CIP-2021 : C23C 16/54 : Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo.
CIP-2021 › C › C23 › C23C › C23C 16/00 › C23C 16/54[2] › Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo.
Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/54 · · Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Aparato de recubrimiento para recipientes.
(12/02/2020) Un aparato de recubrimiento para aplicar un recubrimiento en recipientes de vidrio con un compuesto químico que comprende:
una carcasa con un túnel de recubrimiento
una cinta transportadora que mueve los recipientes a través del túnel de recubrimiento desde la entrada a la salida de dicho túnel de recubrimiento
al menos un circuito para la circulación de un compuesto de recubrimiento y
al menos una placa de guía,
caracterizado por que dicha placa de guía está situada en un compartimento entre la pared lateral interior del aparato de recubrimiento y la pared exterior y
dicho compartimento comprende la placa de guía, una placa de fijación con medios de fijación, un orificio de succión y una salida y
caracterizado por que la…
Aparato de revestimiento para envases, procedimiento de aplicación de un revestimiento y uso del aparato de revestimiento.
(11/09/2019) Un aparato de revestimiento para aplicar un revestimiento sobre envases de vidrio con un compuesto químico que comprende:
una carcasa con un túnel de revestimiento
una cinta transportadora que mueve los envases a través del túnel de revestimiento desde la entrada hasta la salida del citado túnel de revestimiento
un bucle primario
un separador que separa el flujo de gas portador cargado con el compuesto de revestimiento procedente del túnel de revestimiento en al menos dos flujos distintivos y
una entrada de aire para aire fresco en proximidad de la salida del túnel de revestimiento,
en donde el separador separa…
Método para mejorar la tolerancia al agua de películas de CNF de base biológica.
(15/05/2019). Solicitante/s: Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy. Inventor/es: TAMMELIN,TEKLA, VARTIAINEN,JARI, MALM,TERO, KUNNARI,VESA, HÄNNINEN,TUOMAS, PERESIN,SOLEDAD, ÖSTERBERG,MONIKA, JOHANSSON,LEENA-SISKO.
Método para mejorar la tolerancia al agua de una película de nanofibrillas de celulosa (CNF) que tiene dos superficies opuestas, caracterizado por proteger ambas superficies de la película de CNF de la humedad y que incluye las etapas de:
a) preparar una suspensión de CNF y modificar la suspensión mediante la adición de polímeros que contienen grupos funcionales cargados, hidrófobos o polares en la suspensión,
b) aplicar y extender la suspensión de CNF directamente sobre una superficie de un material de soporte de plástico para preparar una película de CNF,
c) purificar y activar al menos una superficie de la película de CNF con tratamiento de UV/ozono, tratamiento de corona o activación por plasma, y
d) modificar la superficie de la película de CNF activada por deposición por plasma, deposición por capas atómicas (ALD) o método de sol-gel, o cualquier combinación de los mismos.
PDF original: ES-2739478_T3.pdf
Aparato de recubrimiento.
(11/03/2019) Aparato para recubrir artículos de vidrio tridimensionales incluyendo:
un túnel, que tiene una parte superior y paredes laterales primera y segunda, adecuado para disponerse en una correa transportadora que transporta los artículos a través de dicho túnel;
una o varias boquillas dispuestas para distribuir una mezcla gaseosa incluyendo un primer conjunto de sustancias químicas incluyendo uno o varios primeros materiales de recubrimiento o sus precursores, en un chorro que atraviesa el recorrido de los artículos cuando son transportados a través del túnel;
una o varias boquillas dispuestas para distribuir una mezcla gaseosa incluyendo un segundo conjunto de sustancias químicas incluyendo uno o varios segundos materiales de recubrimiento o sus precursores, en un chorro que atraviesa el recorrido de los artículos…
Dispositivo y procedimiento para la fabricación de capas finas.
(06/03/2019) Dispositivo para la fabricación de capas finas sobre substratos, especialmente para la fabricación de células solares, con
- un camino de transporte horizontal con rodillos transportadores , que consisten en un material resistente a la temperatura, no metálico, para el transporte de los substratos en servicio continuo,
- un dispositivo de revestimiento APCVD dispuesto sobre el camino de transporte para la aplicación de las capas finas mediante un procedimiento APCVD a temperaturas de más de 250°C,
- un dispositivo calentador y un dispositivo de sumnistro de gas de purga , que están dispuestos en el área del dispositivo de revestimiento APCVD en el lado del camino de transporte opuesto…
Esclusa de gas así como dispositivo de revestimiento con una esclusa de gas.
(25/04/2018) Esclusa de gas (I) para la separación de dos compartimentos de gas (G1, G2), que comprende:
a) al menos un cuerpo de admisión (K), que presenta al menos un canal de entrada (H) para un gas, que desemboca en un primer lado del cuerpo de admisión (K),
b) al menos una pared (A) dispuesta a distancia del primer lado del al menos un cuerpo de admisión (K), donde entre la pared (A) y el al menos un cuerpo de afluencia (K) está configurado un intersticio (B) que está en conexión de fluido con el canal de entrada (H),
c) al menos dos aberturas de escape (i1, i2) para el gas que están en conexión de fluido con el intersticio…
MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO.
(25/01/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA. Inventor/es: HÄBERLE TAPIA,Patricio, ORELLANA GÓMEZ,Christian.
Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: - disponer de dos láminas de cobre dispuestas en forma paralela y separadas con un material cerámico ; - incorporar dichas dos láminas de cobre al interior de una cámara abierta, que está constituido por una cámara cilíndrica de vidrio ; - calentar las dos láminas de cobre mediante un calentador por inducción electromagnética a una temperatura predeterminada; - suministrar una mezcla de caudales de Metano y Argón en la cara superior de dicha cámara cilíndrica de vidrio ; - monitorizar continuamente la temperatura de las dos láminas de cobre ; - calentar a alrededor de los 1000°C a través del calentador de inducción electromagnética durante un tiempo predeterminado; y - enfriar con los mismos caudales de Metano y Argón, hasta la temperatura ambiente.
Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas.
(27/09/2017). Solicitante/s: IIA Technologies Pte. Ltd. Inventor/es: MISRA,DEVI SHANKER.
Un aparato para cultivar diamantes, comprendiendo el aparato:
una o más cámaras , estando cada cámara en conexión fluida con una o más otras cámaras , comprendiendo cada cámara uno o más conjuntos de plataforma de sustrato dentro de la cámara para soportar una plataforma de sustrato ,
en donde el conjunto de plataforma de sustrato comprende una placa , dicha plataforma de sustrato y un reflector periférico ; estando soportados la plataforma de sustrato y el reflector periférico en la parte superior de la placa ,
caracterizado por que
las cámaras están dispuestas en serie con tubos de flujo de gas entre cada cámara, o las cámaras están dispuestas en una red de manera que cada cámara está conectada a una cámara adyacente, para permitir el flujo de gas entre las cámaras.
PDF original: ES-2652129_T3.pdf
Esclusa de gas, así como dispositivo de revestimiento con una esclusa de gas.
(16/08/2017) Esclusa de gas (I) para la separación de dos cámaras de gas (G1, G2), que comprende:
a) al menos un cuerpo de admisión (K), que presenta al menos dos canales de entrada (1, H2) para un gas, que desembocan en un primer lado del cuerpo de admisión (K),
b) una pared (A) dispuesta de modo distanciado respecto al primer lado del al menos un cuerpo de admisión (K), estando conformada entre la pared (A) y el al menos un cuerpo de admisión (K) una ranura (B) que está en unión fluida con los al menos dos canales de entrada (H1, H2),
c) al menos dos aberturas de escape (i1, i2) para el gas, que están en unión fluida con la ranura (B),
en la que en el lado contigua al al menos un cuerpo de admisión (K) y/o en el lado de la pared (A) opuesto al primer lado del cuerpo de admisión (K) hay n cámaras de medición…
Método de producción de polímero recubierto.
(10/08/2016) Un método de fabricación de un artículo de polímero que tiene un recubrimiento fino formado sobre al menos una de sus caras por plasma, consistiendo dicho recubrimiento en un primer recubrimiento y un segundo recubrimiento, caracterizado por que dicho método comprende sucesivamente:
- un tratamiento con plasma sobre dicho artículo de polímero;
- una deposición del primer recubrimiento de SiOxCyHz por generación de un plasma tanto de tetrametilsilano como de tetrametilsilano y un gas oxidante, estando la relación entre el gas oxidante y el tetrametilsilano comprendida entre cero y tres en una primera etapa para obtener dicho primer recubrimiento, de manera que el valor x…
Procedimiento y dispositivo para el revestimiento en continuo de sustratos.
(09/12/2015) Procedimiento para el revestimiento en continuo de sustratos, en el que en un dispositivo de revestimiento los sustratos son transportados a través de un espacio de deposición que está limitado por dos soportes de sustrato (1, 1') así como por un suelo y una tapa , en donde el suelo presenta un dispositivo para guiar los soportes de sustrato (1, 1'), y los sustratos son transportados sobre los soportes de sustrato (1, 1') a través del dispositivo de revestimiento, durante el transporte se realiza el revestimiento en continuo de los sustratos, y en donde la tapa está fijada a los soportes de sustrato (1, 1') y de esta manera se transporta junto con los soportes (1, 1') de sustrato mediante el dispositivo de revestimiento.
Disposición para la separación de gases y su aplicación.
(27/05/2015) Disposición para la separación de gases para instalaciones de recubrimiento en vacío con varias zonas de proceso, en particular en instalaciones-CVD para el recubrimiento y dotación de sustratos planos y/o en forma de cinta, con un túnel plano que rodea el sustrato y que se extiende a través de una cámara de separación, en el que están dispuestas dos instalaciones de desviación para la conducción del sustrato a una distancia predeterminada entre sí, de tal manera que las instalaciones de desviación estrechan la sección transversal del túnel, en la que el túnel está provisto con conductos de entrada y de salida de gas, caracterizada por que entre las instalaciones de desviación (4, 4') y junto a éstas está dispuesta en cada cado una entrada de gas (9, 9') y en el centro entre…
Instalación de recubrimiento en vacío en-línea.
(20/05/2015) Instalación de recubrimiento en vacío en-línea con una cámara de recubrimiento en vacío con al menos una unidad de recubrimiento así como con un carro desplazable a través de la cámara de recubrimiento en vacío para el alojamiento de sustratos en forma de tubo giratorios alrededor de su eje longitudinal, caracterizada por un árbol dentado giratorio instalado fijo estacionario y conectado con un accionamiento giratorio y por medio de una rueda dentada que se puede llevar a engrane con el árbol dentado y que está alojada de forma giratoria en el carro , cuya rueda dentada es desplazable cargada por resorte en contra de la dirección de la marcha del carro longitudinalmente en una extensión predeterminada.
Revestimiento e inspección de recipientes.
(23/07/2014) Un sistema de procesamiento de recipientes para revestir e inspeccionar un recipiente , comprendiendo el sistema un montaje de estación de procesamiento configurado para: llevar a cabo una primera inspección del recipiente en busca de defectos;
aplicar un revestimiento a la superficie interior del recipiente después de la primera inspección;
llevar a cabo una segunda inspección de la superficie interior del recipiente revestido en busca de defectos después de aplicar el revestimiento;
evaluar los datos adquiridos durante la inspección.
Sistema de sumininstro y escape en un aparato de polimerización de plasma.
(26/03/2012) Un sistema de suministro y escape para un aparato de polimerización por plasma en que un sustrato se mueve de manera continua comprende:
una cámara de polimerización que tiene una entrada de gases para suministrar gas a la cámara de polimerización y una salida de gases para gas reactivo de escape suministrado por la entrada de gases y
una cámara de postratamiento instalada al lado de la cámara de polimerización y que tiene una entrada de gases para suministrar gas a la cámara de postratamiento y una salida de gases para gas de escape suministrado por la entrada de gases de la cámara de postratamiento,
en el que la entrada de gases de la cámara de polimerización se coloca en la misma dirección del flujo del sustrato en una porción de la entrada de la cámara de polimerización y la entrada de gases de la cámara de postratamiento se…
SISTEMA DE TRATAMIENTO DE SUPERFICIE, PROCEDIMIENTO DE TRATAMIENTO DE SUPERFICIE Y PRODUCTO PRODUCIDO MEDIANTE EL PROCEDIMIENTO DE TRATAMIENTO DE SUPERFICIE.
(05/12/2011) Un sistema de tratamiento de superficie que comprende: una unidad de transporte para cargar y transportar un intercambiador de calor; y una unidad de tratamiento de superficie para formar una capa de deposición sobre una superficie del intercambiador de calor transportada por la unidad de transporte; en el que el intercambiador de calor comprende: un conducto de refrigerante que tiene un paso de refrigerante; y una pluralidad de aletas de transferencia de calor acopladas al conducto de refrigerante
CAMARA DE PROCESO, INSTALACION DE RECUBRIMIENTO EN LINEA Y PROCEDIMIENTO PARA TRATAR UN SUSTRATO.
(15/09/2010) Una cámara de proceso para el tratamiento de un sustrato (5a, 5b), en particular para el recubrimiento de un sustrato (5a, 5b) mediante un procedimiento PECVD (deposición química en fase de vapor asistida por plasma), que comprende un recipiente , herramientas de tratamiento para generar las condiciones de reacción para el tratamiento del sustrato (5a, 5b), y
al menos un portador (4a, 4b) móvil previsto en el recipiente que porta al menos un sustrato, y un dispositivo de transporte para transportar el portador al interior del recipiente o desde el recipiente a lo largo de una ruta de transporte definida por el movimiento, donde el dispositivo de transporte presenta al menos…
APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS SEMI-CONDUCTORES FLEXIBLES.
(16/12/2006) Aparato para la producción continua de dispositivos semiconductores flexibles a través de la deposición de una pluralidad de capas de semiconductor sobre un substrato flexible en movimiento usando procesado de deposición química en fase vapor asistida por plasma (PECVD), comprendiendo dicho aparato: al menos una cámara de deposición , incluyendo dicha al menos una cámara de deposición al menos una zona de reacción para la generación de plasma; un generador de energía de RF para la generación de la energía electromagnética necesaria para la generación del plasma; una bomba de vacío ; dos rodillos giratorios dispuestos de tal forma que dicho substrato flexible pueda desenrollarse desde un rodillo y enrollarse en el otro rodillo; al menos un motor para hacer girar dichos dos rodillos , caracterizado…
APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA EL REVESTIMIENTO DE VIDRIO, COMPUESTOS Y COMPOSICIONES PARA EL REVESTIMIENTO DE VIDRIO Y SUSTRATOS DE VIDRIO REVESTIDOS.
(16/03/2004) UN APARATO PARA REVESTIR UNA CINTA DE VIDRIO QUE TIENE UN ELEMENTO DE EVACUACION A CADA LADO DE UNA UNIDAD DE REVESTIMIENTO A DIFERENTES DISTANCIAS DEL MISMO. SEGUN ESTA DISPOSICION, SE UTILIZAN PORCIONES DE LA CINTA CORRIENTE ARRIBA Y CORRIENTE ABAJO RESPECTO A LA UNIDAD DE REVESTIMIENTO PARA REVESTIR LOS VAPORES PROCEDENTES DE LA UNIDAD DE REVESTIMIENTO EN DIFERENTES PERIODOS DE TIEMPO. UNA MEZCLA DE REVESTIMIENTO INCLUYE PRECURSORES QUE CONTIENE ESTAÑO Y UN PRECURSOR QUE CONTIENE SILICIO. EL PRECURSOR QUE CONTIENE SILICIO TIENE LA FORMULA ESTRUCTURAL EN LA QUE R1 ES UN GRUPO QUE NO DISPONE DE UN OXIGENO PARA FORMAR UN PEROXIDO, R2 ES UN GRUPO FUNCIONAL QUE PROPORCIONA AL PRECURSOR QUE CONTIENE SILICIO LA CAPACIDAD DE CONVERTIRSE…
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE FIBRAS CORTAS RECUBIERTAS.
(16/03/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: DAIMLERCHRYSLER AG FREISTAAT BAYERN VERTRETEN DURCH DIE FRIEDRICH-ALEXANDER-UNIVERSITAT ERLANGEN-NURNBERG. Inventor/es: REBSTOCK, KOLJA, LINN, HORST, EMIG, GERHARD, PROF. DR., GERHARD, HELMUT, POPOVSKA, NADEJDA, DR., WUNDER, VOLKER.
LA PRESENTE INVENCION TRATA DE UN PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE FIBRAS CORTAS RECUBIERTAS, CUBRIENDOSE LAS FIBRAS EN UN REACTOR CON AL MENOS UN AGENTE DE RECUBRIMIENTO. SE PREVE DE ACUERDO CON LA INVENCION, QUE SE UTILICEN MANOJOS DE FIBRAS CORTAS REVESTIDAS CON COLA O CON UNA MATRIZ DE PLASTICO, QUE PRIMERO SE SOMETEN A UN CAMPO DE ONDAS DE ELEVADA FRECUENCIA, POR LO QUE SE DISUELVE LA COLA O LA MATRIZ DE PLASTICO, Y EL MANOJO DE FIBRAS SE DIVIDE EN FIBRAS AISLADAS, Y A CONTINUACION LAS FIBRAS AISLADAS EN EL CAMPO DE ONDAS DE ELEVADA FRECUENCIA SE REVISTEN DE MANERA DIRECTA MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE CVD CON AGENTE DE REVESTIMIENTO QUE SE ENCUENTRA EN FASE GASEOSA. PARA AHUECAR EL MANOJO DE FIBRAS CORTAS SE PREVE PREFERIBLEMENTE UN TRATAMIENTO COMBINADO MECANICO Y MICROONDAS.
PROCESO DE DEPOSICION ACTIVADA POR MICROONDAS CON REGULACION DE LA TEMPERATURA DEL SUSTRATO.
(16/09/2002). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., XU, XIXIANG.
LAS TEMPERATURAS DEL SUSTRATO SE MANTIENEN A MAS DE 400 (GRADOS) C DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE ALIMENTADA POR MICROONDAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO IV. EL MARGEN DE TEMPERATURAS DEL SUSTRATO PERMITE LA PREPARACION DE MATERIALES QUE TIENEN PROPIEDADES ELECTRICAS MEJORADAS.
MECANISMO DE ACCIONAMIENTO PARA TRANSPORTAR UNA BANDA DE VELOCIDAD CONSTANTE.
(16/02/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: EUROPEAN ATOMIC ENERGY COMMUNITY (EURATOM). Inventor/es: BULLOCK, EDWARD, NAGY, ENDRE, DIAS, ANTONIO.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN MECANISMO DE ACCIONAMIENTO PARA TRANSPORTAR UN HAZ DE FILAMENTOS A UNA VELOCIDAD CONSTANTE ENTRE UN CARRETE DE ALIMENTACION Y UNO DE ALIMENTACION , INTERCALANDO UNA CINTA INTERLAMINAR EN AMBOS CARRETES ENTRE LOS DEVANADOS SUCESIVOS DEL HAZ DE FILAMENTOS. SEGUN LA INVENCION, DICHA CITA QUEDA ACOPLADA DE FORMA ACCIONABLE ENTRE LOS DOS CARRETES A UNA RUEDA DE ACCIONAMIENTO Y CADA CARRETE QUEDA ADEMAS ACOPLADO DE FORMA ACCIONABLE A LA RUEDA DE ACCIONAMIENTO A TRAVES DE UN MECANISMO DESLIZANTE . APLICACION PREFERENTE: CONDUCCION DE FIBRAS A TRAVES DE UNA CAMARA DE CVD.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL REVESTIMIENTO EN CONTINUO DE UN MATERIAL METALICO.
(01/09/1999). Solicitante/s: SOLLAC S.A.. Inventor/es: SCHUSTER, FREDERIC, PIET, GERARD.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO DE REVESTIMIENTO CONTINUO POR UNA DEPOSICION DE POLIMERO DE UN MATERIAL METALICO EN MOVIMIENTO EN EL INTERIOR DE UN RECINTO A PRESION REDUCIDA SEGUN EL CUAL, EN EL INTERIOR DE DICHO RECINTO, SE INYECTA EN ESTADO GASEOSO EL MONOMERO DE DICHO POLIMERO Y SE CREAN LAS CONDICIONES DE FORMACION DE UN PLASMA FRIO DE MANERA A PROVOCAR UN REVESTIMIENTO DE DICHO MATERIAL POR DICHA DEPOSICION DE POLIMERO, CARACTERIZADO EN QUE, EN AL MENOS UNA REGION DE DICHO RECINTO, SE HACE ATRAVESAR A DICHO MATERIAL UN CAMPO MAGNETICO, DE MANERA A PROVOCAR EN DICHA REGION UNA VARIACION DE LA COMPOSICION DE DICHO DEPOSITO DE POLIMERO. LA INVENCION SE REFIERE TAMBIEN A UN DISPOSITIVO PARA LA IMPLEMENTACION DE ESTE PROCESO, Y A UN PRODUCTO ASI OBTENIDO.
SISTEMA DE PROCESO SIN AIRE.
(16/05/1998). Solicitante/s: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Inventor/es: NOWOTARSKI, MARK STEPHEN, BRESTOVANSKY, DENNIS FRANCIS, PLANTE, WALTER.
UN APARATO Y UN METODO PARA PROCESAR UNA PIEZA DE TRABAJO EN UN AMBIENTE SIN AIRE DEL GAS SELECCIONADO. UN RECIPIENTE DE PREPARACION TIENE UNA ABERTURA PARA LA ENTRADA DE LA PIEZA DE TRABAJO Y UN DIFUSOR ORIENTADO PARA EMITIR A TRAVES DE LA ABERTURA DEL RECIPIENTE UN FLUJO LAMINAR EN FORMA DE CORTINA DEL GAS SELECCIONADO QUE ENTRA, PURGA EL RECIPIENTE Y EVITA LA INFILTRACION DE AIRE. SE TRANSPORTA LA PIEZA DE TRABAJO SOBRE SU TRANSPORTADOR AL RECIPIENTE DE PREPARACION EN DONDE SE PURGA EL AIRE Y SE SUBSTITUYE POR EL GAS SELECCIONADO. UN RECIPIENTE DE PROCESO TIENE UN DIFUSOR Y UNA ABERTURA DE ENTRADA PARA PIEZAS DE TRABAJO SIMILARES. SE HACE QUE COINCIDAN LAS ABERTURAS DEL RECIPIENTE DE PREPARACION Y DE PROCESO Y SE INTRODUCE EL TRANSPORTADOR EN EL RECIPIENTE DE PROCESO PARA EL PROCESO DE LA PIEZA DE TRABAJO EN EL AMBIENTE DEL GAS SELECCIONADO SUMINISTRADO POR EL DIFUSOR DEL RECIPIENTE DE PROCESO.
PROCESO PARA CREAR UN DEPOSITO DE OXIDO DE SILICIO SOBRE UN SUSTRATO SOLIDO DE PASO.
(16/02/1998). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE SOFTAL ELECTRONIC GMBH. Inventor/es: COEURET, FRANCOIS, JOUVAUD, DOMINIQUE, SLOOTMAN, FRANK, BOUARD, PASCAL, PRINZ, ECKHARD.
SEGUN EL PROCESO SE SOMETE EL SUSTRATO A UNA DESCARGA ELECTRICA DE BARRERA DIELECTRICA, POR EJEMPLO UNA DESCARGA EN PRESENCIA DE UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE SILANO, GAS OXIDANTE NO N2O, CO2 U O2, PARTICULARMENTE Y UN GAS PORTADOR NEUTRO TAL COMO NITROGENO O ARGON. SE MANTIENE ALREDEDOR DEL ELECTRODO UTILIZADO PARA LA DESCARGA ELECTRICA UNA ATMOSFERA CONTROLADA QUE CONTIENE EL SILANO Y EL GAS OXIDANTE CERCA DEL ELECTRODO, EVITANDO QUE EL PROCESO SEA PERTURBADO POR EL AIRE ATMOSFERICO ARRASTRADO, POR EJEMPLO POR EL SUSTRATO DE PASO.
APARATO PARA TRATAMIENTOS RAPIDOS CON PLASMA Y METODO.
(16/03/1997). Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: FELTS, JOHN T., CHATHAM, ROBERT HOOD, III, COUNTRYWOOD, JOSEPH, NELSON, ROBERT J..
UN APARATO DE TRATAMIENTO DE PLASMA ES UTIL PARA REVESTIR SUBSTRATOS CON PELICULAS FINAS QUE TIENEN UNAS PROPIEDADES DE BARRERA DE VAPOR PARA PROPORCIONES DE DEPOSICION RELATIVAMENTE RAPIDAS. EL APARATO COMPRENDE UNA CAMARA EVACUABLE, UN ELECTRODO CARGADO ELECTRICAMENTE QUE DEFINE UNA SUPERFICIE DE REVESTIMIENTO DE PLASMA DENTRO DE LA CAMARA, Y UN BLINDAJE ESPACIADO UNA DISTANCIA DELTA TRANSVERSAL A LA SUPERFICIE DE REVESTIMIENTO DE PLASMA. DURANTE LOS TRATAMIENTOS DE PLASMA, EL PLASMA SE CONFINA DENTRO DE UNA DISTANCIA DELTA MIENTRAS UN SUBSTRATO SE DESPLAZA A TRAVES DEL PLASMA CONFINADO.
BARRAS DE PLASMA INTERFACIALES PARA APARATO DE DEPOSICION FOTOVOLTAICO.
(01/02/1997) EN UN APARATO CONTINUO PARA LA DEPOSICION POR DESCARGAS LUMINISCENTES DE PILAS SOLARES DE UNA ALEACION DE SILICIO AMORFO CON UNA CONFIGURACION TIPO P-I-N EN UNA PLURALIDAD DE CAMARAS DE DEPOSICION DEDICADAS, INTERCONECTADAS , UNA BARRA DE PLASMA (80A-D) COLOCADA DE MANERA OPERATIVA ENTRE AL MENOS LAS REGIONES DE PLASMA EN QUE SE DEPOSITAN LOS PARES DE CAPAS DEL MATERIAL DE ALEACION DE SILICIO AMORFO QUE DEFINEN LA UNION ENTRE SEMICONDUCTORES PRINCIPAL DE LA PILA SOLAR. LA BARRA DE PLASMA (80A-D) SE ENCUENTRA ADAPTADA PARA INICIAR UN PLASMA PARA ASI PREVENIR QUE LOS CONTAMINANTES QUIMICAMENTE ABSORBIDOS AFECTEN DE MANERA PERJUDICIAL A LA SUPERFICIE…
NITRURO DE TITANIO U OXIDO DE ESTAÑO QUE SE UNEN A UNA SUPERFICIE RECUBRIDORA.
(16/01/1996). Solicitante/s: GORDON, ROY GERALD. Inventor/es: GORDON, ROY GERALD.
UNA COBERTURA UTILIZADA PARA DEPOSITAR UN COMPUESTO EN UNA LAMINA DE VIDRIO CON LA SUPERFICIE RUGOSA. LA PORCION DEL COMPUESTO QUE TIENDE A ACUMULARSE EN LA SUPERFICIE DE COBERTURA SE FIJA A LA SUPERFICIE DE COBERTURA RUGOSA DE TAL MANERA QUE NO SE DESPRENDE DE LA SUPERFICIE DURANTE LA APLICACION DEL COMPUESTO AL VIDRIO.
ELEMENTO OBTURADOR PARA EL SUMINISTRO A TRAVES DE AL MENOS UN OBJETO ALARGADO TAL COMO UN HILO Y UN APARATO DE VACIO PROVISTO DE UNO O MAS DE TALES ELEMENTOS.
(16/06/1995). Solicitante/s: VENNIK, JOOST. Inventor/es: GOBIN, GUY, DE DONCKER, GEERT, COLPAERT, ALEX, VAN WASSENHOVE, NORBERT, HOOGEWIJS, ROBERT, FIERMANS,LUCIEN, DE GRYSE, ROGERVENNIK, JOOST.
ELEMENTO OBTURADOR PARA EL SUMINISTRO A TRAVES DE AL MENOS UN OBJETO ALARGADO TAL COMO UN HILO Y UN APARATO DE VACIO PROVISTO DE UNO O MAS DE TALES ELEMENTOS. LA INVENCION EXPONE UN ELEMENTO DE CIERRE QUE DEBE SER APLICADO CUANDO SE SUMINISTRA AL MENOS UN OBJETO ALARGADO, TAL COMO UN HILO, BANDA, A TRAVES DE LA PARED DE UN APARATO DE VACIO, COMPRENDE AL MENOS UN ARMAZON TUBULAR QUE PUEDE SER FIJADO EN RELACION DE CIERRE CON LA PARED DEL APARATO DE VACIO Y TIENE UN AREA DE SECCION TRANSVERSAL INTERNA MAYOR QUE EL AREA DE SECCION TRANSVERSAL DEL HILO, POR LO QUE EL ARMAZON COMPRENDE DOS O MAS PARTES DESMONTABLES QUE JUNTAS CONSTITUYEN AL MENOS PARTE DE LA LONGITUD DE LA CARCASA Y QUE SE ACOPLAN EN RELACION DE CIERRE MANTENIENDO UN AREA LIBRE DE SECCION TRANSVERSAL QUE A LO LARGO DE LA LONGITUD DE LA CARCASA ES MINIMIZANTE SUFICIENTE PARA PERMITIR EL SUMINISTRO TRANSVERSAL DE UN OBJETO ALARGADO.
PROCESO Y DISPOSITIVO DE REVESTIMIENTO DE UN PRODUCTO METALURGICO PARA CAPAS DE POLIMEROS, Y PRODUCTO OBTENIDO POR ESTE PROCESO.
(01/05/1995). Solicitante/s: SOLLAC S.A.. Inventor/es: SCHUSTER, FREDERIC, SEGUI, YVAN, MONGRELET, THIERRY, BARREAU, CORINNE, LECUYER, CAROLE.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO DE REVESTIMIENTO DE UN PRODUCTO METALURGICO , PARTICULARMENTE SIDERURGICO, SEGUN EL CUAL SE FORMA SOBRE LA SUPERFICIE DE DICHO PRODUCTO UNA PRIMERA CAPA POLIMERA ORGANICA QUE PROTEGE DICHO PRODUCTO CONTRA LA CORROSION, TAL COMO UN POLISILANO O UN POLISILOXANO, POR EXPOSICION DE DICHA SUPERFICIE A UN PLASMA DE BAJA TEMPERATURA EN UNA ATMOSFERA DE TRATAMIENTO QUE CONTIENE EN ESTADO GASEOSO EL MONOMERO DE DICHO PRIMER POLIMERO, CARACTERIZADO EN QUE SE FORMA SOBRE DICHA PRIMERA CAPA, UNA SEGUNDA CAPA DE UN SEGUNDO POLIMERO QUE PRESENTA UNA BUENA MOJABILIDAD DE SUPERFICIE, POR EXPOSICION DE LA SUPERFICIE DEL PRODUCTO A UN PLASMA EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE EN ESTADO GASEOSO EL MONOMERO DE DICHO SEGUNDO POLIMERO. LA INVENCION SE REFIERE TAMBIEN A DISPOSITIVOS PARA LA APLICACION DE ESTE PROCESO Y A LOS PRODUCTOS ASI OBTENIDOS.
REACTOR TERMICO CVD/PECVD Y SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE OXIDOS DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO MULTIETAPA DE PLANARIZACION IN-SITU.
(01/05/1994) SE PRESENTA UN REACTOR DE PROCESO SEMICONDUCTOR, DE PASTILLA SIMPLE, DE ALTO RENDIMIENTO, Y ELEVADA PRESION EL CUAL ES CAPAZ DE CVD TERMICO, CVD AUMENTADO POR PLASMA, RETROGRABADO ASISTIDO POR PLASMA, AUTOLIMPIEZA POR PLASMA, Y MODIFICACION TOPOGRAFICA DE DEPOSICION MEDIANTE DESINTEGRACION, SEA SEPARADAMENTE O COMO PARTE DE UN PROCESO DE MULTIPLES ETAPAS IN-SITU. EL REACTOR INCLUYE DISPOSITIVOS DE COOPERACION DE SUSCEPTORES ENTRELAZADOS Y DEDOS DE PATILLAS QUE EXTRAEN COLECTIVAMENTE LA PASTILLA DESDE UNA PALETA DE TRANSFERENCIA ROBOT Y COLOCAN LA PASTILLA CON UNA SEPARACION PARALELA Y CERCANA, CONTROLADA Y VARIABLE ENTRE LA PASTILLA Y EL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS A LA CAMARA VOLVIENDOLA DESPUES LA PASTILLA A LA PALETA. UN DISPOSITIVO DE ALIMENTACION COMBINADO RF/GAS PROTEGE CONTRA EL PROCESO DE PERDIDAS…
VAPORIZADOR DE FLUJO CONTROLADO.
(01/07/1993). Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: FELTS, JOHN T., HOFFMAN, ROBERT R., HOFMAN, JAMES J.
UN APARATO DE VAPORIZACION PORPORCIONA FLUJO DE VAPOR CONTROLADO CON PRECISION, PRACTICAMENTE CONTINUO, PARA USOS TALES COMO DEPOSICION DE VAPOR MEJORADA POR PLASMA. EL APARATO DE VAPORIZACION COMPRENDE UN PASADIZO A LO LARGO DEL CUAL HAY UN MEDIO DE BOMBEO , MEDIO DE VAPORIZACION Y MEDIO DE FLUJO , TODOS EN COMUNICACION FLUIDA CON EL PASADIZO. EL MEDIO DE VAPORIZACION VAPORIZA EL LIQUIDO BOMBEADO DEL MEDIO DE BOMBEO Y INCLUYE UNA CAPA SUMIDERO DE CALOR , UNA CAPA CALIENTE , Y UNA PARTE (212A) DEL PASADIZO CONECTADA ENTRE ELLAS. EL APARATO DE VAPORIZACION PUEDE SOSTENER UN TEMPANO DE VAPOR DE ORGANOSILICIO A UNA VELOCIDAD DE FLUJO DE 1-100 SCCM APROXIMADAMENTE DURANTE TANTO TIEMPO COMO SE DESEE.
