CIP-2021 : H01L 31/0256 : caracterizados por los materiales.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/0256 · · caracterizados por los materiales.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Célula solar y método de fabricación de células solares.
(15/01/2020). Solicitante/s: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, WATABE,TAKENORI.
Una célula solar que comprende un sustrato de silicio dopado con galio que tiene una unión p-n formada en el mismo,
en el que el sustrato de silicio está provisto de una película de óxido térmico de silicio al menos sobre una primera superficie principal de superficies principales del sustrato de silicio, siendo la primera superficie principal una superficie principal que tiene una región de tipo p, y
el sustrato de silicio se dopa adicionalmente con boro,
en el que el sustrato de silicio tiene una concentración de boro de 5 × 1014 átomos/cm3 o más y 1 × 1016 átomos/cm3 o menos.
PDF original: ES-2780048_T3.pdf
MATERIALES ORGÁNICOS DE TRANSPORTE DE HUECOS QUE CONTIENEN UN LÍQUIDO IÓNICO.
(19/10/2017). Solicitante/s: ABENGOA RESEARCH, S.L. Inventor/es: AHMAD,Shahzada, KAZIM,Samrana, CALIÓ,Laura, SALADO MANZORRO,Manuel.
La presente invención se refiere a composiciones del transporte de huecos que contienen un material orgánico de transporte de carga y una sal que contiene un catión orgánico. Preferiblemente, la composición del transporte de huecos comprende un líquido iónico. El líquido iónico dopa eficazmente el material orgánico de transporte de huecos. En una realización particular, el líquido iónico 1-butil-1-metilpiridin-1-io bis (trifluorometilsulfonil)imida (BMP TFSI) se usó como un dopante o aditivo. La invención se refiere además a dispositivos optoelectrónicos y / o electroquímicos que contienen la composición del transporte de huecos, en particular, células solares basadas en perovskita.
SISTEMA DE GENERACIÓN ENERGÉTICA CON FUENTE DE GENERACIÓN BASADA EN PILA DE HIDRÓGENO.
(31/03/2016). Solicitante/s: ANTEQUERA RODRIGUEZ, Nicolás. Inventor/es: RUEDA ARÉVALO,Francisco Javier.
Sistema que comprende un elemento de captación y transformación de la luz exterior en electricidad basado en el empleo de grafeno dopado; una centralita de gestión eléctrica y a la que están conectados: una batería y un generador para proveer la corriente necesaria para una máquina de hidrólisis conectada al generador; un depósito de hidrógeno conectado a la máquina de hidrólisis; un depósito de oxígeno conectado con la máquina de hidrólisis,de utilización en sistemas basados en el espacio, pudiendo emitir al exterior mediante un escape; una celda de combustible o pila de hidrógeno conectada con los depósitos de hidrógeno y oxígeno y un depósito de agua conectada por un lado con la pila de hidrógeno de la que recibe el agua generada y por otro con la máquina de hidrólisis a la que suministra el agua. Se logra un sistema de generación autosuficiente o autónomo.
Método para obtener materia prima de silicio para células solares.
(01/01/2014) Un método para la producción de una materia prima de silicio, siendo la materia prima de silicio para laproducción de lingotes de silicio solidificados direccionalmente por el método de Czochalski, por zona de flotación omulti-cristalino, láminas de silicio delgadas o cintas para la producción de obleas de silicio para células solaresfotovoltaicas, caracterizado porque el silicio de grado metalúrgico producido en un horno de arco eléctrico medianteun horno de reducción carbotérmica y que contiene hasta 300 ppm (átomos) de boro y hasta 100 ppm (átomos) defósforo se somete a las siguientes etapas de refino:
a) tratamiento del silicio de grado metalúrgico con una escoria de calcio-silicato para reducir el contenido de boro delsilicio a entre 0,3 ppm (átomos) y 5,0 ppm (átomos);
b) solidificar el silicio tratado con escoria de la etapa a);
c)…
Celdas solares de bajo coste y métodos para su producción.
(10/09/2013) Una celda solar que comprende:
un sustrato 500; 600; 700; 800; 1000; 1100; 1200; 1300; 1300' que comprende un silicio grado metalúrgico dopado;una primera estructura de película delgada (505, 510; 605, 610; 705, 710; 805, 810; 1005, 1010; 1105, 1115; 1105',1115'; 1205', 1215'; 1305, 1315; 1305', 1310') formada sobre y en contacto con el lado superior del sustrato,una primera estructura de película delgada formada sobre y en contacto con el lado superior del sustrato, formandopor lo tanto una unión p-i-n con el sustrato;
un contacto conductor superior (520; 620; 780; 820; 1020, 1025; 1135, 1160; 1135', 1140; 1235, 1240; 1235', 1240';1320; 1320') formados por encima de la estructura de película delgada; conductora
un…
MÉTODO PARA DETERMINAR LAS PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS DE MATERIALES SÓLIDOS SUSCEPTIBLES DE ACTUAR COMO ABSORBENTES DE LUZ EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS.
(17/06/2013) Método para determinar las propiedades fotovoltaicas de materiales sólidos susceptibles de actuar como absorbentes de luz en dispositivos fotovoltaicos.
La presente invención está dirigida a un método para determinar mediante una reacción fotocatalítica las propiedades fotovoltaicas de materiales sólidos susceptibles de actuar como absorbentes de luz en dispositivos fotovoltaicos, que comprende al menos las siguientes etapas: poner en contacto el material con un fluido que contiene al menos una especie química susceptible de reaccionar por transferencia electrónica con dicho material; irradiar el material mientras está en contacto con el fluido al menos una vez con un haz de luz que se compone de al menos una longitud de onda dentro del espectro solar; y determinar mediante análisis químico y/o espectroscópico del fluido…
PLATAFORMA OPTOELECTRÓNICA CON CONDUCTOR A BASE DE CARBONO Y PUNTOS CUÁNTICOS Y FOTOTRANSISTOR QUE COMPRENDE UNA PLATAFORMA DE ESTE TIPO.
(09/10/2012) Plataforma optoelectrónica con conductor a base de carbono y puntos cuánticos y fototransistor que comprende una plataforma de este tipo.
La invención comprende una plataforma optoelectrónica con una capa de conducción a base de carbono y una capa de puntos cuánticos coloidales encima como material absorbente de luz. Es posible una ganancia fotoconductora del orden de 106, mientras que se mantiene una baja tensión de funcionamiento. La plataforma puede usarse como fototransistor.
Método de fabricación de dispositivos semiconductores sobre un sustrato del grupo IV con propiedades de superficie de contacto y colas de difusión controladas.
(27/06/2012) Dispositivo semiconductor que comprende:
una capa de germanio de tipo p ;
una capa de nucleación sobre la capa de germanio de tipo p , incluyendo la capa de nucleación un compuesto binario de los grupos III-V seleccionado del grupo que consiste en AlAs, AlSb, AlN, BAs, BSb, GaN, GaSb, InN, y InAs; y una primera capa de compuesto de los grupos III-V sobre la capa de nucleación, incluyendo la primera capa de compuesto de los grupos III-V al menos uno de GaInP, AlInP, y AlGaInP;
en el que la capa de germanio de tipo p incluye átomos de fósforo que han sido difundidos desde la primera capa de compuesto de los grupos III-V , siendo la concentración de los átomos de fósforo en la capa de germanio de tipo p una función del grosor de la capa de nucleación ;
y en el…
RADICALES ORGÁNICOS COMO COMPONENTES SEMICONDUCTORES.
(25/05/2012) Radicales orgánicos como componentes semiconductores.
La presente invención se refiere al uso de radicales orgánicos, que se sintetizan a partir de derivados del carbazol y otros poliheterociclos con el radical libre estable tris(2,4,6-triclorofenil)metilo (TTM), como semiconductores.
TIO2 NANOCRISTALINO DOPADO CON NITROGENO PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS.
(08/11/2011) TiO2 nanocristallno dopado con nitrógeno para aplicaciones fotovaltaicas.La presente invención describe un procedimiento de obtención de un TiO2 nanocristalino dopado con nitrógeno mediante la técnica de láser pulsado, que confiere a dicho nanocristalino unas propiedades que lo hacen idóneo para utilizar en dispositivos fotovoltaicos, especialmente en células solares, ya sean éstas de tipo Gratzel, híbridas u orgánicas
MATERIALES DE SILICIO DE BANDA INTERMEDIA.
(22/09/2010) Material de silicio de banda intermedia que comprende una variedad de silicio, tal como las de tipo clatrato, amorfo o nanoestructurado, cuyo ancho de banda prohibida, también llamado bandgap, está aumentado hasta alcanzar un valor en el rango entre 1.7 y 2.5 eV, y en el que la banda intermedia se forma mediante la inclusión intersticial o sustitucional, en dicha variedad de silicio, de elementos de transición ligeros, seleccionados de los grupos 4-11 de la tabla periódica, que aportan bandas electrónicas parcialmente ocupadas situadas dentro del bandgap de manera que se forma en dicha variedad de silicio una banda intermedia, constituyendo así un material para ser utilizado como absorbente de luz en dispositivos de conversión fotovoltaica, como absorbente de luz en sistemas fotocatalíticos o…