Procedimiento y dispositivo de mecanización basada en láser de sustratos cristalinos planos, especialmente sustratos semiconductores.
(04/12/2019) Procedimiento de mecanización basada en láser de un sustrato cristalino plano para dividir el sustrato en varias partes,
en el que se dirige el rayo láser (2a, 2f) de un láser hacia el sustrato para mecanizar hacia este último,
en el que con una disposición óptica posicionada en el trayecto del rayo del láser se conforma a partir del rayo láser (2a) proyectado hacia esta última, en el lado de salida del rayo de la disposición óptica , una superficie focal (2f) del rayo láser extendida tanto visto a lo largo de la dirección (z) del rayo como visto en exactamente una primera dirección (y) perpendicular a la dirección (z) del rayo, pero no extendida en una segunda dirección (x) que es perpendicular tanto a la primera dirección (y) como a la segunda dirección (z),
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Dispositivo de transferencia de calor para la producción de uniones soldadas de componentes eléctricos.
(01/03/2019) Dispositivo de transferencia de calor para el acoplamiento térmico de un componente que va a soldarse con una fuente de calor y/o un disipador térmico en un dispositivo de soldadura , en particular en un dispositivo de soldadura al vacío, con una fuente de calor y/o un disipador térmico y con al menos una placa base , la cual está en contacto térmicamente conductor al menos con la fuente de calor y/o el disipador térmico ,
presentando la placa base al menos dos, en particular varias, unidades de contacto que presentan una respectiva superficie de contacto , pudiendo contactarse térmicamente las superficies de contacto…
Aleación de soldadura sin plomo basada en Sn-Cu-Al-Ti.
(28/02/2019). Solicitante/s: SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.. Inventor/es: OHNISHI, TSUKASA, YOSHIKAWA,SHUNSAKU, ISHIBASHI,SEIKO, FUJIMAKI,REI.
Una aleación de soldadura sin plomo que tiene una composición de aleación que consiste en: del 0,6 al 0,9% en peso de Cu, del 0,02 al 0,07% en peso de Al, del 0,02 al 0,1% en peso de Ti, opcionalmente del 0,01 al 0,05% en peso de Co y un resto de Sn.
PDF original: ES-2702240_T3.pdf
Método de división de sustrato.
(26/07/2017) Un método de división de sustrato que comprende las etapas de:
irradiar un sustrato semiconductor , teniendo el sustrato semiconductor una cara frontal sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz láser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor para formar una región procesada fundida debido a absorción multifotón solamente dentro del sustrato semiconductor , formando la región procesada fundida una región de punto de partida para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor , una distancia predeterminada…
Aleación de soldadura sin plomo de alta temperatura.
(09/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.. Inventor/es: UESHIMA,MINORU, FUJIMAKI,REI.
Una aleación de soldadura sin plomo de alta temperatura que tiene una composición de aleación que consiste en:
35 a 40 % en peso de Sb, 8 a 25 % en peso de Ag, 5 a 10 % en peso de Cu así como al menos un elemento seleccionado del grupo que consistente en 0,003 a 1,0 % en peso de Al, 0,01 a 0,2 % en peso de Fe y 0,005 a 0,4 % en peso de Ti, opcionalmente al menos un elemento seleccionado del grupo que consiste en P, Ge y Ga en una cantidad total de 0,002 a 0,1 % en peso, opcionalmente al menos un elemento seleccionado del grupo que consiste en Ni, Co y Mn en una cantidad total de 0,01 a 0,5 % en peso, opcionalmente al menos un elemento seleccionado del grupo que consiste en Zn y Bi en una cantidad total de 0,005 a 0,5 en peso, opcionalmente al menos un elemento seleccionado del grupo que consiste en Au, Ce, In, Mo, Nb, Pd, Pt, V, Ca, Mg y Zr en una cantidad total de 0,0005 a 1 % en peso, opcionalmente impurezas inevitables, y un resto de Sn.
PDF original: ES-2632605_T3.pdf
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar un sustrato semiconductor con luz láser mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, y se causa que la región modificada forme una parte destinada a ser cortada; y
expandir una lámina después de la etapa de formar la parte destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que está destinada a ser cortada, en el que la lámina está pegada al sustrato…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y
expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada
caracterizado…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(02/04/2014) Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato,
comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor,
causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende cortar el objeto,
en el que una película expansible es…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(01/01/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada;
generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lolargo de la parte…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de inicio de corte dentro del sustrato semiconductor dentro de la superficie de entrada de la luz láser a…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de:
pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ;
después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor con luz lásermientras se utiliza una cara frontal del sustrato semiconductor como una superficie de…
Método para dividir un sustrato.
(28/03/2012) Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de:
irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región modificada debido a la absorción multi-fotón dentro del sustrato , y causa que la región modificada forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato , en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ;
esmerilar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte, de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se…
Dispositivos de procesamiento con láser.
(21/03/2012) Aparato de procesamiento con láser para irradiar un objeto a procesar en forma de oblea con luz láser (L1) mientras se sitúa un punto de convergencia de la luz (P) en el interior del objeto para así formar una zona modificada , comprendiendo el aparato:
un expansor de haz para aumentar el tamaño de haz de la luz láser emitida desde una fuente de luz láser ;
una lente condensadora para converger la luz láser que incide sobre la misma por medio del expansor de haz hacia el objeto; y caracterizado por:
un elemento de sujeción de la lente que sujeta la lente condensadora y que incluye un primer orificio de transmisión de luz para hacer que la luz láser incida sobre la lente condensadora;
en el cual un elemento de diafragma , que tiene un segundo orificio de transmisión de luz para reducir y transmitir la luz láser,…
