA CRESTA DE CONCENTRACION DE BORO ESTE SITUADA INMEDIATAMENTE DEBAJO DEL CAMPO DE OXIDO QUE ES CULTIVADA A CONTINUACION. ADEMAS, EL IMPLANTE PENETRA EN LAS REGIONES ACTIVAS PRODUCIENDO UNA CONCENTRACION DE BORO RETROGRADA EN LA REGION DEL CANAL N. ESTA TECNICA MEJORA SIMULTANEAMENTE EL AISLAMIENTO DEL DISPOSITIVO Y LAS CARACTERISTICAS DE PERFORACION DEL TRANSISTOR DE CANAL N, PERMITIENDO LA EXTENSION DE LA TECNOLOGIA CMOS A LAS GEOMETRIAS DE DISPOSITIVOS SUB-MICROMETRICAS.

CIRCUITO INTEGRADO QUE UTILIZA CELULAS SRAM.

(01/05/1997). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, NAGY, WILLIAM JOHN, SUNG, JANMYE, ADAMS, THOMAS EVANS.

SE MUESTRA UNA CELULA SEMICONDUCTORA QUE TIENE PUERTAS PARALELAS (EJEMPLO 19,21,25,23). LA DIRECCION DE LAS PUERTAS (EJEMPLO 19,21,25,23) SE ELIGE VOLUNTARIAMENTE PARA MINIMIZAR LOS EFECTOS ASTIGMATICOS LITOGRAFICOS. ASI SE FABRICAN PUERTAS DE ANCHURA COMPARATIVAMENTE UNIFORME Y SE MEJORA LA PREDICCION DEL RENDIMIENTO DE TRANSISTOR.

METODO PARA FABRICAR UNA CAPA SOBRE UN SUBSTRATO.

(16/10/1994) UN METODO PARA FABRICAR UNA CAPA DE OXIDO TUNEL DE GRAN CALIDAD INCLUYE UN PROCESO DE OXIDACION EN DOS ETAPAS. LA PRIMERA ETAPA DE OXIDACION CONSISTE EN OXIDAR UN SUBSTRATO EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE OXIGENO Y NITROGENO A UNA TEMPERATURA DE 900 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE, Y ASI ES UNA OXIDACION SIN HCL. LA SEGUNDA ETAPA DE OXIDACION SE LLEVA A CABO EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE HCL Y ARGON A UNA TEMPERATURA DE 1050 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE. LA PRIMERA ETAPA DE OXIDACION SE LLEVA A CABO A UNA TEMPERATURA EN EL INTERVALO DE TEMPERATURAS DEL FLUJO VISCOSO DEL OXIDO PARA EVITAR CUALQUIER DEFECTO FISICO DE LA FORMA DE LA CAPA DE OXIDO. LA SEGUNDA ETAPA DE OXIDACION SE LLEVA A CABO A UNA TEMPERATURA SUFICIENTE PARA PASIVAR CUALQUIER ION MOVIL EN LA CAPA DE OXIDO EN UNA ATMOSFERA…

UN CIRCUITO INTEGRADO SEMICONDUCTOR CONFIGURABLE.

(01/08/1988) UN CIRCUITO INTEGRADO SEMICONDUCTOR CONFIGURABLE. CIRCUITOS INTEGRADOS SEMICONDUCTORES CONFIGURABLES EN ESTADO DE FABRICACION TIENEN UNA PLURALIDAD DE CIRCUITOS LOGICOS FORMADOS EN EMPLAZAMIENTOS DISCRETOS (10S). POR CADA CIRCUITO LOGICO, SE EXTIENDEN RECORRIDOS DE CONEXION DIRECTA SELECTIVAMENTE CONDUCTORES/NO CONDUCTORES (14A,B,C,F) DESDE SU SALIDA A LA ENTRADA DE UN PRIMER GRUPO DE OTROS CIRCUITOS LOGICOS. SON DIFERENTES TODOS LOS GRUPOS DE TODOS LOS CIRCUITOS LOGICOS. PUEDEN CONECTARSE SELECTIVAMENTE OTROS RECORRIDOS DE CONEXION DIRECTA (50R, 50C) A ENTRADAS (14D, E) Y SALIDAS (52G,H) DE LOS CIRCUITOS LOGICOS. LA SELECCION PUEDE SER IRREVERSIBLE (FIGURA 8) O REVERSIBLE (FIGURAS 9, 10, 11, 18) E IMPLICA DIRECCIONAMIENTO DE SEÑALES COINCIDENTES (22R,C) DE LOS EMPLAZAMIENTOS (10S) Y CONFIGURACION CODIFICADA DE LOS RECORRIDOS…
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