CIP-2021 : H01L 29/739 : controlados por efecto de campo.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/739 · · · · · controlados por efecto de campo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación.
(03/06/2020) Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende:
- un sustrato semiconductor que tiene una región activa y una región de terminación;
- un canal de terminación ubicado en la región de terminación y que se extiende desde un límite de la región activa hacia un borde del sustrato semiconductor ;
- una puerta MOS formada en una pared lateral del canal de terminación adyacente a dicho límite ;
- una capa de óxido de estructura de terminación formada en el canal de terminación y que cubre parcialmente la puerta MOS ;
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Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación.
(07/05/2019) Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo:
una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas activas ;
una primera parte del área activa compuesta por celdas (K) conforme con los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados determinan las dimensiones físicas de cada celda (K) de la primera parte del área activa , y donde la primera parte constituye la parte central del área activa ;
una segunda parte del área activa compuesta por celdas (M) conforme con los segundos parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los segundos parámetros de diseño…
Unidad de grifo para un dosificador de bebida.
(14/03/2018) Una parte de dispensación de bebida para su uso con una unidad de cartucho que tiene un canal interior para la dispensación de una bebida, comprendiendo la unidad de cartucho una primera parte , que está fabricada con un material inflexible y, una segunda parte , que está fabricada con un material flexible, cuya parte de dispensación de bebida , además, se puede conectar a un recipiente en el cual la bebida está almacenada y que está adaptado para tener un extremo de la unidad de cartucho insertado en este para la dispensación de bebida, mediante el cual se puede dispensar bebida a partir del recipiente a través de la unidad de cartucho y comprendiendo además la parte de dispensación de bebida…
Dispositivo de transistor bipolar de compuerta aislada que comprende un transistor de efecto de campo de compuerta aislado conectado en serie con un transistor de efecto de campo de ensamblaje que tiene un contacto de drenaje modificado.
(13/12/2017) Un dispositivo transistor bipolar de puerta aislada en el que se conecta un primer transistor de efecto de campo de puerta aislada en serie con un segundo transistor de efecto de campo, FET, ,
en el que el segundo transistor de efecto de campo es un transistor de efecto de campo de unión JFET, y tiene una región de contacto de drenaje modificado que está comprendido puramente de una primera área de contacto de tipo conductividad, el primer tipo de conductividad es opuesto a un segundo tipo de conductividad de una bolsa que rodea la región de contacto de drenaje modificada,
en el que el transistor de efecto de campo de unión tiene una región (16A) de contacto de fuente…
ESTRUCTURA PARA AUMENTAR LA TENSION MAXIMA DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE CARBURO DE SILICIO.
(16/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: COOPER, JAMES, ALBERT, JR. TAN, JIAN. Inventor/es: COOPER, JAMES, ALBERT, JR., TAN, JIAN.
SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE POTENCIA DE COMPUERTA AISLADA DE CARBURO DE SILICIO QUE PRESENTA UNA TENSION MAXIMA MAYOR. EL TRANSISTOR INCLUYE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO O DE COMPUERTA AISLADA CON UNA REGION PROTECTORA ADYACENTE A LA COMPUERTA AISLADA QUE TIENE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA A LA DE LA FUENTE PARA PROTEGER EL MATERIAL AISLANTE DE LA COMPUERTA CONTRA EL EFECTO DE DEGRADACION O RUPTURA DE UNA GRAN TENSION APLICADA A TRAVES DEL DISPOSITIVO. EL DISPOSITIVO INCLUYE OPCIONALMENTE UNA CAPA INTENSIFICADORA DE LA CORRIENTE QUE TIENE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA A LA DE LA REGION PROTECTORA Y SE COLOCA ENTRE LA REGION PROTECTORA Y OTRA REGION DEL TRANSISTOR CON EL PRIMER TIPO CONDUCTIVIDAD.
FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: TOTEM SEMICONDUCTOR LTD. Inventor/es: EVANS, JONATHAN LESLIE.
UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR LOGICO O CELDA DE MEMORIA. SE FORMA UN FOSO EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR USANDO UNA MASCARA . EL FOSO ESTA PARCIALMENTE RELLENO CON UN MATERIAL DE ELECTRODO Y SE DOPAN LAS PAREDES DEL FOSO CON LA MASCARA TODAVIA PUESTA.
