CIP-2021 : C23C 16/46 : por la forma de calentar el sustrato (C23C 16/48, C23C 16/50 tienen prioridad).
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/46 · · por la forma de calentar el sustrato (C23C 16/48, C23C 16/50 tienen prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo para depositar nanotubos.
(06/05/2020) Dispositivo para depositar estructuras especialmente que contienen carbono, por ejemplo capas en forma de nanotubos o grafeno sobre un sustrato , que es soportado por un soporte de sustrato dispuesto en una carcasa de cámara de proceso y que se extiende en un plano, en el que la carcasa de cámara de proceso posee una estructura simétrica abatible con respecto a un plano y el soporte del sustrato es un cuerpo plano que se extiende en el plano de simetría, cuyos dos lados anchos pueden llevar, respectivamente, un sustrato y frente a cada una de las dos superficies laterales anchas del soporte del sustrato se encuentra una placa de entrada de gas , que presenta orificios de salida de gas , de un órgano de entrada de gas , en el que a través de los…
Método para la fabricación de recipientes de PET con revestimiento de barrera de dióxido de silicio mejorado.
(30/01/2019). Solicitante/s: GRAHAM PACKAGING COMPANY, L.P.. Inventor/es: SCHNEIDER, MARK D., BOBROV,SERGEY B.
Un proceso para aplicar un revestimiento de barrera de óxido de silicio a un recipiente de PET, en el que el recipiente de PET comprende una pared que tiene una superficie interior y una superficie exterior, comprendiendo el proceso las etapas de:
a. calentar un recipiente de PET a una temperatura de 107,2 ºC (225 ºF) a 195 ºC (383 ºF) a través de la pared;
b. formar un recipiente de PET revestido por aplicación de al menos una capa de barrera de óxido de silicio sobre al menos la superficie interior del recipiente de PET mientras que la temperatura de al menos la superficie exterior del recipiente de PET está a una temperatura de 93,3 ºC (200 ºF) a 195 ºC (383 ºF); y
c. enfriar el recipiente de PET revestido después de la etapa b.
PDF original: ES-2714285_T3.pdf
MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO.
(25/01/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA. Inventor/es: HÄBERLE TAPIA,Patricio, ORELLANA GÓMEZ,Christian.
Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: - disponer de dos láminas de cobre dispuestas en forma paralela y separadas con un material cerámico ; - incorporar dichas dos láminas de cobre al interior de una cámara abierta, que está constituido por una cámara cilíndrica de vidrio ; - calentar las dos láminas de cobre mediante un calentador por inducción electromagnética a una temperatura predeterminada; - suministrar una mezcla de caudales de Metano y Argón en la cara superior de dicha cámara cilíndrica de vidrio ; - monitorizar continuamente la temperatura de las dos láminas de cobre ; - calentar a alrededor de los 1000°C a través del calentador de inducción electromagnética durante un tiempo predeterminado; y - enfriar con los mismos caudales de Metano y Argón, hasta la temperatura ambiente.
Puntos de conexión de mandril y puente para filamentos de tubo en un reactor de deposición química de vapor.
(10/05/2017). Solicitante/s: GTAT Corporation. Inventor/es: GUM,JEFFREY C, BALLENGER,KEITH, CHARTIER,CARL, SCHWEYEN,ANDY.
Un sistema de reactor de deposición química de vapor, que comprende:
al menos un primer filamento de tubo que tiene extremos primero y segundo, configurado el filamento de tubo para transportar una corriente eléctrica;
una semilla unida al primer extremo del filamento de tubo;
un mandril conectado a al menos la semilla , en el que el mandril está formado con un saliente que corresponde a una ranura de la semilla , de tal manera que el mandril está conectado eléctricamente al filamento de tubo;
al menos un segundo filamento de tubo, teniendo dicho segundo filamento de tubo extremos primero y segundo, estando cada filamento de tubo conectado a una semilla y un mandril respectivos; y
un puente que conecta los filamentos primero y segundo de tubo, en el que el puente comprende una pluralidad de rebajes , para aplicarse cada uno de los rebajes a uno de los extremos primeros de los filamentos primero y segundo de tubo.
PDF original: ES-2636966_T3.pdf
Dispositivo protector para sistemas de fijación de electrodos en unos reactores de CVD.
(20/05/2015) Un dispositivo destinado a la protección de unos sistemas de fijación de electrodos en unos reactores de CVD, que comprende un electrodo apropiado para el alojamiento de una barra filamentosa, que está situado sobre un sistema de fijación de un electrodo hecho a base de un material conductivo de la electricidad, que está colocado dentro de un rebajo de una placa de fondo, siendo estanqueizado con un material de estanqueidad un espacio intermedio existente entre el sistema de fijación de un electrodo y la placa de fondo y siendo protegido el material de estanqueidad por medio de un cuerpo protector constituido por una o múltiples piezas, que está dispuesto en forma anular en torno al sistema de fijación de un electrodo,…
Procedimiento de realización de al menos un microcomponente con una máscara única.
(20/11/2013) Procedimiento de realización de un microcomponente que comprende un apilamiento sobre un sustrato , incluyendo el apilamiento una primera capa depositada según un primer motivo y una segunda capa depositada según un segundo motivo, diferente del primer motivo, caracterizado porque el primer motivo está formado a través de una abertura de una máscara llevada a una primera temperatura (T1), y porque el segundo motivo está formado a través de la misma abertura de la misma máscara llevada a una segunda temperatura (T2), diferente de la primera temperatura.
DESINFICACION DE CUERPOS POROSOS.
(01/03/2003) Procedimiento para la infiltración de un cuerpo poroso preformado (P) con carbono calentando el cuerpo (P) de distintas partes (A, B, C, ...) hasta alcanzar una temperatura a la cual un gas que contiene carbono puede descomponerse para depositar carbono en los poros de dicho cuerpo, comprendiendo el procedimiento colocar el cuerpo (P) adyacente a un elemento calentador de múltiples partes de modo que sus partes queden alineadas con las partes correspondientes del cuerpo, y alimentar energía al elemento calentador para calentar el cuerpo mientras que se expone dicho cuerpo a un gas que contiene carbono y que puede descomponerse; caracterizado porque se excitan de forma selectiva las distintas partes del elemento calentador…
APARATOS PARA LA DEPOSICION DE VAPOR.
(16/01/2003). Solicitante/s: INCO LIMITED. Inventor/es: WEBER, REINHART, ALBERTY, MICHAEL, RYAN, TYROLER, GEORGE, PAUL, PASSMORE, IAN, KEITH.
Un aparato para descomponer carbonilos de metal gaseosos, comprendiendo el aparato una placa base , una cubierta dispuesta en la placa base, definiendo la cubierta y la placa base una cámara , incluyendo la placa base al menos una abertura, un anillo de placa base dispuesto dentro de la abertura de la placa base, un anillo de mandril anidado dentro del anillo de la placa base, incluyendo el anillo del mandril al menos un conducto de fluido dispuesto en él, estando el anillo del mandril adaptado para recibir un mandril y medios para introducir carbonilo de metal gaseoso dentro de la cámara.
APARATO Y METODO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.
(01/12/1997). Solicitante/s: COBRAIN N.V. Inventor/es: BRASSEUR, GUY JEAN JACQUES.
LA PRESENTE INVENCION PROPORCIONA UN DISPOSITIVO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A UNA DETERMINADA TEMPERATURA CON GAS Y/O VAPOR, QUE COMPRENDE: UNA ESCLUSA DE SUMINISTRO PARA SUMINISTRAR UNA OBLEA (W) DE MATERIAL SEMICONDUCTOR; UN ESPACIO DE TRATAMIENTO EN EL CUAL PUEDE SER COLOCADA UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A TRAVES DE LA ESCLUSA DE SUMINISTRO; UNA ENTRADA DE GAS PARA ADMINISTRAR GAS Y/O VAPOR DENTRO DEL ESPACIO DE TRATAMIENTO; MEDIOS DE BOMBA PARA LLEVAR AL ESPACIO DE TRATAMIENTO, Y MANTENERLO, A SOBREPRESION, Y UNA PARTE DE MESA PARA SOPORTAR LA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE TIENE UNA MASA RELATIVA A LAS PARTES QUE LA RODEAN, TAL QUE DURANTE EL TRATAMIENTO PREVALECE UNA TEMPERATURA APROXIMADAMENTE CONSTANTE EN EL ESPACIO DE TRATAMIENTO.
MODULO INTEGRADO DE SUMINISTRO DE VAPOR QUIMICO A PARTIR DE FUENTES NO GASEOSAS PARA EL TRATAMIENTO DE SEMICONDUCTORES.
(01/01/1997). Solicitante/s: STAUFFER, CRAIG, M. Inventor/es: STAUFFER, CRAIG, M.
SE DESCRIBE UN MODULO INTEGRADO , CON UN DEPOSITO CALENTADO , PARA VAPORIZAR LIQUIDO, PARA PROCESOS SEMICONDUCTORES, CON FUENTES DE LIQUIDO. SE INSTALAN SOBRE EL MODULO VALVULAS DE CIERRE Y UNA VALVULA DOSIFICADORA PARA CONTROLAR EL FLUJO DEL VAPOR PROCEDENTE DEL DEPOSITO, PARA CALENTAMIENTO DE CONDUCCION SIMPLE DE LAS VALVULAS . TAMBIEN SE INSTALA UN MANOMETRO DE CAPACITANCIA EN EL MODULO , Y TIENE ASIMISMO SUS PROPIOS ELEMENTOS DE CALENTAMIENTO (64A, 64B). SE EVITA LA CONDENSACION DEL VAPOR Y SE OBTIENE FIABILIDAD Y RENDIMIENTO CONSISTENTES.
SISTEMA DE REACTOR TERMICO RESISTENTE A LA PRESION PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES.
(01/07/1996) EL DESCUBRIMIENTO ES RELATIVO UN SISTEMA DE REACTOR TERMICO PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES, EL CUAL INCORPORA UNA VASIJA DE REACCION CON UN TUBO DE CUARZO RECTANGULAR CON UN ESCUDETE DE CUARZO PARALELO REFORZANDOLO. LOS ESCUDETES HABILITAN UN SUB-AMBIENTE DE PRESION DE PROCESO, MIENTRAS QUE LOS TUBOS RECTANGULARES MAXIMIZAN EL FLUJO DE GAS REACTIVO, UNIFORMEMENTE SOBRE EL SUSTRATO QUE SE PROCESA. LOS ESCUDETES FACILITAN EL ENFRIAMIENTO EFECTIVO, MIENTRAS QUE IMPARTEN MINIMAMENTE CALENTAMIENTO DESDE LA VASIJA, PERMITIENDO ESPESORES MINIMOS DE LA PARED. EL SISTEMA DE REACTOR TERMICO INCLUYE ADICIONALMENTE UNA FUENTE PARA SUMINISTRAR GAS REACTIVO Y UN SISTEMA DE MANEJO DE LA EXPULSION PARA ELIMINAR LOS GASES AGOTADOS DE LA VASIJA…
NITRURO DE TITANIO U OXIDO DE ESTAÑO QUE SE UNEN A UNA SUPERFICIE RECUBRIDORA.
(16/01/1996). Solicitante/s: GORDON, ROY GERALD. Inventor/es: GORDON, ROY GERALD.
UNA COBERTURA UTILIZADA PARA DEPOSITAR UN COMPUESTO EN UNA LAMINA DE VIDRIO CON LA SUPERFICIE RUGOSA. LA PORCION DEL COMPUESTO QUE TIENDE A ACUMULARSE EN LA SUPERFICIE DE COBERTURA SE FIJA A LA SUPERFICIE DE COBERTURA RUGOSA DE TAL MANERA QUE NO SE DESPRENDE DE LA SUPERFICIE DURANTE LA APLICACION DEL COMPUESTO AL VIDRIO.
METODO PARA DEPOSITAR DIAMANTE SOBRE UN SUSTRATO.
(16/09/1995). Ver ilustración. Solicitante/s: HOUSTON AREA RESEARCH CENTER. Inventor/es: MARGRAVE, JOHN, L., PATTERSON, DONALD E, HAUGE, ROBERT H, CHU, C. JUDITH.
METODO PARA DEPOSITAR DIAMANTE SOBRE UN SUSTRATO, EN PARTICULAR PELICULAS Y PARTICULAS DE DIAMANTE SOBRE UNA DIVERSIDAD DE SUSTRATOS, HACIENDO FLUIR UN GAS O UNA MEZCLA DE GASES CAPAZ DE APORTAR CARBONO, HIDROGENO Y UN HALOGENO A TRAVES DE UN REACTOR SOBRE EL MATERIAL DEL SUSTRATO . LOS GASES REACCIONANTES SE PUEDEN MEZCLAR PREVIAMENTE CON UN GAS INERTE CON EL FIN DE MANTENER LA COMPOSICION GLOBAL DE LA MEZCLA DE GASES A UN BAJO PORCENTAJE EN VOLUMEN DE CARBONO Y A UN ALTO PORCENTAJE DE HIDROGENO. NO SE REQUIERE UN TRATAMIENTO PREVIO DE LOS GASES REACCIONANTES HASTA UN ESTADO DE ALTA ENERGIA COMO ES EL CASO EN LA MAYORIA DE LOS PROCEDIMIENTOS DE LA TECNICA ANTERIOR PARA LA DEPOSICION QUIMICA EN VAPOR DE DIAMANTE. DADO QUE EL TRATAMIENTO PREVIO NO SE REQUIERE, EL PROCEDIMIENTO SE PUEDE APLICAR A SUSTRATOS DE VIRTUALMENTE CUALQUIER TAMAÑO, FORMA O CONFIGURACION DESEADOS.
METODO Y APARATO PARA CALENTAR Y/O REVESTIR ARTICULOS.
(01/07/1969). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Resumen no disponible.
