DISPOSITIVO DE PUENTE SEMICONDUCTOR Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
UN DISPOSITIVO, POR EJEMPLO, UN DISPOSITIVO DE CEBADO DE UN EXPLOSIVO (24) INCLUYE UN DISPOSITIVO DE PUENTE SEMICONDUCTOR (10) QUE COMPRENDE UNAS PLACAS SEMICONDUCTORAS (14A,
14B), SEPARADAS POR UN PUENTE INICIADOR (14C) Y QUE TIENE SUPERFICIES METALIZADAS (16A, 16B) DISPUESTAS SOBRE LAS PLACAS (14A, 14B). CADA UNA DE LAS SUPERFICIES METALIZADAS (16A, 16B) COMPRENDE UNA CAPA BASE DE TITANIO (18), UNA CAPA INTERMEDIA DE TITANIO - VOLFRAMIO (20) Y UNA CAPA SUPERIOR DE VOLFRAMIO (22). ESTA CONSTRUCCION DE CAPAS MULTIPLES ES DE SIMPLE APLICACION, PROPORCIONA UNA BUENA ADHERENCIA AL SEMICONDUCTOR (14) Y MEJORES CARACTERISTICAS AL PUENTE SEMICONDUCTOR, EVITANDO LOS PROBLEMAS DE ELECTROMIGRACION QUE SE PRODUCEN CON EL USO DE SUPERFICIES METALIZADAS DE ALUMINIO EN SEVERAS CONDICIONES DE ENSAYOS SIN FUEGO Y NIVELES MUY BAJOS DE CORRIENTE O TENSION DE DISPARO. EL SEMICONDUCTOR (14) PUEDE IR CUBIERTO OPCIONALMENTE POR UNA CAPA O CUBIERTA (117) DE UNA CAPA DE METAL ESTRATIFICADA SIMILAR O IDENTICA A LAS SUPERFICIES METALIZADAS (16A, 16B). UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS DE PUENTE DE SEMICONDUCTOR INCLUYE LA PULVERIZACION METALICA DE TITANIO, A CONTINUACION DE TITANIO MAS VOLFRAMIO Y POR ULTIMO DE VOLFRAMIO SOBRE LA SUPERFICIE ADECUADAMENTE ENMASCARADA DEL SEMICONDUCTOR, A FIN DE ALCANZAR LAS SUPERFICIES METALIZADAS DE CAPAS MULTIPLES (16A, 16B) Y/O LA TAPA (117) DE LA INVENCION.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SCB TECHNOLOGIES, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1009 BRADBURY DRIVE S.E.,ALBUQUERQUE, NM 87106.
Inventor/es: MARTINEZ-TOVAR, BERNARDO, MONTOYA, JOHN, A.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 2 de Mayo de 1997.
Fecha Concesión Europea: 10 de Abril de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- F42B3/13 MECANICA; ILUMINACION; CALEFACCION; ARMAMENTO; VOLADURA. › F42 MUNICIONES; VOLADURA. › F42B CARGAS EXPLOSIVAS, p. ej. PARA VOLADURA; FUEGOS ARTIFICIALES; MUNICIONES (composiciones explosivas C06B; espoletas para municiones F42C; voladura F42D). › F42B 3/00 Cartuchos de voladura, es decir, envolturas con explosivo (mechas, cordeles detonantes C06C 5/00; aspectos químicos de los detonadores, de las cápsulas de voladura o de los cebos C06C 7/00). › de puente semiconductor.
- F42B3/198 F42B 3/00 […] › de cabezas para iniciadores eléctricos.
- F42C19/12 F42 […] › F42C ESPOLETAS PARA MUNICIONES (iniciadores para cartuchos de voladura F42B 3/10; aspectos químicos C06C ); SUS DISPOSITIVOS DE ARMADO O DE SEGURIDAD (carga de espoletas F42B 33/02; Montaje o extracción de cartuchos de las espoletas o de las cargas F42B 33/04; contenedores para espoletas F42B 39/30). › F42C 19/00 Partes constitutivas de las espoletas (medios de armado, medios de seguridad para prevenir la detonación prematura F42C 15/00). › eléctricas.
- H01L21/44 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Mónaco, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes.
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