CIP 2015 : H01S 5/022 : Soportes; Encapsulados.

CIP2015HH01H01SH01S 5/00H01S 5/022[2] › Soportes; Encapsulados.

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN LA EMISION ESTIMULADA.

H01S 5/00 Láseres de semiconductor.

H01S 5/022 · · Soportes; Encapsulados.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistema y método de detección de heterodinos.

(29/07/2020) Un sistema de detección activa de heterodinos que comprende: una fuente de láser continuamente sintonizable configurada para emitir radiación infrarroja; un detector adaptado para la detección de heterodinos en un intervalo espectral continuo; medios configurados para dividir la radiación infrarroja en una primera parte y una segunda parte; medios configurados para proporcionar un desplazamiento de frecuencia entre la primera parte y la segunda parte; en donde el medio de desplazamiento de frecuencia es un modulador acústico-óptico, y en donde el desplazamiento de frecuencia se aplica a la primera parte de la radiación infrarroja; medios configurados para dirigir un modo de primer orden del modulador acústico-óptico al objetivo; en donde la segunda parte de la radiación infrarroja se proporciona…

Fuente de luz de semiconductor y procedimiento para fabricar una fuente de luz de semiconductor.

(14/08/2019) Un procedimiento para fabricar una fuente de luz de semiconductor que comprende un sustrato , una secuencia de capas dispuesta encima del sustrato que comprenden una capa emisora de luz (6a) y una capa límite superior (6b) dispuesta encima de la capa emisora de luz, una marca de alineación horizontal y áreas de contacto vertical que comprende: modelar (S102) la secuencia de capas con el fin de formar simultáneamente una franja emisora de luz para definir la fuente de luz de semiconductor, y una franja de alineación que se extiende en paralelo a la misma; aplicar (S104) una capa de cobertura sobre la secuencia de capas modelada ; caracterizado por: eliminar simultáneamente (S106) una primera parte de la capa de cobertura con…

Procedimiento y aparato para montar un láser de disco semiconductor (SDL).

(12/02/2019) Conjunto de aparato de refrigeración para montar un láser de disco semiconductor (SDL) , comprendiendo el conjunto de aparato de refrigeración : un difusor térmico cristalino que presenta un primer y un segundo lados opuestos, estando el primer lado del difusor térmico cristalino en contacto óptico con el SDL ; un disipador térmico que comprende un rebaje situado en una primera superficie del mismo; un material de relleno mecánicamente adaptable situado dentro del rebaje ; caracterizado por que una placa de sellado está fijada al disipador térmico para estar en contacto con la segunda superficie del difusor térmico cristalino y sumergir el SDL dentro del…

Dispositivo láser de semiconductor.

(15/03/2017) Un dispositivo láser de semiconductor que comprende: una base ; un elemento láser de semiconductor proporcionado encima de la base; una tapa proporcionada sobre la base y que aloja el elemento láser de semiconductor, teniendo la tapa un rebaje (13D) formado en una porción superior de la tapa, estando definido el rebaje por una superficie lateral y una parte inferior, y teniendo la tapa un agujero pasante (13C) formado en la parte inferior del rebaje; un miembro de soporte dispuesto en el rebaje y que tiene un agujero pasante (14C) dispuesto encima del agujero pasante de la tapa, siendo un diámetro del agujero pasante del miembro de soporte menor que un diámetro del agujero…

MODULO LASER.

(01/02/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: MONOCROM, S.L. Inventor/es: GALAN VALIENTE,MIGUEL.

Este módulo láser comprende: unos electrodos (11, 12 y 13) mutuamente enfrentados y conectados en orden alterno con polos opuestos; unos separadores aislantes dispuestos entre las superficies enfrentadas de los electrodos (11, 12 y 13) para impedir el contacto directo de los mismos y su cortocircuito; unos chips láser montados entre las superficies enfrentadas de dichos electrodos (11, 12 y 13) haciendo contacto con los mismos, y unos medios de apriete encargados de establecer la aproximación de los electrodos (11, 12 y 13) mutuamente enfrentados para asegurar su contacto con los chips láser posicionados entre los mismos, su alimentación eléctrica y la disipación del calor generado.

MODULO DE LASER.

(01/03/2001). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: KUKE, ALBRECHT, DR., HAUER, HEINER, MOESS, EBERHARD.

LA INVENCION SE REFIERE A UN MODULO CONECTOR DISEÑADO PARA ENLAZAR UN LASER SEMICONDUCTOR A UNA FIBRA OPTICA, EN PARTICULAR A UNA FIBRA DE MODO INDIVIDUAL. LOS MODULOS DE CONEXION DE TIPO PREVIO DE ESTA CLASE TIENEN OPTICAS DE ACOPLAMIENTO DE DOS LENTES, UN AISLADOR EN EL PASO DEL RAYO ENTRE LAS DOS LENTES Y UN DISPOSITIVO DE REFRIGERACION DE EFECTO PELTIER. EL LASER SEMICONDUCTOR ES MONTADO SOBRE UN CHIP. SE DESCRIBE UN MODULO DE CONEXION DE LASER QUE PUEDE SER FABRICADO DE FORMA PARTICULARMENTE SENCILLA SIN NECESIDAD DE MUCHOS AJUSTES. EL MODULO CONECTOR DISPONE DE UNA PLACA DE SUBSTRATO DE SILICIO SOBRE LA QUE SE ELABORAN MICROCARACTERISTICAS MECANICAS UTILIZANDO TECNICAS ANISOTROPICAS DE ATAQUE AL ACIDO. UNA MICROLENTE CILINDRICA, LA LENTE PRIMERA Y EL AISLADOR ESTAN COLOCADOS EN UNA PRIMERA RANURA . UN DIODO MONITOR ESTA LOCALIZADO EN UNA SEGUNDA RANURA . EL LASER SEMICONDUCTOR ESTA MONTADO SOBRE EL AREA DE PUENTE SOBRE LOS EXTREMOS DE LAS DOS RANURAS.

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