CIP-2021 : H01L 29/41 : caracterizados por su forma, dimensiones relativas o disposición relativa.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 29/41 · · caracterizados por su forma, dimensiones relativas o disposición relativa.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Estructura de protección para el aislamiento de señal y procedimiento para su fabricación.

(01/05/2019) Un procedimiento de fabricación de una estructura de protección eléctrica para proporcionar el aislamiento de señal que comprende las etapas de: proporcionar un sustrato que tiene una superficie de montaje que comprende un primer área para alojar al menos un componente electrónico; e implementar la estructura de protección eléctrica, incluyendo la estructura de protección eléctrica uno o más proyecciones eléctricamente conductoras sobre el sustrato, la una o más proyecciones eléctricamente conductoras que se extienden en forma transversal a la superficie de montaje del sustrato; la una o más proyecciones eléctricamente conductoras incluyen una o más estructuras tipo pared; la una o más estructuras tipo pared son alargadas paralelas a la superficie de montaje; en el que: la una o más proyecciones eléctricamente…

APARATO OPTOELECTRONICO DE DIRECCIONAMIENTO MATRICIAL Y MEDIOS DE ELECTRODOS DEL MISMO.

(01/08/2005) Aparato optoelectrónico direccionable matricialmente que comprende un medio funcional en forma de material optoelectrónicamente activo dispuesto en una capa global emparedada entre un primer y un segundo medios de electrodos (EM1, EM2), cada uno con electrodos paralelos , en forma de cinta, en el que los electrodos del segundo medio de electrodos (EM2) están orientados en ángulo respecto de los otros electrodos del primer medio de electrodos (EM1), en el que los elementos funcionales están conformados en volúmenes del material activo definidos en las superposiciones respectivas entre los electrodos del primer medio de electrodos…

COMPONENTE SEMICONDUCTOR DESCONECTABLE DE ALTA TENSION.

(01/04/1998) EN UN COMPONENTE SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION DESCONECTABLE, EN PARTICULAR EN FORMA DE UN GTO, CON UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR EN FORMA DE DISCO, QUE ESTA DISPUESTO DE FORMA CONCENTRICA EN UNA CAJA AISLANTE DE MODO ANULAR ENTRE UN CONTACTO DE CATODO EN FORMA DE DISCO IMPULSABLE MEDIANTE PRESION Y UN CONTACTO DE ANODO EN FORMA DE DISCO EVENTUALMENTE IMPULSABLE CON PRESION, SE CONTACTA SOBRE LA CARA DEL CONTACTO DE CATODO A TRAVES DE UN CONTACTO GATE. EL CONTACTO DE CATODO ESTA UNIDO POR MEDIO DE UNA PRIMERA TAPA (11A) CON LO QUE UN EXTREMO DE LA CAJA AISLANTE Y EL CONTACTO DE ANODO A TRAVES DE UNA SEGUNDA TAPA (11B)…