(19/02/2020) Proceso para el tratamiento superficial termoquímico de piezas metálicas, en un reactor (R) de plasma que tiene una cámara de reacción (RC) provista de: un soporte (S), que soporta las piezas metálicas ; un sistema de ánodo y cátodo , que tiene uno de sus electrodos (2a) asociado con una fuente de alimentación de CC pulsante de alta tensión; una entrada de carga de gas ionizable; y una salida , para la extracción de la carga de gas, que comprende las etapas de: a) conectar el ánodo a un primer electrodo (2a) y a tierra (2b) y conectar el cátodo al soporte (S), que funciona como el otro electrodo (3a) del sistema de ánodo y cátodo , y a un potencial…

(06/12/2017) Dispositivo de recubrimiento por plasma para el recubrimiento de un sustrato con partículas contenidas en un recipiente de partículas , que comprende un dispositivo dosificador para el dosificado de las partículas almacenadas en el recipiente de partículas , al menos un conducto o línea de transporte y una cámara de proceso totalmente cerrada , que se caracteriza por que una línea de succión está conectada a la cámara de proceso , donde una bomba de succión está asociada a la línea de succión y una válvula de control del flujo o de estrangulación está dispuesta corriente arriba de la bomba de succión )…

(22/06/2016) Un sistema para depositar una película fina sobre un sustrato flexible, que comprende: una primera zona de precursor en la que se introduce un primer gas precursor cuando el sistema está en uso; una segunda zona de precursor en la que se introduce un segundo gas precursor cuando el sistema está en uso; una zona de aislamiento interpuesta entre la primera y segunda zonas de precursor y en las que se introduce un gas inerte cuando el sistema está en uso; y un mecanismo de transporte de sustrato para transportar de forma recíproca el sustrato flexible a lo largo de una trayectoria de transporte en espiral…

(25/03/2015) Reactor de CVD para la deposición de capas a partir de un gas de reacción sobre piezas de trabajo, que comprende: - una cámara de reactor alargada, que discurre en vertical, que está delimitada por una pared de reactor calentada al menos parcialmente y un fondo de reactor, - un conducto de entrada para la entrada del gas de reacción en la cámara de reactor, que en la zona del fondo de reactor entra en la cámara de reactor, - un conducto de salida para la salida del gas de reacción usado de la cámara de reacción, que en la zona del fondo de reactor sale de la cámara de reactor, -…

(09/05/2012) Procedimiento de deposición química en fase gaseosa a presión atmosférica (APCVD) para fabricar una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor sobre un substrato calentado con un precursor que contiene el metal y sulfuro de hidrógeno (H2S) en calidad de precursor gaseoso reactivo y una corriente de gas portador inerte, caracterizado porque, para la fabricación de una capa delgada compacta de sulfuro de indio (In2S3) se transfiere a una fase líquida o gaseosa un precursor que contiene indio (PRIn (g/fl) ), que posee él mismo una alta presión de vapor o forma una aducto volátil con un disolvente, se mezcla dicho precursor en una región de…

(18/04/2012) Un método para aplicar un recubrimiento hidrófilo enun sustrato, el cual método comprende las etapas de: - proporcionar un sustrato , - producir una descarga de plasma a presión atmosféricaen presencia de un gas, - exponer, al menos parcialmente, e l sustrato a dichadescarga de plasma a presión atmosférica, - introducir un aerosol líquido o un vapor delmaterial formador de recubrimiento en dicha descarga de plasmaa presión atmos férica, formando así un recubrimiento en elsustrato, con la característica de que dicho material formador derecubrimiento consiste en un derivado saturado de acetato ouna mezcla de derivados…