CIP-2021 : C23C 16/44 : caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/44 · caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
SISTEMA DE REACTOR TERMICO RESISTENTE A LA PRESION PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES.
(01/07/1996) EL DESCUBRIMIENTO ES RELATIVO UN SISTEMA DE REACTOR TERMICO PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES, EL CUAL INCORPORA UNA VASIJA DE REACCION CON UN TUBO DE CUARZO RECTANGULAR CON UN ESCUDETE DE CUARZO PARALELO REFORZANDOLO. LOS ESCUDETES HABILITAN UN SUB-AMBIENTE DE PRESION DE PROCESO, MIENTRAS QUE LOS TUBOS RECTANGULARES MAXIMIZAN EL FLUJO DE GAS REACTIVO, UNIFORMEMENTE SOBRE EL SUSTRATO QUE SE PROCESA. LOS ESCUDETES FACILITAN EL ENFRIAMIENTO EFECTIVO, MIENTRAS QUE IMPARTEN MINIMAMENTE CALENTAMIENTO DESDE LA VASIJA, PERMITIENDO ESPESORES MINIMOS DE LA PARED. EL SISTEMA DE REACTOR TERMICO INCLUYE ADICIONALMENTE UNA FUENTE PARA SUMINISTRAR GAS REACTIVO Y UN SISTEMA DE MANEJO DE LA EXPULSION PARA ELIMINAR LOS GASES AGOTADOS DE LA VASIJA…
ENVIO DE UN GAS REACTIVO DESDE LAS FUENTES DE SUMINISTRO AL LUGAR DE PROCESO.
(16/02/1996). Solicitante/s: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Inventor/es: GEORGE, MARK ALLEN.
SE DESCRIBE UN SISTEMA ENVIO POR CONTROL REMOTO PARA UN GAS DE PROCESO, SENSIBLE A LA HUMEDAD Y POTENCIALMENTE TOXICO AL PUNTO DE UTILIZACION (POR EJEMPLO UN SISTEMA CVD).
BOQUILLA DE TALON DESCENDENTE SOBRE ELEVADO, PARA DEPOSITAR UNA CAPA DE REVESTIMIENTO SOBRE UNA CINTA DE VIDRIO, POR PIROLISIS DE UNA MEZCLA GASEOSA.
(16/12/1995). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE. Inventor/es: OUDARD, JEAN-FRANCOIS, SAUVINET, VINCENT.
LA INVENCION SE REFIERE A UNA BOQUILLA PARA LA DEPOSICION DE UNA CAPA FINA DE REVESTIMIENTO SOBRE LA CINTA DE VIDRIO A POR EL PROCESO DE PIROLISIS A PARTIR DE GAS, LLAMADO CVD. PROPONE UNA BOQUILLA DISPUESTA POR DEBAJO DE LA CINTA DE VIDRIO Y COMPRENDE UNA ENTRADA DE GAS , UN BLOQUE CENTRAL BAJO EL CUAL CIRCULA EL GAS, UN CANAL DE ASPIRACION , Y UN TALON DESCENDENTE ADYACENTE AL CANAL DE ASPIRACION, SOBREELEVADO RESPECTO DE LA CINTA DE VIDRIO, COMPARATIVAMENTE AL BLOQUE CENTRAL . ESTA BOQUILLA PERMITE LA DEPOSICION DE CAPAS DE GRAN ESPESOR Y/O QUE APLICAN IMPORTANTES CAUDALES GASEOSOS.
METODO Y APARATO PARA TRATAMIENTO SUPERFICIAL.
(16/05/1995). Solicitante/s: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Inventor/es: ARAI, TOHRU, TAKEDA, HIROMASA NARUMI-SHATAKU 422, 84-1, KAWAURA, HIROYUKI NAGAKUTE-RYO 314, 41-3.
LAS PARTICULAS DE UN AGENTE CONFORMADOR DE LA CAPA QUE CONTIENE AL MENOS UN ELEMENTO PARA FORMAR UNA CAPA SUPERFICIAL DE, POR EJEMPLO, UN CARBURO SOBRE EL MATERIAL A TRATAR SE DISPONEN EN UN HORNO DEBAJO Y / O AL LADO DEL MATERIAL A TRATAR. UN GAS FLUIDIZANTE SE INTRODUCE EN EL HORNO DEBAJO DEL AGENTE FORMADOR DE LA CAPA PARA FLUIDIFICAR UN POLVO DE ALUMINIO U OTRO MATERIAL REFRACTARIO PARA FORMAR UN LECHO FLUIDIFICADO SOBRE EL AGENTE FORMADOR DE LA CAPA, MIENTRAS EL AGENTE NO ESTA FLUIDIFICADO. EL HORNO SE CALIENTA Y SE SUMINISTRA UN HALURO SOLIDO AL INTERIOR DEL HORNO POR DEBAJO DEL AGENTE FORMADOR DE LA CAPA. EL HALURO ES SUBLIMABLE PARA PRODUCIR UN GAS QUE ACTIVA EL ELEMENTO, DE TAL FORMA QUE PUEDA COMBINAR CON UN ELEMENTO PARTICULAR QUE CONTENGA EL MATERIAL A TRATAR, MEDIANTE LO CUAL LA CAPA SUPERIFICIAL SE FORMA SOBRE EL MISMO. TAMBIEN SE PRESENTA UN APARATO PARA FORMAR DICHA CAPA SUPERFICIAL.
PROCESO DE FORMACION DE UN DEPOSITO QUE COMPRENDE DE LA SILICE SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN OBJETO DE VIDRIO.
(16/05/1995). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES. Inventor/es: DICK, SAMI, RECOURT, PATRICK, OUGARANE, LAHCEN, GENIES, BERNARD.
SE FORMA UN DEPOSITO DE UNA CAPA A BASE DE SILICE SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN OBJETO DE VIDRIO PROYECTANDO SOBRE UNA SUPERFICIE CALIENTE DEL OBJETO,EN ATMOSFERA AMBIENTE NO CONFINADA, UNA MEZCLA GASEOSA QUE TIENE UN CONTENIDO DE SILANO INFERIOR A 2%, UN CONTENIDO DE OXIGENO COMPRENDIDO ENTRE 3,5 Y 30%, Y VENTAJOSAMENTE UN CONTENIDO DE HIDROGENO INFERIOR A 5%. LA SUPERFICIE DEL OBJETO A TRATAR ESTA VENTAJOSAMENTE CALENTADA JUSTO ANTES DE SU PASO AL PUESTO DE INYECCION.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO REACTIVO DEL MATERIAL CON APOYO DE UN PROCESO DE DESCARGA POR ARCO VOLTAICO DE CORRIENTE CONTINUA.
(16/03/1995) LA INVENCION TRATA DE UN PROCEDIMIENTO QUE SE UTILIZA PARA EL TRATAMIENTO REACTIVO DE SUPERFICIES DE UNAS PIEZAS HERRAMIENTAS Y CONSISTE EN: APLICAR UN GAS EN UN RECIPIENTE; PRODUCIR EN EL RECIPIENTE UNA DESCARGA DE CORRIENTE CONTINUA POR ARCO VOLTAICO Y; MANTENER LA DESCARGA MEDIANTE UN ACOPLAMIENTO DE UNA CORRIENTE DE PARTICULAS CARGADAS, Y SE CARACTERIZA PORQUE: PARA EVITAR EL PROBLEMA DE LA DISTRIBUCION NO HOMOGENEA DEL PLASMA ORIGINADO EN EL ARCO VOLTAICO DE CORRIENTE CONTINUA POR EL ESPACIO INTERIOR, Y PARA AMPLIAR LA ZONA QUE CONTIENE AL PLASMA NECESARIO PARA EL TRATAMIENTO SUPERFICIAL, LA DISTRIBUCION ACTIVA DEL PLASMA DE TRATAMIENTO POR EL RECIPIENTE, SE AFIANZA A LO LARGO DE UNA SUPERFICIE PRECALCULADA, Y A TRAVES DE UNA DETERMINADA DISTRIBUCION SUPERFICIAL DE ADMISION DE GAS Y A TRAVES…
CONTROL DEL PROCESO DE DEPOSICION DE PELICULA DELGADA POR PLASMA.
(16/11/1994). Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: FELTS, JOHN T., LOPATA, EUGENE S.
EN UN PROCESO PARA DEPOSICION DE UNA PELICULA DELGADA EN UNA SUPERFICIE DE UN SUBSTARTO CON EL USO DE UN PLASMA, DONDE SE CONTROLA LA EMISION OPTICA DEL PLASMA, SE ANALIZA, Y LOS RESULTADOS SE UTILIZAN, PARA CONTROLAR AUTOMATICAMENTE LA NATURALEZA DEL PLASMA, A FIN DE CONTROLAR LAS CARACTERISTICAS DE LA PELICULA DELGADA DEPOSITADA. UN ASPECTO DE LA EMISION QUE SE DETECTA ES LA INTENSIDAD DE CADA UNA DE LAS 2 LINEAS DE EMISION DE BANDAS A LONGITUDES DE ONDA DIFERENTES DE LAS MISMAS ESPECIES DEL PLASMA, ESTANDO RELACIONADAS LAS INTENSIDADES, Y LA RELACION COMPARADA CON UN VALOR CONOCIDO PREDETERMINADO, PARA PROPORCIONAR UNA PELICULA RESULTANTE CON CARACTERISTICAS UNIFORMES Y REPETIDAS. ESTA RELACION TAMBIEN ESTA RELACIONADA CON LA TEMPERATURA ELECTRONICA MEDIA DEL PLASMA, QUE SE PUEDE CALCULAR A PARTIR DE ELLA. ADEMAS, LA INTENSIDAD DE OTRA LINEA DE EMISION DE OTRA DE LAS ESPECIES DEL PLASMA, SE PUEDE MEDIR Y RELACIONAR CON UNA DE LAS INTENSIDADES DE LINEA PRECEDENTES, SI SE DESEA CONTROL ADICIONAL.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA PRODUCIR MATERIAL DE ADHERENCIA EN FORMA DE PARTICULAS Y SU APLICACION.
(16/10/1994). Solicitante/s: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.. Inventor/es: LUX, BENNO, PROF. DR.
SE DESCRIBE UN COMPUESTO A BASE DE PARTICULAS DE POLVO FORMADO POR UN NUCLEO Y UNA CUBIERTA QUE SE DIFERENCIA DEL NUCLEO POR ESTAR FORMADA ENTERA O PARCIALMENTE POR SUPERFICIE SUPERENDURECIDA. DICHO PROCESO CONSISTE EN FORMAR LA MATERIA SUPERENDURECIDA EN FASE GASEOSA A BAJA PRESION Y A UNA TEMPERATURA POR DEBAJO DE 1200 C.
VAPORIZADOR MULTIPLE DE COLUMNA EMPAQUETADA EN PARALELO.
(01/02/1994). Solicitante/s: ELF ATOCHEM NORTH AMERICA, INC.. Inventor/es: MCKOWN, CLEM.
SE PRESENTA UN VAPORIZADOR PARA VAPORIZAR UN PRODUCTO QUIMICO QUE TIENE UNA TEMPERATURA DE DESCOMPOSICION RELATIVAMENTE BAJA. DICHO VAPORIZADOR INCLUYE UNA CUBIERTA ; UNA PLURALIDAD DE COLUMNAS DE VAPORIZACION PARALELAS ORIENTADAS VERTICALMENTE DISPUESTAS DENTRO DE LA CUBIERTA, CADA COLUMNA DE VAPORIZACION TIENE PAREDES INTERIORES Y EXTREMOS ABIERTOS SUPERIOR E INFERIOR ; UN DISPOSITIVO DE DISTRIBUCCION PARA DISTRIBUIR EL PRODUCTO QUIMICO SUBSTANCIALMENTE ECUALIZADO A LOS EXTREMOS SUPERIORES ABIERTOS DE LAS COLUMNAS DE VAPORIZACION ; UN INTERCAMBIADOR DE CALOR DEL FLUIDO QUE CALIENTA LAS COLUMNAS DE VAPORIZACION PARA SUMINISTRAR EL CALOR NECESARIO PARA VAPORIZAR LOS PRODUCTOS QUIMICOS EN LAS MISMAS; UN SUMINISTRO DE GAS QUE SUMINISTRA EL GAS A LOS EXTREMOS INFERIORES DE LAS COLUMNAS DE VAPORIZACION DE TAL FORMA QUE EL PRODUCTO QUIMICO SE VAPORIZA Y SE ENTREMEZCLA EN EL GAS Y ES SACADO POR LA PARTE SUPERIOR DEL VAPORIZADOR.
(16/01/1994) UN APARATO PARA DEPOSITAR SOBRE LA SUPERFICIE DE UNA CINTA EN MOVIMIENTO DE CRISTAL CALIENTE UNA CUBIERTA FORMADA DE LA REACCION DE AL MENOS DOS GASES REACTIVOS. EL APARATO INCLUYE UNA CAMARA DESDE LA CUAL LOS REACTIVOS GASEOSOS SE HACEN FLUIR EN CONTACTO CON LA SUPERFICIE DEL CRISTAL PARA CUBRIRLO EN UNA DIRECCION SUSTANCIALMENTE PARALELA A LA DIRECCION DE MOVIMIENTO DEL CRISTAL DE MODO QUE FORME LA DESEADA CUBIERTA DE LA SUPERFICIE DEL CRISTAL. LA CAMARA DE CUBRIR ESTA ABIERTA HACIA ABAJO, Y SE EXTIENDE SOBRE TODA LA ANCHURA DE LA SUPERFICIE DE CRISTAL A SER CUBIERTO, Y TIENE UNOS PRIMEROS MEDIOS DE ENTRADA PARA PROVEER UN FLUJO DE UN PRIMER GAS REACTIVO SOBRE LA SUPERFICIE DE CRISTAL A TRAVES DE LA CAMARA QUE ESTA ENCIMA DE SU ANCHURA, Y UNOS SEGUNDOS MEDIOS DE ENTRADA COMPUESTOS DE UN CANAL DE…
PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA FUNCIONAL QUE CONTIENE ATOMOS DE LOS GRUPOS 3 Y 5 COMO ATOMOS PRINCIPALES CONSTITUYENTES MEDIANTE UN PROCESO DE DEPOSITACION QUIMICO DE VAPOR DE PLASMA MEDIANTE MICROONDAS.
(16/11/1993) SE PRESENTA UN PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA FUNCIONAL CONTENIENDO ATOMOS QUE PERTENECEN A LOS GRUPOS TERCERO Y QUINTO DE LA TABLA PERIODICA COMO ATOMOS PRINCIPALES DE CONSTITUCION MEDIANTE LA INTRODUCCION, DENTRO DE UN ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA DISPUESTO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE UN SUBSTRATO DISPUESTO EN EL, UN COMPUESTO Y UN COMPUESTO REPRESENTADOS RESPECTIVAMENTE POR LAS FORMULAS GENERALES Y COMO MATERIAL EN BRUTO PARA LA FORMACION DE LA PELICULA Y, SI SE NECESITA, UN COMPUESTO QUE CONTIENE UN ELEMENTO CAPAZ DE CONTROLAR LOS ELECTRONES DE VALENCIA PARA LA PELICULA DEPOSITADA COMO ELEMENTO CONSTITUYENTE CADA UNO DE ELLOS EN UN ESTADO GASEOSO, O EN UN ESTADO DONDE AL MENOS UNO DE DICHOS COMPUESTOS…
PROCESO PARA CRISTALES DE CUBIERTA.
(01/11/1993) UN PROCESO PARA CUBRIR UNA CINTA EN MOVIMIENTO DE CRISTAL CALIENTE POR DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR, COMPRENDIENDO ESTABLECER UN PRIMER FLUJO DE UN PRIMER GAS REACTIVO A LO LARGO DE LA SUPERFICIE DE CRISTAL CALIENTE SUSTANCIALMENTE PARALELO A LA DIRECCION DEL MOVIMIENTO DEL CRISTAL, ESTABLECIENDO UN SEGUNDO FLUJO DE UN SEGUNDO GAS REACTIVO COMO UN FLUJO TURBULENTO EN UN ANGULO CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DEL CRISTAL, INTRODUCIENDO DICHO SEGUNDO FLUJO DENTRO DE DICHO PRIMER FLUJO EN DICHO ANGULO, MIENTRAS SE EVITA CORRIENTE ARRIBA EL FLUJO DE DICHO SEGUNDO GAS REACTIVO EN DICHO PRIMER FLUJO, DIRIGIENDO EL FLUJO DE GAS COMBINADO A LO LARGO DE LA SUPERFICIE DEL CRISTAL CALIENTE COMO UN…
APARATO PARA REVESTIR VIDRIO.
(01/10/1993). Solicitante/s: PILKINGTON PLC. Inventor/es: MARTLEW, DAVID, RIGBY, MALCOLM JAMES.
UN APARATO PARA CUBRIR CRISTAL PLANO DIRIGIENDO UN GAS REACTIVO SOBRE LA SUPERFICIE DE CRISTAL INCORPORA UN RESTRICTOR DE FLUJO DE GAS EL CUAL COMPRENDE UNA CAMARA LA CUAL ESTA ADAPTADA PARA RECIBIR UN SUMINISTRO DE GAS REACTIVO Y ESTA ADAPTADO PARA EXPULSAR UN FLUJO DE GAS REACTIVO SOBRE LOS CRISTALES PLANOS A CUBRIR. UNA SERIE DE AL MENOS DOS RESTRICCIONES 27,64,38 SE PROVEEN EN EL RESTRICTOR DE FLUJO DE GAS, COMPRENDIENDO CADA RESTRICCION UN MIEMBRO PLACA EXTENDIENDOSE A LO ANCHO DE LA CAMARA Y TENIENDO UNA PLURALIDAD DE ABERTURAS A SU TRAVES.FIG 1.
PARTICULA DE POLVO COMPUESTA, CUERPO COMPUESTO Y PROCEDIMIENTO PARA SU ELABORACION.
(01/04/1993). Solicitante/s: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.. Inventor/es: LUX, BENNO, PROF. DR.
EL PROCEDIMIENTO DESCRIBE UNA PARTICULA DE POLVO COMPUESTAS, FORMADA POR UN NUCLEO Y SU CORTZA CONSTITUIDA ESTA ULTIMA TOTAL O PARCIALMENTE POR UN MATERIAL MUY DURO DISTINTO AL DEL NUCLEO. LA PARTICULA SE ELABORA MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO ESPECIAL, EN EL QUE LA CORTEZA SE FORMA AL MENOS PARCIALMENTE DESDE UNA FASE GASEOSA A BAJA PRESION Y TEMPERATURA INTERIOR A 1.200 C.
METODO PARA EL TRATAMIENTO DE SUPERFICIES Y APARATO EMPLEADO EN EL.
(16/03/1992) SE DESCRIBE UN METODO PARA FORMAR UNA CAPA SUPERFICIAL DE CARBURO, NITRURO CARBONITRURO O SOLUCION DE SOLIDOS SOBRE LA SUPERFICIE DE UN MATERIAL A TRATAR, QUE CONSISTE EN DISPONER, EN UN HORNO DE LECHO FLUIDIZADO UN AGENTE DE TRATAMIENTO COMPUESTO POR UN POLVO DE UN MATERIAL REFRACTARIO Y UN POLVO DE UN METAL PARA FORMAR UN CARBURO, NITRURO, CARBONITRURO O SOLUCION DE SOLIDOS O UN POLVO DE UNA ALEACION DE LOS MISMOS, INTRODUCIR UN GAS FLUIDIFICANTE EN EL HORNO DE LECHO FLUIDIZADO PARA FLUIDIFICAR EL AGENTE DE TRATAMIENTO Y FORMAR UNA CAPA FLUIDIZADA, DISPONER EL MATERIAL A TRATAR EN LA CAPA FLUIDIZADA E INTRODUCIR UNA CANTIDAD PREDETERMINADA DE HALOGENURO EN ESTA. TAMBIEN SE DESCRIBE UN APARATO PARA FORMAR LA CAPA SUPERFICIAL SOBRE EL MATERIAL A TRATAR QUE CONSTA DE UN CUERPO DE HORNO PARA FORMAR LA CAPA SUPERFICIAL EN EL LECHO…
METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA.
(16/12/1991). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: ISHIHARA, SHUNICHI, SHIMIZU, ISAMU, HANNA, JUNICHI.
METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA QUE CONSISTE EN LA INTRODUCCION DE UN MATERIAL DE PARTIDA GASEOSO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA Y UN AGENTE OXIDANTE (X) HALOGENICO GASEOSO QUE TENGA ACCION OXIDANTE SOBRE DICHO MATERIAL (DE PARTIDA) AL MENOS UN AGENTE OXIDANTE (ON) DE TIPO OXIGENO GASEOSO Y AGENTES OXIDANTES DE TIPO NITROGENO, Y PREFERIBLEMENTE TAMBIEN UN MATERIAL GASEOSO (D) CONTENIENDO UN COMPONENTE PARA CONTROLAR EL ELECTRON DE VALENCIA COMO EL CONSTITUYENTE, EN UN AREA DE REACCION EN LA QUE SE EFECTUA AL CONTACTO QUIMICO ENTRE ELLOS, DE MANERA QUE SE FORME UN NUMERO PLURAL DE PRECURSORES QUE CONTIENEN PRECURSORES EN ESTADO EXCITADO, Y FORMANDO UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE UN SUSTRATO EXISTENTE EN LA ZONA DE FORMACION DE PELICULA MEDIANTE EL USO DE AL MENOS UNO DE ESTOS PRECURSORES COMO FUENTE DE ALIMENTACION DEL ELEMENTO CONSTITUYENTE DE LA PELICULA DEPOSITADA.
DISPOSITIVO PARA LA DEPOSICION DE METALES SOBRE OBJETOS EN SUSPENSION.
(01/11/1988). Solicitante/s: ASOCIACION PARA LA INVESTIGACION DE LA INDUSTRIA BISUTERA DE ESPAÑA. Inventor/es: FERRER ANDREU, HUMBERTO.
UN DISPOSITIVO PARA LA DEPOSICION DE METALES SOBRE OBJETOS BASADO EN QUE TAL DEPOSICION SE RFEALIZA POR PERMANECER LOS OBJETOS A METALIZAR EN SUSPENSION DEBIDO A CONTRACORRIENTE DE UN FLUIDO QUE EVITA LA CAIDA DE LOS OBJETOS POR GRAVITACION. EL FLUIDO PROVOCA LA DEPOSICION DEL METAL POR REACCION QUIMICA O AUTOCATALITICA, SIN UTILIZACION DE CORRIENTE ELECTRICA EXTERIOR Y EL DISPOSITIVO FORMA UN CIRCUITO CERRADO DE CIRCULACION DE FLUIDO, CUYO IMPULSO SUSPENDE LOS OBJETOS A METALIZAR Y CON UN IMPULSO MAXIMO DEL CAUDAL DE FLUIDO PUEDEN EXTRAERSE YA METALIZADOS, PUDIENDO EMPEZAR UN NUEVO CICLO DE METALIZACION. TODO ELLO CON LOS CONTROLES Y APARATOS PRECISOS PARA TEMPERATURA, IMPULSO, VACIADO, FILTRO, ETC.
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UNA CAMARA AISLADA DE DEPOSICION POR DESCARGA INCANDESCENTE.
(16/08/1984). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
SISTEMA PARA INTRODUCIR, CONFINAR Y EVACUAR GASES DE ELABORACION, EN UN SITIO ADYACENTE A LA REGION DE CATODO DE UN APARATO DE DEPOSITO POR DESCARGA DE EFLUVIO, ESTANDO DICHO APARATO ADAPTADO PARA DEPOSITAR CUANDO MENOS UNA CAPA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR SOBRE UN SUSTRATO.CONSTA DE UNA PRIMERA CAMARA DE DEPOSITO EN LA QUE SE DEPOSITA UNA CAPA SEMICONDUCTORA DEL TIPO P SOBRE UN SUSTRATO ; DE UNA SEGUNDA CAMARA DE DEPOSITO EN LA QUE SE DEPOSITA UNA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA SOBRE LA CAPA P; Y DE UNA TERCERA CAMARA DE DEPOSITO EN LA QUE UNACAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO N SE DEPOSITA SOBRE LA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA.
UN METODO Y SU CORRESPONDIENTE APARATO PARA REVESTIR VIDRIO PLANO.
(16/07/1977). Solicitante/s: PILKINGTON BROTHERS LIMITED.
Resumen no disponible.