CIP-2021 : H01L 21/027 : Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior,
no prevista en el grupo H01L 21/18 o H01L 21/34.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/027 · · Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 o H01L 21/34.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento para la fabricación de resonadores esferoidales sobre un substrato monocristalino.
(18/12/2017). Solicitante/s: UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA. Inventor/es: ALCUBILLA GONZALEZ,RAMON, GARÍN ESCRIVÁ,Moisés, SOLA GARCIA,Maria Magdalena.
Procedimiento para la fabricación de resonadores esferoidales sobre un substrato monocristalino.
El procedimiento comprende realizar, mediante la utilización de al menos una técnica litográfica y de grabado, una matriz de pilares sobre la superficie de un substrato monocristalino ; y reorganizar en fase sólida, dicha matriz de pilares por difusión superficial mediante un proceso de recocido a alta temperatura, igual o por encima de 1000ºC, proporcionando un número predeterminado de esferoides , en correspondencia al número de pilares , que están unidos al substrato monocristalino por un cuello.
PDF original: ES-2646942_A2.pdf
PDF original: ES-2646942_R1.pdf
Método para fabricar una plancha de impresión litográfica fotosensible positiva.
(26/05/2015) Método para fabricar un material de plancha de impresión litográfico fotosensible positivo, comprendiendo dicho método los pasos de
- granular un soporte de aluminio mediante pulido con cepillo o grabado electrolítico en una solución de ácido clorhídrico o ácido nítrico,
- anodizar el soporte de aluminio granulado en un disolvente de ácido sulfúrico,
- recubrir la superficie del soporte con una solución de una composición fotosensible positiva en un disolvente, y
- secar,
en el que la solubilidad en un revelador alcalino de dicha composición, durante una exposición por barrido a la luz en el intervalo de longitud de onda de 650 a 1.300 nm, aumenta en la área expuesta, lo que permite formar una imagen mediante un revelador alcalino,
en el que la composición contiene como componentes esenciales inductores de dicho…
Soluciones de tensioactivos diol acetilénicos y procedimientos de su uso de las mismas.
(28/01/2015) Un procedimiento para mejorar la humectabilidad de un substrato, comprendiendo el procedimiento:
la puesta en contacto del substrato con una solución acuosa que comprende de 10 ppm a 10.000 ppm de al menos un tensioactivo que tiene la fórmula (I) o (II):**fórmula**
en las que R1 y R4 son una cadena alquilo recta o ramificada que tiene desde 3 hasta 10 átomos de carbono;
R2 y R3 son o bien H o bien una cadena alquilo que tiene desde 1 hasta 5 átomos de carbono; y m, n, p, y q son números que varían desde 0 hasta 20;
recubrimiento del substrato con un recubrimiento protector para proporcionar un substrato recubierto con protector;
exposición de al menos una porción del substrato…
Aductos de óxido de etileno/óxido de propileno de diol acetilénico y su uso.
(14/08/2013) Un aducto de óxido de etileno/óxido de propileno de diol acetilénico de estructura A o B **Fórmula**
en donde en la estructura A r y t son 1 o 2, (n + m) es de 1 a 30 y (p + q) es de 1 a 10, las unidades de óxido de etileno y óxido de propileno están distribuidas a lo largo de la cadena de óxido de alquileno en bloques,
en donde en la estructura B, R es hidrógeno o metilo y (n + m) ≥ 2-60 siempre que el compuesto contenga al menos una unidad de óxido de etileno y al menos una unidad de óxido de propileno; y r y t son 1 o 2 y las unidades de óxido de etileno y óxido de propileno están distribuidas aleatoriamente o en bloques a lo largo de la cadena de óxido…
COMPOSICIÓN DE RESINA FOTOSENSIBLE.
(01/03/2012) Una composición fotosensible que comprende,
(A) un oligómero o polímero que contiene al menos un grupo de ácido carboxílico en la molécula y tiene un peso molecular de 200000 o menos;
(B) al menos un compuesto fotoiniciador de fórmula I
R1 es alquiloC1-C12 lineal o ramificado;
R2 es alquilo C1-C4 lineal o ramificado;
R3 y R4 independientemente uno de otro son alquilo C1-C8 lineal o ramificado; y
(C) un compuesto monomérico, oligomérico o polimérico que tiene al menos un doble enlace olefínico.
PROCEDIMIENTO PARA LA RETIRADA EN UNA SOLA OPERACION DE UN ELEMENTO RESISTENTE Y UNA CAPA PROTECTORA DE PARED LATERAL.
(01/05/2004) La invención se refiere a un procedimiento para eliminar conjuntamente el material aislante innecesario y la película protectora de las paredes laterales después del ataque químico en un proceso con protección de paredes laterales, haciendo posible simplificar el proceso para la preparación de semiconductores, etc. El procedimiento, de acuerdo con la presente invención, comprende eliminar el material aislante innecesario que queda después del ataque en un procedimiento de protección de paredes laterales con una marca aislante presente en el sustrato semiconductor como una máscara, y una película protectora de las paredes laterales depositada en las paredes laterales de la marca, dicho procedimiento comprende los pasos de aplicar una hoja adhesiva sensible a la presión…
LITOGRAFIA POR ELECTRONES CON UTILIZACION DE UN FOTOCATODO.
(16/08/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: BRANDES, GEORGE RAYMOND, PLATZMAN, PHILIP MOSS.
LA DELINEACION DE DISEÑOS SUB-MICROMETRICOS, IMPORTANTES EN LA FABRICACION A GRAN ESCALA DE DISPOSITIVOS INTEGRADOS, ESTA BASADA EN UN FOTOCATODO ESTAMPADO . FUNCIONALMENTE, EN LOS SISTEMAS QUE NOS COMPETEN, EL FOTOCATODO JUEGA EL PAPEL DE MASCARA, BIEN EN IMPRESION POR PROXIMIDAD O EN PROYECCION. EN OPERACION, EL FOTOCATODO SE ILUMINA CON RADIACION ULTRAVIOLETA PARA LIBERAR ELECTRONES QUE SE LLEVAN AL FOCO SOBRE UN DISCO REVESTIDO DE RESISTENCIA CON LA ASISTENCIA DE UN CAMPO MAGNETICO UNIFORME (B) JUNTO CON UN VOLTAJE DE ACELERACION (E) APLICADO.
PROCESO DE LITOGRABADO SOBRE SUSTRATO SEMICONDUCTOR, EN PARTICULAR PARA EL TRATAMIENTO LOCALIZADO EN UN SALIENTE.
(16/09/1998). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: POINGT, FRANCIS, LIEVIN, JEAN-LOUIS, GAUMONT-GOARIN, ELISABETH.
PROCESO DE TRATAMIENTO LOCALIZADO EN UN SALIENTE, EN PARTICULAR DE LITOGRABADO SOBRE SUSTRATO SEMICONDUCTOR. SEGUN ESTE PROCESO SE LLEVA UNA RESINA DE PROTECCION UTILIZADA PARA EL LITOGRABADO A FLUIR BAJO EL EFECTO DE SU TENSION SUPERFICIAL PARA AUMENTAR SU ESPESOR ALREDEDOR DE UN SALIENTE SOBRE LA QUE SE DEBE FORMAR UNA VENTANA . LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE LOS LASERES SEMICONDUCTORES.
PROCESO DE FORMACION DE UN CONTACTO METALICO SOBRE UN RELIEVE DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR, QUE INCLUYE UNA ETAPA DE FLUENCIA DE UNA CAPA DE RESINA FOTOSENSIBLE.
(01/10/1997). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Inventor/es: POINGT, FRANCIS, GAUMONT-GOARIN, ELISABETH, LE GOUEZIGOU, LIONEL.
SE FORMA UN CONTACTO METALICO POR GRABADO DE UNA PELICULA METALICA PROTEGIDA LOCALMENTE POR UN CONTACTO DE RESINA FOTOSENSIBLE . LUEGO SE HACE FLUIR ESTA RESINA EN PRESENCIA DE VAPORES DE UN DISOLVENTE DE ESTA, PARA FORMAR UN CONTACTO DE PROTECCION DE EXTENSION AUMENTADA . ESTE ULTIMO CONTACTO PERMITE REALIZAR UN GRABADO DEL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR CON AUTONIVELACION DEL RELIEVE ASI FORMADO EN RELACION AL CONTACTO METALICO. LA RESINA PERMANECE FOTOSENSIBLE PARA PERMITIR UN GRABADO POSTERIOR. LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE FOTODIODOS EN ALUD.
METODO PARA FABRICAR UN ARTICULO QUE CONSTA DE UNA RANURA DOBLE, Y ARTICULO PRODUCIDO POR EL METODO.
(01/11/1993). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: BLONDER, GREG E.
RANURAS DOBLES (U OTRO TIPO CARACTERISTICA EN FORMA DE RANURA) CON TRANSICION CONTROLADA ENTRE LA PARTE ESTRECHA Y LA PARTE ANCHA DE LA RANURA, PUEDEN FORMARSE EN UNA SUPERFICIE SEMICONDUCTORA, EN EL EJEMPLO UNA SUPERFICIE DE SILICIO , MEDIANTE UN METODO QUE CONSISTE EN CONFIGURAR UNA PRIMERA CAPA DE ENMASCARAMIENTO, COMO LA ABERTURA RESULTANTE EN LA CAPA DE ENMASCARAMIENTO, SOMETIENDO A LA PARTE ANCHA DE LA ABERTURA A UN ATAQUE QUIMICO INICIAL, RETIRANDO LA SEGUNDA CAPA DE ENMASCARAMIENTO DE LA PARTE ESTRECHA DE LA ABERTURA, Y SOMETIENDO A LA ABERTURA A OTRO ATAQUE QUIMICO DE FORMA QUE TANTO LA PARTE ANCHA COMO LA ESTRECHA DE LA RANURA DOBLE SEAN COMPLETADAS. EL METODO DEL INVENTO ES UTILIZADO VENTAJOSAMENTE PARA PRODUCIR RANURAS QUE PERMITEN LA FIJACION DE UNA FIBRA OPTICA RECUBIERTO POR UN SUBSTRATO DE SILICIO.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE TRANSISTORES CON EFECTO DE CAMPO POR BARRERA SCHOTKY METAL-SEMICONDUCTOR (MESFET).
(01/12/1987). Solicitante/s: TELETRA - TELEFONIA ELETTRONICA E RADIO S.P.A.
MODIFICACIONES EN EL PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE TRANSISTORES CON EFECTO DE CAMPO POR BARRERA SCHOTTKY METAL-SEMICONDUCTOR MESFET. CONSISTENTES EN: DISPONER SOBRE EL SUSTRATO LA ZONA ACTIVA Y SE REALIZAN SOBRE ESTA LOS CONTACTOS DE FUENTE Y SALIDA; EFECTUAR UNA FOTO-PANTALLA PARA LA DEFINICION DEL ELECTRO DE PUERTA Y DEL CORRESPONDIENTE PUNTO DE CONEXION; EVAPORAR UNA PORCION MAYORITARIA DE LA METALIZACION (TI-PD-AU) ENTRE FUENTE Y SALIDA Y SE EFECTUA LA INTENSIFICACION ELECTROLITICA, HASTA EL ESPESOR REQUERIDO; EFECTUAR UNA SEGUNDA FOTO-PANTALLA PARA LA DEFINICION DE LA CONEXION EN PUENTE O COBERTURA AL AIRE EN LA PUERTA SOBRE EL SEGMENTO CENTRAL DE FUENTE; REALIZAR EL GRABADO DE LA METALIZACION TOTAL EN LA ZONA QUE SE ENCUENTRA POR ENCIMA DE LA SALIDA PARA DEJAR LA LINEA DE SOLDADURA EN LA ZONA LIBRE Y LA REMOCION SIMULTANEA DE LA FOTORRESISTENCIA CON REALIZACION DE LA CONEXION DE PUERTA EN PUENTE AL AIRE SOBRE LA FUENTE.
TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO POR BARRERA SCHOTTKY METAL-SEMICONDUCTOR (MESFET).
(16/11/1987). Solicitante/s: TELETTRA - TELEFONIA ELETTRONICA E RADIO S.P.A..
TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO POR BARRERA SCHOTTKY METAL-SEMICONDUCTOR. CONSTA DE UN SOPORTE; DE UN ELECTRODO DE PUERTA, AL QUE SE APLICA LA SEÑAL DE ENTRADA; UN ELECTRODO DE DRAIN PARA LA TOMA DE LA SEÑAL DE SALIDA AMPLIADA; Y DE UN ELECTRODO DE SOURCE. EL ELECTRODO DE PUERTA (G) ES UN CUERPO UNICO EN FORMA DE LAMINA CONTINUA QUE CUBRE AL AIRE UNA PORCION DEL ELECTRODO DE FUENTE Y SE SUELDA AL SOPORTE DE UNA PARTE DE DICHA PORCION EN UN PUNTO, Y EN LA OTRA PARTE DE LA PORCION DE FUENTE A LO LARGO DE UNA LINEA CORRESPONDIENTE A TODA LA EXTENSION LONGITUDINAL DE LA LAMINA, QUE TIENEUNA SUPERFICIE TAL QUE LA RESISTENCIA DEL ELECTRODO DE PUERTA RESULTA DESPRECIABLE. DE APLICACION EN EL CAMPO DE MICROONDAS.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE UNA SOLA PIEZA.
(16/11/1977). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Resumen no disponible.