CIP 2015 : C30B 15/34 : Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción.

CIP2015CC30C30BC30B 15/00C30B 15/34[1] › Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción.

Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).

C30B 15/34 · Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Hilo de cristal en cinta para aumentar la productividad de obleas.

(21/08/2013) Un cristal en cinta que comprende: un cuerpo alargado que tiene una dimensión de anchura perpendicular a su longitud y una dimensión de grosorperpendicular a su anchura; y primer y segundo hilos incrustados dentro del cuerpo en extremos opuestos de la anchura y paralelos a lalongitud, estando caracterizado el cristal en cinta por: tener el primer hilo una forma de sección transversal generalmente alargada, teniendo la sección transversal del hiloun eje longitudinal que no es paralelo a la dimensión de anchura.

Hilo de baja humectación para cristales de cinta.

(21/03/2012) Hilo utilizado para formar un cristal de cinta de hilo que comprende un material cristalino, siendo dichomaterial cristalino silicio, y comprendiendo dicho hilo: - un sustrato de carbono ; - una capa refractaria de carburo de silicio sustentada en el sustrato; y - una capa expuesta exteriormente que forma un ángulo de contacto con el silicio de entre 15 y 120 grados, ypreferiblemente de más de 25 grados, estando dispuesta la capa expuesta exteriormente radialmente hacia elexterior de la capa refractaria.

MÉTODO Y APARATO PARA EL CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES, EN PARTICULAR DE CINTAS DE SILICIO.

(12/08/2011) Un proceso para el crecimiento de cintas de un material semiconductor, a saber de silicio, mediante la extracción de una zona fundida del citado material, caracterizado porque(a) la citada zona fundida se extiende a lo largo de la anchura de una placa de soporte hecha del citado material;(b) la citada zona fundida es mantenida mediante una corriente eléctrica paralela a la superficie de la citada cinta y perpendicular a la dirección de crecimiento de la citada cinta; (c) la citada zona fundida es alimentada por transferencia de material en el estado líquido desde uno o más depósitos del citado material, en los cuales es fundida la citada materia prima de los citados materiales, estando situados los…

PROCEDIMIENTO Y DISPOSICIÓN PARA LA FABRICACIÓN DE UN TUBO.

(20/07/2011) Procedimiento para la fabricación de un tubo cristalino a partir de un material como silicio a través de estiramiento del tubo desde una colada , que es generada por medio de la fundición del material alimentado a un crisol de fundición por medio de una calefacción , en el que la colada a traviesa un intersticio capilar que predetermina la geometría del tubo y se proyecta más allá de este intersticio con un menisco de una altura h, que pasa a un germen de cristal que corresponde a la geometría del tubo o bien a una zona marginal inferior de una sección estirada del tubo a fabricar, caracterizado porque la temperatura se ajusta por medio de regulación en zonas de la colada de manera independiente unas de las otras en función del espesor de pared t de la sección de…

APARATO PARA EL DESARROLLO DE UN CRISTAL POR EFG.

(14/01/2011) Aparato para desarrollar un cuerpo cristalino tubular de un material seleccionado por el Proceso EFG, comprendiendo el aparato: un crisol (20A) que tiene una pared inferior , una pared lateral exterior , y una pared lateral interior que definen un espacio interior para contener un suministro líquido de dicho material seleccionado, y una matriz capilar formada integral con dicha pared lateral exterior ; comprendiendo dicha matriz : (a) medios de punta en el extremo superior de dicha pared lateral exterior , para uso para soportar una interfaz de desarrollo de líquido/sólido y para controlar la configuración de dicho cuerpo cristalino , comprendiendo dichos medios de punta una superficie extrema superior y superficies exteriores interior y exterior que cortan a dicha superficie extrema…

PROCEDIDMIENTO Y APARATO PARA SACAR UNA CINTA DE CRISTAL.

(01/05/2006) Un aparato para sacar una tira de cristal de semiconductores continuamente desde un crisol , que comprende: un horno de crecimiento del cristal que tiene un crisol , una pareja de cintas sin fin (20a, 20b) para sacar continuamente una tira de cristal de semiconductores desde dicho crisol , comprendiendo dicho aparato: un dispositivo de control de la posición para ajustar mecánicamente una posición transversal de la tira de cristal de semiconductores , estando dispuesto dicho dispositivo de control de la posición en una trayectoria para extraer la tira de cristal de semiconductores desde el crisol , donde dicho dispositivo de control…

DIFUSION IN SITU DE IMPUREZAS DOPANTES DURANTE EL CRECIMIENTO DE RETICULA DENDRITICA DE UNA CINTA CRISTALINA DE SILICE.

(01/11/2004) SE DESCRIBEN UN PROCESO Y APARATO DE FORMACION DE UNA RED DENDRITICA PARA DIFUNDIR IMPUREZAS DE DOPANTES EN EL INTERIOR DE UNA RED DE CRISTALES DENDRITICOS CRECIENTES A FIN DE PRODUCIR ELEMENTOS FOTOVOLTAICOS. UNA FUENTE DE DIFUSION DE DOPANTE SOLIDO SE DISPONE EN UN SOPORTE MONTADO EN UN ELEMENTO TERMICO VERTICAL , BIEN SEA DENTRO DEL HORNO DE FUSION O FUERA DEL HORNO, JUNTO AL ORIFICIO DE SALIDA DEL MISMO. LA FUENTE SOLIDA DE DIFUSION SE CALIENTA POR CONDUCCION TERMICA DESDE EL ELEMENTO TERMICO VERTICAL Y EL SOPORTE DE LA FUENTE, UTILIZANDO EL CALOR DEL HORNO COMO FUENTE. SE PROPORCIONAN OPTATIVAMENTE BOBINAS CALENTADORES AUXILIARES ALREDEDOR DEL ELEMENTO TERMICO VERTICAL,…

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE LAMINAS SEMI-CONDUCTORAS.

(16/01/1986). Solicitante/s: BAYER AKTIENGESELLSCHAFT.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE LAMINAS SEMI-CONDUCTORAS. CONSISTE EN APLICAR EL SEMICONDUCTOR LIQUIDO CON AYUDA DE UN CUERPO MOLDEADOR SOBRE LA BASE HORIZONTAL QUE SE MUEVE DIRIGIDA EN PARALELO RESPECTO A LA BASE, DONDE EL CUERPO MOLDEADOR SE PUEDE MOVER EN SENTIDO VERTICAL A UNA VELOCIDAD DESDE 1 HASTA 20 M/MIN, PUDIENDOSE REGULAR TANTO LA TEMPERATURA DEL CUERPO MOLDEADOR COMO LA DE LA BASE Y ESTANDO ESTA INCLINADA HASTA G30J CON RESPECTO A LA HORIZONTAL. EL DISPOSITIVO COMPRENDE UN CUERPO MOLDEADOR SUJETO A UN BASTIDOR QUE SE LLENA CON FUSION DEL SEMICONDUCTOR A TRAVES DE UN EMBUDO , DONDE SU LIBERTAD DE MOVIMIENTO HACIA ABAJO ESTA LIMITADA POR EL SUSTRATO , DONDE EL CUERPO CONFORMADO FLOTA SOBRE UNA PELICULA DE LIQUIDO POR ENCIMA DE UNA CUÑA DE CRECIMIENTO.