CIP-2021 : H01L 21/44 : Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
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CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos.
(04/12/2019) Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas superpuestas a un sustrato , en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas y el contacto eléctrico están dispuestos entre las regiones (22a, 22b) de campo, en donde las regiones (22a, 22b) de campo están compuestas de silicio, germanio, silicio/germanio, carburo de silicio o arseniuro de galio, y en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas residen en una cámara sellada, comprendiendo el método:
proporcionar un sustrato con una primera capa de sacrificio, un contacto eléctrico y estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, en donde el contacto eléctrico y las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas están dispuestas entre…
Procedimiento para mejorar la galvanización en sustratos no conductores.
(07/08/2019). Solicitante/s: MacDermid Acumen, Inc. Inventor/es: HAMILTON, ROBERT, LONG,ERNEST, KROL,ANDREW M.
Un procedimiento para tratar un sustrato no conductor que tiene un compuesto que contiene metal dispuesto en él, comprendiendo el procedimiento las etapas de:
a) tratar el sustrato no conductor con una composición acuosa que comprende:
i) un compuesto orgánico de función tiol; y
ii) preferentemente, un tensioactivo;
b) porciones de activación selectiva con láser de una superficie del sustrato no conductor de modo que las porciones se activen para aceptar la galvanización sobre el mismo;
c) poner en contacto el sustrato con un baño de galvanización no electrolítica, de modo que las áreas del sustrato que entraron en contacto con el láser, se galvanizan, pero las áreas que no entraron en contacto con el láser no se galvanizan.
PDF original: ES-2742198_T3.pdf
Tratamiento superficial de silicio.
(12/03/2019) Un método de formación de un patrón de conductor sobre un sustrato semiconductor de silicio que tiene una capa anti-reflectante de nitruro de silicio sobre el mismo, comprendiendo el método las etapas de:
(a) modificar la energía superficial de la capa anti-reflectante por medio de contacto de la capa anti-reflectante con una composición que comprende un tensioactivo que contiene flúor, donde el tensioactivo que contiene flúor está seleccionado entre el grupo que consiste en ácido perfluoroalquil sulfónico y sales del mismo, fosfatos de perfluoroalquilo, aminas de perfluoroalquilo, óxidos de perfluoroalquilo y sulfonatos de perfluoroalquilo;
…
Método para aplicar revestimientos compuestos para la reducción de microfilamentos.
(20/02/2019) Un método para aplicar un revestimiento compuesto sobre una superficie metálica de un componente eléctrico, comprendiendo el método:
poner en contacto la superficie metálica con una composición de metalización electrolítica que comprende (a) una fuente de iones de estaño, y (b) una dispersión premezclada de partículas de fluoropolímero que tienen un tamaño medio aritmético de partícula entre 10 y 500 nanómetros, y una distribución del tamaño de partícula en la que al menos un 30 % en volumen de las partículas tiene un tamaño de partícula de menos de 100 nm, en el que las partículas de fluoropolímero tienen un revestimiento de premezcla de moléculas de tensioactivo sobre las mismas;
en el que la dispersión de premezcla comprende dichas partículas…
PROCEDIMIENTO Y APARATO DE DIAGNÓSTICO PARA CARACTERIZACIÓN DE UN HAZ NEUTRO Y PARA CONTROL DE PROCESO CON EL MISMO.
(31/08/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: Exogenesis Corporation. Inventor/es: KIRKPATRICK,SEAN R, KIRKPATRICK,ALLEN R.
Un aparato sensor para caracterizar un haz , que comprende:
un recinto alrededor de una zona central y que tiene una abertura construida para admitir un haz procedente de una cámara a presión reducida dentro de la zona central para caracterización;
un área de percusión de haz dispuesta dentro de la zona central para recibir el haz y absorber energía del haz , dicha área de percusión al menos parcialmente aislada térmicamente de dicho recinto ;
un sensor de temperatura para medir un cambio de temperatura inducido en el área de percusión por el haz recibido ;
un primer sensor de presión en comunicación fluida con la zona central para medir un cambio de presión dentro del recinto causado por el haz admitido a través de la abertura ; y
un sistema de procesamiento para procesar el cambio de temperatura medido y el cambio de presión medido para determinar características del haz.
PDF original: ES-2596375_T3.pdf
FAGOS VIRULENTOS PARA CONTROLAR LA LISTERIA MONOCYTOGENES EN PRODUCTOS ALIMENTARIOS Y EN PLANTAS DE PROCESAMIENTO DE ALIMENTOS.
(16/06/2007). Solicitante/s: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC.. Inventor/es: MARCHBANKS, ERIC, L., PETERSON, CURT, E., DEMINT, TODD, A., KINNUNEN, ARI, P., BENNICK, KENNETH, T., VAN CONETT, THOMAS, E., HUS, MICHAEL, E.
Método para controlar la contaminación por Listeria en un producto de alimentario, en el equipamiento de procesamiento de alimentos, o en los contenedores de almacenamiento de alimentos, que comprende aplicar fago P100 lítico, número de designación de depósito de patentes en la ATCC PTA-4393, a a un producto alimentario o o equipamiento de procesamiento de alimentos en una cantidad suficiente para reducir la cantidad de Listeria.
DISPOSITIVO DE PUENTE SEMICONDUCTOR Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
(16/11/2002) UN DISPOSITIVO, POR EJEMPLO, UN DISPOSITIVO DE CEBADO DE UN EXPLOSIVO INCLUYE UN DISPOSITIVO DE PUENTE SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UNAS PLACAS SEMICONDUCTORAS (14A, 14B), SEPARADAS POR UN PUENTE INICIADOR (14C) Y QUE TIENE SUPERFICIES METALIZADAS (16A, 16B) DISPUESTAS SOBRE LAS PLACAS (14A, 14B). CADA UNA DE LAS SUPERFICIES METALIZADAS (16A, 16B) COMPRENDE UNA CAPA BASE DE TITANIO , UNA CAPA INTERMEDIA DE TITANIO - VOLFRAMIO Y UNA CAPA SUPERIOR DE VOLFRAMIO . ESTA CONSTRUCCION DE CAPAS MULTIPLES ES DE SIMPLE APLICACION, PROPORCIONA UNA BUENA ADHERENCIA AL SEMICONDUCTOR Y MEJORES CARACTERISTICAS AL PUENTE SEMICONDUCTOR, EVITANDO LOS PROBLEMAS DE ELECTROMIGRACION QUE SE PRODUCEN CON EL USO DE SUPERFICIES METALIZADAS DE ALUMINIO EN SEVERAS CONDICIONES DE ENSAYOS…
