CIP-2021 : H01L 23/14 : caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L 23/14 · · caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Recubrimiento no metálico y método de su producción.
(16/08/2017) Un método de formación de un recubrimiento no metálico sobre una superficie de un sustrato metálico o semimetálico que comprende las etapas de:
colocar el sustrato en una cámara electrolítica que contiene un electrolito acuoso, siendo el electrolito acuoso una solución alcalina, y un electrodo, estando al menos la superficie del sustrato y una parte del electrodo en contacto con el electrolito acuoso; y
polarizar eléctricamente el sustrato con respecto al electrodo aplicando una secuencia de impulsos de tensión de polaridad alterna durante un período de tiempo predeterminado, polarizando los impulsos de tensión positiva anódicamente el sustrato con respecto al electrodo, y polarizando los impulsos…
MODULO ELECTRONICO Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE TAL MODULO.
(01/03/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: JOHNSON CONTROLS AUTOMOTIVE ELECTRONICS. Inventor/es: LE GOUIL, JEAN-YVES.
Módulo electrónico que comprende un substrato metálico una cara del cual está aislada y lleva unas pistas de unión eléctrica y comprendiendo al menos un componente de potencia fijado al substrato y teniendo unas patas de unión soldadas a las pistas, caracterizado porque el componente de potencia está fijado sobre la cara no aislada y colocado en una caja que constituye una pared interna de un circuito de fluido de enfriamiento o pegado a ella y cuyas patas atraviesan el substrato por unos agujeros de este último.
ENSAMBLAJES DE CHIP SEMICONDUCTOR, PROCEDIMIENTO DE FABRICACION Y COMPONENTES PARA LOS MISMOS.
(16/05/2002). Solicitante/s: TESSERA, INC. Inventor/es: KHANDROS, IGOR Y., DISTEFANO, THOMAS H.
CONJUNTOS DE CHIPS SEMICONDUCTORES QUE INCORPORAN ELEMENTOS LAMINARES FLEXIBLES QUE TIENEN TERMINALES POR ENCIMA DE LA CARA FRONTAL O POSTERIOR DEL CHIP PARA PROPORCIONAR UNA UNIDAD COMPACTA. LOS TERMINALES EN EL ELEMENTO LAMINAR SON DESPLAZABLES RESPECTO AL CHIP PARA COMPENSAR LA DILATACION TERMICA. UN ELEMENTO ELASTICO TAL COMO UNA CAPA ELASTICAMENTE DEFORMABLE INTERPUESTO ENTRE EL CHIP Y LOS TERMINALES PERMITE EL MOVIMIENTO INDEPENDIENTE DE LOS TERMINALES INDIVIDUALES HACIA EL ACOPLAMIENTO IMPULSOR DEL CHIP CON EL CONJUNTO DE LA SONDA DE PRUEBA PARA PERMITIR UN ACOPLAMIENTO FIABLE A PESAR DE LAS TOLERANCIAS.
PIEZA ESTRATIFICADA DE METAL Y CERAMICA.
(01/12/1997). Solicitante/s: CERAMTEC AG INNOVATIVE CERAMIC ENGINEERING. Inventor/es: MEIER, GERD, DO-THOI, THA, STINGL, PETER, DR.
LA INVENCION CONCIERNE A UNA PIEZA ESTRATIFICADA, EN FORMA DE UN ELEMENTO ESTRATIFICADO DE METAL/CERAMICA, QUE SE OBTIENE POR MEDIO DE LA SOLDADURA DE UNA PIEZA CERAMICA METALIZADA CON UNA CAPA INTERMEDIA DE COBRE PLATEADO Y UNA PIEZA METALICA. LA PIEZA ESTRATIFICADA PUEDE UTILIZARSE PREFERENTEMENTE EN LA ELECTRONICA DE ALTO RENDIMIENTO O COMO EMBOLOS PARA BOMBAS DE EMBOLOS AXIALES.
COMPONENTE ELECTRICO DE PELICULA FINA.
(16/05/1996) UN COMPONENTE ELECTRICO DE PELICULA FINA BIOCOMPATIBLE SE CONFIGURA PARA SU USO EN UN CUERPO HUMANO U OTRO AMBIENTE LIQUIDO IONICO. UN SUBSTRATO DE POLIIMIDO SE ENRROLLA A UNA PLATINA DE CRISTAL PORTADORA DE UN TAMAÑO ADECUADO PARA SER MANEJADA POR UN EQUIPO AUTOMATICO Y UN CONDUCTOR DE METAL MULTI-CAPA SE DEPOSITA SOBRE EL SUBSTRATO CON UNA DISPOSICION QUE DEFINE UN CIRCUITO ELECTRICO O BIOSENSOR. EL POLIIMIDO Y EL CRISTAL ESTABLECEN UNA UNION ENTRE AMBOS QUE SOPORTA SU MANEJO, INCLUSO CUANDO SE ROMPE USANDO TECNICAS Y AGENTES DE LIBERACION BIOCOMPATIBLES. EL SUBSTRATO DE POLIIMIDO Y LA PLATINA DE CRISTAL PORTADORA TIENEN PREFERIBLEMENTE PROPIEDADES DE EXPANSION TERMICA SIMILARES PARA REDUCIR EL PELIGRO DE FRACTURA O LOS PROBLEMAS DE LAMINACION DURANTE LA LIBERACION DEL SUBSTRATO DE LA PLATINA PORTADORA. UNA CAPA AISLANTE CUBRE EL CONDUCTOR…
ESTRUCTURA DE MONTAJE DE BASE DE SILICIO, PARA DISPOSITIVOS OPTICOS SEMICONDUCTORES.
(01/12/1994) SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA DE MONTAJE LASER BASADO EN SILICIO, QUE PROPORCIONA INTERCONEXION PERFECCIONADA ENTRE UN DISPOSITIVO OPTICO SEMICONDUCTOR, TAL COMO UN LASER, Y UNA FUENTE DE CORRIENTE EXTERNA DE MODULACION DE ALTA FRECUENCIA, MEDIANTE LA DISMINUCION DE LA PRESENCIA DE ELEMENTOS INDUCTORES PARASITOS EN LA RED DE INTERCONEXION. LA ESTRUCTURA INCLUYE UNA LINEA DE TRANSMISION DE ESTRIAS, FORMADA MEDIANTE LA DEPOSICION DE TIRAS METALICAS CONDUCTIVAS SOBRE LAS SUPERFICIES SUPERIOR E INFERIOR DE UN SUBSTRATO DE SILICIO. LAS TIRAS CONDUCTIVAS SE ACOPLAN EN UN EXTREMO A LA FUENTE EXTERNA DE CORRIENTE DE MODULACION. UNA RESISTENCIA DE PELICULA FINA SE DEPOSITA ENTRE EL SEGUNDO EXTREMO DE LA TIRA CONDUCTIVA SUPERIOR Y EL DISPOSITIVO OPTICO SEMICONDUCTOR. ESTA RESISTENCIA…
CIRCUITOS PELICULARES HIBRIDOS CON COMPONENTES ACTIVOS DESNUDOS Y PROCESO PARA SU ENSAMBLAJE Y HERMETIZACION.
(16/10/1993). Solicitante/s: ALCATEL ITALIA SOCIETA PER AZIONI. Inventor/es: VILLA, SAMUEL.
EL PRESENTE INVENTO SE REFIERE A UNOS CIRCUITOS PELICULARES HIBRIDOS QUE TIENEN EN UNA PRIMERA CARA LA RED ELECTRONICA PASIVA Y FIJADA A LA OTRA CARA EL COMPONENTES ACTIVOS CONSTITUIDOS POR "CHIPS DESNUDOS" CONECTADOS A LA RED SOBRE LA PRIMERA CARA MEDIANTE UNOS ORIFICIOS METALIZADOS, POR EJEMPLO ORIFICIOS CIEGOS. EL PROCESO PARA EL ENSAMBLAJE Y HERMETIZACION DE LOS ANTERIORES CIRCUITOS INCLUYE ESENCIALMENTE DE LAS SIGUIENTES FASES: FIJAR, POR EJEMPLO, POR SOLDEO EL CIRCUITO PELICULAR EN EL SOPORTE, POR EJEMPLO UN SOPORTE METALICO; FIJAR, POR EJEMPLO, MEDIANTE RESINA O POR SOLDEO, ETC. LOS COMPONENTES ACTIVOS DESNUDOS; CONECTAR LOS COMPONENTES ACTIVOS; HERMETIZACION (SELLADO) DE LOS COMPONENTES ACTIVOS; CONTROL DE HERMETIZACION DE FUGAS FINAS Y GRUESAS.
PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
(16/11/1986). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.
DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS. SE TRATA DE UN DISPOSITIVO DE AL MENOS UN CIRCUITO INTEGRADO CONECTADO A UNA CIRCUITERIA LITOGRAFICAMENTE DEFINIDA EN UN SUSTRATO MONOCRISTALINO. AL MENOS UNA PARTE DEL CHIP Y DEL SUSTRATO TIENEN LA MISMA ESTRUCTURA CRISTALOGRAFICA, O BIEN SON MATERIALES ESENCIALMENTE IDENTICOS, SEMICONDUCTORES; EN PARTICULAR, SILICIO. LA CIRCUITERIA ELECTRICA COMPRENDE UN CONDUCTOR DE CORRIENTE Y OTRO A TIERRA, DISPONIENDOSE DE UN CAPACITOR DE DESACOPLAMIENTO METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR ENTRE AMBOS. EL SUSTRATO TIENE, AL MENOS, UNA DEPRESION SUPERFICIAL CON UNA PARED INCLINADA CONSECUENCIA DEL MORDENTADO CRISTALOGRAFICAMENTE ANISOTROPICO. EL CHIP PRESENTA UN LADO PORTADOR DE CIRCUITOS ENCARADO CON LA DEPRESION. PUEDEN UTILIZARSE VARIOS CHIPS INTERCONECTADOS POR CONDUCTORES SEPARADOS POR UN MATERIAL POLIMERO FOTODEFINIBLE. PUEDE DISPONERSE DE FIBRAS OPTICAS SOBRE LOS CHIPS.
MEJORAS EN UNA ESTRUCTURA DE ENCAPSULADO ELECTRONICO, PROVISTA DE UN SUSTRATO CON AREAS DE MESETA.
(16/12/1980). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINESS CORPORATION.
SISTEMA DE ENCAPSULADO ELECTRONICO PARA PASTILLAS DE ALTA ESCALA DE INTEGRACION. UNAS CHAPAS METALICAS PORTADORAS , JUNTO CON UNAS CAPAS DIELECTRICAS AISLANTES, SE COMBINAN PARA FORMAR UN EMPAREDADO PORTADOR . SOBRE ESTE SE SITUAN LAS PATILLAS LSI CON LOS TERMINALES (C-4), POR LOS CUALES LLEGA LA ALIMENTACION PROCEDENTE DE LAS CHAPAS METALICAS PORTADORAS . UNA RED DE ALAMBRES EN ESTRUCTURA DE PELICULA DELGADA PROPORCIONA UN SISTEMA DE INTERCONEXION, POR UN LADO, DEL EMPAREDADO PORTADOR . LA CONEXION ENTRE DOS PROTADORES DIFERENTES SE REALIZA A TRAVES DE CLAVIJAS . LA CORRIENTE ELECTRICA SE SUMINISTRA A TRAVES DE BARRAS DE CORRIENTE . UN CONDENSADOR DE DESACOPLO VA ASOCIADO CON LA PASTILLA LSI . EL SISTEMA PERMITE INHIBIR EL RUIDO ELECTRICO GENERADO POR CONMUTACION SIMULTANEA DE GRAN NUMERO DE CIRCUITOS LSI; REDUCE AL MINIMO LA INDUCTANCIA DE LA ESTRUCTURA DE ENCAPSULADO. DE APLICACION A COMPUTADORAS DE ALTA VELOCIDAD.
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CONJUNTOS CONDUCTORES.
(01/01/1962) Método de fabricación de conjuntos semiconductores con capa de bloqueo que comprenden un cuerpo semiconductor de silicio, mediante un tratamiento de aleación difusión en que la difusión predominante de una impureza aceptora desde una masa fundida de material electródico provista sobre el cuerpo de silicio que contiene una impureza aceptora activa y una impureza dadora activa, se forma una capa de difusión de tipo p, en el silicio adyacente, después de lo cual, durante el enfriamiento, en orden de sucesión , son depositadas una capa de silicio recristalizado de tipo n, debido a la segregación predominante del dador, y un material electródico residual para ser usado como un contacto, desde esta masa fundida sobre dicha capa de difusión, caracterizado por el hecho de que al menos una de las impurezas que actúan en el proceso de aleación…
