(24/07/2019) Crisol para la fabricación de un lingote de silicio por solidificación que comporta un fondo y paredes laterales formadas al menos parcialmente por un material refractario, caracterizado porque: - el material refractario es grafito que presenta un coeficiente de dilatación térmica medio, en un rango de temperatura comprendido entre la temperatura ambiente y la temperatura de fusión del silicio, superior o igual al coeficiente de dilatación térmica de dicho silicio en dicho rango de temperatura; - las paredes laterales del crisol están al menos en parte recubiertas por una capa impermeable al aire a base de carburo de silicio; - y el crisol comporta un sistema de apriete que conecta dos paredes laterales adyacentes, el sistema de apriete está configurado para autorizar la separación de las dos paredes…

(25/05/2015) Procedimiento de transferencia de nanocapas y aparato de realización del mismo, que se refiere a un procedimiento para la transferencia de una nanocapa desde un soporte inicial a un substrato final , y a un aparato para realizar dicha transferencia. El procedimiento comprende a) introducir dicha nanocapa adherida en su cara inferior a un soporte inicial en un líquido , dicho líquido contenido en un primer recipiente cuya cara interior comprende un recubrimiento hidrófilo y cargado eléctricamente; b) separar la nanocapa del soporte inicial ; y c) retirar el líquido hasta depositar la nanocapa…

(28/01/2015) Un procedimiento de fabricación de un crisol para la cristalizacón de silicio, que comprende las etapas de: - preparar una suspensión de sólidos y líquidos, consistiendo dichos sólidos en: - polvo de silicio metálico, - hasta 25% (en p/p) de polvo de SiC, - hasta 10% (en p/p) de SiN, - hasta 0,5% (en p/p) de un catalizador, - hasta 1% (en p/p) de un ligante, - formar la suspensión en un cuerpo verde de un crisol; - calentar el cuerpo verde en una atmósfera de nitrógeno, que comprende opcionalmente un gas inerte, para que el silicio reaccione al menos parcialmente para formar nitruro de silicio.

(18/06/2014) Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras susceptible de ser utilizado en un recinto térmicamente aislante de un horno de cristalización de silicio y destinado a ser insertado parcialmente en el recinto de dicho horno por un orificio dispuesto en la pared del recinto, caracterizado porque comprende: - una guía de onda de sílice cristalina, que comprende una cara de entrada de una onda ultrasonora, una cara de salida de una onda ultrasonora y una superficie lateral que une la cara de entrada y la cara de salida, - una estructura de grafito o de carburo de silicio, que rodea al menos parcialmente la superficie lateral de la guía de onda, - una…

(06/11/2013) Dispositivo para controlar el estado de avance de la cristalización de un baño de material fundido realizado en unacámara térmicamente aislante de un horno de cristalización de acuerdo con un procedimiento de solidificacióndirigida, que comprende una fuente de ultrasonidos y un detector de ultrasonidos , caracterizado porque: - la fuente de ultrasonidos comprende n conjunto(s), siendo n un número entero mayor que o igual a 1,comprendiendo cada conjunto de la fuente un transductor , que es capaz de emitir una onda ultrasónica,conectado a una guía de ondas , que es capaz de guiar la onda ultrasónica producida por dicho transductor, haciala interfase vapor-líquido del baño líquido, - el detector de ultrasonidos comprende al menos 2n conjuntos, comprendiendo cada…

(21/08/2013) Un cristal en cinta que comprende: un cuerpo alargado que tiene una dimensión de anchura perpendicular a su longitud y una dimensión de grosorperpendicular a su anchura; y primer y segundo hilos incrustados dentro del cuerpo en extremos opuestos de la anchura y paralelos a lalongitud, estando caracterizado el cristal en cinta por: tener el primer hilo una forma de sección transversal generalmente alargada, teniendo la sección transversal del hiloun eje longitudinal que no es paralelo a la dimensión de anchura.

(29/05/2013) Horno de fusión y de solidificación para material cristalino provisto de: - un crisol que tiene un fondo y paredes laterales , mostrando el crisol une dirección longitudinal perpendicular al fondo - un sistema lateral de aislamiento térmico colocado alrededor del crisol frente a las paredes laterales , estando provisto el sistema lateral de aislamiento térmico de al menos un elemento lateral (7a, 7b, 7c, 7'a, 7'b, 7'c) que se desplaza entre una posición de aislamiento y una posición que favorece la disipación térmica, horno caracterizado porque: - el sistema lateral de aislamiento térmico está constituido por al menos dos subelementos adyacentes que forman un anillo continuo…

(21/03/2012) Hilo utilizado para formar un cristal de cinta de hilo que comprende un material cristalino, siendo dichomaterial cristalino silicio, y comprendiendo dicho hilo: - un sustrato de carbono ; - una capa refractaria de carburo de silicio sustentada en el sustrato; y - una capa expuesta exteriormente que forma un ángulo de contacto con el silicio de entre 15 y 120 grados, ypreferiblemente de más de 25 grados, estando dispuesta la capa expuesta exteriormente radialmente hacia elexterior de la capa refractaria.

(14/01/2011) Aparato para desarrollar un cuerpo cristalino tubular de un material seleccionado por el Proceso EFG, comprendiendo el aparato: un crisol (20A) que tiene una pared inferior , una pared lateral exterior , y una pared lateral interior que definen un espacio interior para contener un suministro líquido de dicho material seleccionado, y una matriz capilar formada integral con dicha pared lateral exterior ; comprendiendo dicha matriz : (a) medios de punta en el extremo superior de dicha pared lateral exterior , para uso para soportar una interfaz de desarrollo de líquido/sólido y para controlar la configuración de dicho cuerpo cristalino , comprendiendo dichos medios de punta una superficie extrema superior y superficies exteriores interior y exterior que cortan a dicha superficie extrema…

(17/09/2010) La presente invención describe un procedimiento para la obtención de un monocristal en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT, según el método Bridgman Modificado que utiliza un crisol de nitruro de boro pirolítico y comprende un proceso de crecimiento en vapor que comprende las siguientes etapas: someter el sistema de crecimiento a una temperatura constante superior en 20ºC con respecto a la temperatura del punto de fusión del material de partida; disminución de la temperatura del sistema de crecimiento alcanzada en la etapa anterior hasta alcanzar una temperatura de 1120ºC; y mantener la temperatura alcanzada en la etapa anterior constante hasta el recocido del monocristal. La invención también se refiere a un aparato para llevar a cabo el procedimiento que comprende 3 elementos calefactores que proporcionan un perfil…

(17/09/2010) La presente invención describe un aparato para la preparación de un monocristal semiconductor en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT según el método Bridgman que comprende: un elemento resistivo calefactor ; una ampolla de crecimiento ; un sistema de soporte de la ampolla de crecimiento que comprende a su vez un tubo de platino cuya parte superior está en contacto con la ampolla de crecimiento; un tubo de cuarzo de igual diámetro que la ampolla de crecimiento, en cuyo interior se sitúa el tubo de platino ; un tubo de cuarzo en el interior de tubo de platino y centrado con respecto al mismo. La invención describe…