CIP 2015 : H03K 17/00 : Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72;

disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52).

CIP2015HH03H03KH03K 17/00[m] › Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52).

H03K 17/04 · Modificaciones para acelerar la conmutación.

H03K 17/041 · · sin retroacción del circuito de salida hacia el circuito de control.

H03K 17/0412 · · · por medidas dispuestas en el circuito de control.

H03K 17/0414 · · · · Medidas contra la saturación.

H03K 17/0416 · · · por medidas dispuestas en el circuito de salida.

H03K 17/042 · · por retroacción del circuito de salida hacia el circuito de control.

H03K 17/0422 · · · Medidas contra la saturación.

H03K 17/0424 · · · por la utilización de un transformador.

H03K 17/06 · Modificaciones para asegurar un estado completamente conductor.

H03K 17/08 · Modificaciones para proteger el circuito de conmutación contra la sobreintensidad o sobretensión.

H03K 17/081 · · sin retroacción del circuito de salida hacia el circuito de control.

H03K 17/0812 · · · por medidas tomadas en el circuito de control.

H03K 17/0814 · · · por medidas tomadas en el circuito de salida.

H03K 17/082 · · por retroacción del circuito de salida hacia el circuito de control.

H03K 17/10 · Modificaciones para aumentar la tensión conmutada máxima admisible.

H03K 17/12 · Modificaciones para aumentar la corriente conmutada máxima admisible.

H03K 17/13 · Modificaciones para conmutar en el momento del paso por cero (producción de un impulso en el momento del paso por cero H03K 5/1536).

H03K 17/14 · Modificaciones para compensar las variaciones de valores físicos, p. ej. de la temperatura.

H03K 17/16 · Modificaciones para eliminar las tensiones o corrientes parásitas.

H03K 17/18 · Modificaciones para indicar el estado de un conmutador.

H03K 17/20 · Modificaciones para restablecer los órganos de conmutación con núcleo a un estado predeterminado.

H03K 17/22 · Modificaciones para asegurar un estado inicial predeterminado cuando la tensión de alimentación ha sido aplicada (generadores biestables H03K 3/12).

H03K 17/24 · · almacenando en memoria el estado real cuando la tensión de alimentación es defectuosa.

H03K 17/26 · Modificaciones para asegurar un blocaje temporal después de la recepción de impulsos de control.

H03K 17/28 · Modificaciones para introducir un retardo antes de la conmutación (interruptores de programa que permiten una elección de intervalos de tiempo para ejecutar varias operaciones de conmutación H03K 17/296).

H03K 17/284 · · en los conmutadores de transistores con efecto de campo.

H03K 17/288 · · en los conmutadores de tubos.

H03K 17/292 · · en los conmutadores de tiristor, de transistor uniunión o de transistor uniunión programable.

H03K 17/296 · Modificaciones para permitir una elección de intervalos de tiempo para ejecutar varias operaciones de conmutación y que paran automáticamente su funcionamiento cuando el programa ha terminado (relojes electrónicos con medios destinados a ser accionados en instantes elegidos de antemano o después de intervalos de tiempo predeterminados G04G 15/00).

H03K 17/30 · Modificaciones para suministrar un umbral predeterminado antes de la conmutación (formación de impulsos por aplicación de un umbral H03K 5/08).

H03K 17/51 · caracterizada por la utilización de componentes específicos (H03K 17/04 - H03K 17/30, H03K 17/94 tienen prioridad).

H03K 17/52 · · por la utilización, como elementos activos, de tubos de atmósfera gaseosa.

H03K 17/54 · · por la utilización, como elementos activos, de tubos de vacío (utilizando diodos H03K 17/74).

H03K 17/56 · · por la utilización, como elementos activos, de dispositivos semiconductores (utilizando diodos H03K 17/74).

H03K 17/567 · · · Circuitos caracterizados por la utilización de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores, p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT.

H03K 17/58 · · · siendo los dispositivos diodos túnel.

H03K 17/60 · · · siendo los dispositivos transistores bipolares (transistores bipolares con al menos cuatro electrodos H03K 17/72).

H03K 17/605 · · · · con aislamiento galvánico entre el circuito de control y el circuito de salida (H03K 17/78 tiene prioridad).

H03K 17/61 · · · · · utilizando un acoplamiento por transformador.

H03K 17/615 · · · · en una configuración Darlington.

H03K 17/62 · · · · Dispositivos de conmutación que tienen varios bornes de entrada y de salida, p. ej. multiplexores, distribuidores (circuitos lógicos H03K 19/00; convertidores de código H03M 5/00, H03M 7/00).

H03K 17/64 · · · · con cargas inductivas.

H03K 17/66 · · · · Dispositivos de conmutación para pasar la corriente en una u otra dirección a voluntad; Dispositivos de conmutación para invertir el sentido de la corriente a voluntad.

H03K 17/68 · · · · especialmente adaptados para conmutar corrientes o tensiones alternas.

H03K 17/687 · · · siendo los dispositivos transistores de efecto de campo.

H03K 17/689 · · · · con aislamiento galvánico entre el circuito de control y el circuito de salida (H03K 17/78 tiene prioridad).

H03K 17/691 · · · · · utilizando un acoplamiento por transformador.

H03K 17/693 · · · · Dispositivos de conmutación que tienen varios bornes de entrada y de salida, p. ej. multiplexores, distribuidores (circuitos lógicos H03K 19/00; convertidores de código H03M 5/00, H03M 7/00).

H03K 17/695 · · · · con cargas inductivas (protección de los circuitos de conmutación contra una tensión inducida por el ciclo de retorno H03K 17/08).

H03K 17/70 · · · con sólo dos electrodos y presentando una resistencia negativa (utilizando diodos túnel H03K 17/58).

H03K 17/72 · · · Dispositivos semiconductores bipolares con al menos tres uniones PN, p. ej. tiristores, transistores uniunión programables, o con al menos cuatro electrodos, p. ej. conmutadores controlados por silicio, o con dos electrodos conectados a la misma región de conductividad, p. ej. transistores uniunión.

H03K 17/722 · · · · con aislamiento galvánico entre el circuito de control y el circuito de salida (H03K 17/78 tiene prioridad).

H03K 17/723 · · · · · utilizando un acoplamiento por transformador.

H03K 17/725 · · · · para tensiones o corrientes alternas (H03K 17/722, H03K 17/735 tienen prioridad).

H03K 17/73 · · · · para tensiones o corrientes continuas (H03K 17/722, H03K 17/735 tienen prioridad).

H03K 17/732 · · · · · Medidas para permitir el bloqueo.

H03K 17/735 · · · · Dispositivos de conmutación que tienen varios bornes de entrada y de salida, p. ej. multiplexores, distribuidores (H03K 17/722 tiene prioridad; circuitos lógicos H03K 19/00; convertidores de código H03M 5/00, H03M 7/00).

H03K 17/74 · · por la utilización, como elemento activo, de diodos (por la utilización, de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores H03K 17/567; por la utilización de diodos túnel H03K 17/58; por la utilización de diodos de resistencia negativa H03K 17/70).

H03K 17/76 · · · Dispositivos de conmutación que tienen varios bornes de entrada y de salida, p. ej. multiplexores, distribuidores (circuitos lógicos H03K 19/00; convertidores de código H03M 5/00, H03M 7/00).

H03K 17/78 · · por la utilización, como elementos activos, de dispositivos opto-electrónicos, es decir, dispositivos emisores de luz y dispositivos fotoeléctricos acoplados eléctrica u ópticamente.

H03K 17/785 · · · controlando conmutadores de transistores de efecto de campo.

H03K 17/79 · · · controlando conmutadores de semiconductores con al menos tres uniones PN o al menos cuatro electrodos, o al menos dos electrodos conectados a la misma región de conductividad.

H03K 17/795 · · · controlando transistores bipolares.

H03K 17/80 · · por la utilización, como elementos activos, de dispositivos magnéticos o dieléctricos no lineales.

H03K 17/81 · · · Dispositivos de conmutación que tienen varios bornes de entrada y de salida, p. ej. multiplexores, distribuidores (circuitos lógicos H03K 19/00; convertidores de código H03M 5/00, H03M 7/00).

H03K 17/82 · · · siendo los dispositivos transfluxores.

H03K 17/84 · · · siendo los dispositivos de película delgada.

H03K 17/86 · · · siendo los dispositivos "twistors".

H03K 17/88 · · por la utilización, como elementos activos, de tubos de desviación de haz.

H03K 17/90 · · por la utilización, como elementos activos, de dispositivos galvanomagnéticos, p. ej. dispositivos de efecto Hall (H03K 17/95, H03K 17/97 tienen prioridad).

H03K 17/92 · · por la utilización, como elementos activos, de dispositivos superconductores.

H03K 17/94 · caracterizado por la manera en que son producidas las señales de control.

H03K 17/945 · · Conmutadores de proximidad (H03K 17/96 tiene prioridad).

H03K 17/95 · · · utilizando un detector magnético.

H03K 17/955 · · · utilizando un detector capacitivo.

H03K 17/96 · · Conmutadores de contacto (especialmente adaptados para su uso en relojes electrónicos sin partes móviles G04G 21/08).

H03K 17/965 · · Conmutadores accionados por el desplazamiento de un elemento incorporado en el conmutador.

H03K 17/967 · · · que tienen una pluralidad de elementos de control, p. ej. teclados (H03K 17/969, H03K 17/972, H03K 17/98 tienen prioridad).

H03K 17/968 · · · que utilizan dispositivos optoelectrónicos.

H03K 17/969 · · · · que tienen una pluralidad de elementos de control, p. ej. teclados.

H03K 17/97 · · · utilizando un elemento móvil magnético.

H03K 17/972 · · · · que tienen una pluralidad de elementos de control, p. ej. teclados.

H03K 17/975 · · · utilizando un elemento móvil capacitivo.

H03K 17/98 · · · · que tienen una pluralidad de elementos de control, p. ej. teclados.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Multiplexor de cambio de nivel de alta velocidad.

(29/04/2020) Un multiplexor de cambio de nivel , que comprende: un primer circuito de reducción de tensión acoplado a un primer nodo y que tiene una primera y una segunda entrada, donde el primer circuito de reducción de tensión está configurado para seleccionar una de las primera y segunda entradas en base a una o más señales de selección, para reducir la tensión del primer nodo si se selecciona la primera entrada y se lleva a un primer estado, y para reducir la tensión del primer nodo si se selecciona la segunda entrada y se lleva a un segundo estado; un segundo circuito de reducción de tensión acoplado a un segundo nodo y que tiene una tercera y una cuarta entrada, donde el segundo circuito de reducción de tensión está configurado para…

Circuitería para la determinación de una capacidad de un número de elementos sensores capacitivos.

(07/08/2019) Circuitería para la determinación de una capacidad de un número n de elementos sensores capacitivos (SE1∼SEn), cuya capacidad respectiva se modifica dependiendo del accionamiento, según el principio de condensador conmutado, que comprende un ciclo de carga y un ciclo de transferencia de carga, con - al menos un condensador central (CS1∼ CSm; CS1∼ CSk) - una fuente de tensión de referencia (RQ) - un dispositivo de evaluación (AE) eléctricamente conectado a al menos un condensador central, que evalúa la tensión presente en al menos un condensador central para la determinación de la capacidad de un…

Interruptor de protección electrónico.

(31/10/2018). Ver ilustración. Solicitante/s: ELLENBERGER & POENSGEN GMBH. Inventor/es: ASANZA MALDONADO,DIEGO FERNANDO.

Procedimiento para operar un interruptor de protección electrónico que presenta un interruptor de semiconductor conectado entre una entrada de tensión y una salida de carga , al que se suministra desde el lado de control, una señal de control (SG) derivada de la corriente de carga (IL, Ids) y de la tensión de la fuente de drenaje (Vds) en el lado de control, caracterizado porque la potencia (PFET) del interruptor de semiconductor durante el proceso de encendido de una carga (L) se ajusta de manera que es menor o igual a un valor de potencia máximo (Pmax).

PDF original: ES-2688162_T3.pdf

Circuito y procedimiento de accionamiento para MOSFET.

(15/06/2016) Un procedimiento de utilización de un circuito para accionar un dispositivo semiconductor de puerta aislada que comprende como un primer terminal una puerta y al menos terminales segundo y tercero , comprendiendo el circuito un dispositivo de almacenamiento de carga y medios de conmutación conectados en un circuito en serie a la puerta del dispositivo semiconductor para aplicar un pulso de carga desde el dispositivo de almacenamiento de carga a la puerta del dispositivo semiconductor a fin de conmutar el dispositivo semiconductor entre uno de un estado cerrado y un estado abierto y el otro del estado cerrado y del estado abierto, caracterizado porque la velocidad de conmutación de los medios de conmutación es menor que 2 ns por lo que la duración del…

INTERFACE PARA HABILITAR UNA ENTRADA AUXILIAR DE AUDIO EN UN EQUIPO DE SONIDO.

(24/04/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: DURAN BERMEJO, Iván. Inventor/es: DURAN BERMEJO,Iván.

Este modelo de utilidad se refiere a una interface universal para habilitar una entrada auxiliar en cualquier equipo de sonido, que comprende: - al menos un amplificador (AMP) conectado a esta entrada auxiliar universal, un conmutador, situado antes de las salidas de señal a los altavoces y un mando consistente en un pulsador, interruptor, decodifícador MP3, o similar, que activa dicho conmutador, determinando si el sonido de salida es el procedente del equipo original o el proveniente de dicha entrada auxiliar. La Interface para habilitar entrada auxiliar de audio prevé un medio para modificar la señal de sonido amplificada de aparato de audio original (OEM), que la convierte en una señal menos potente, adaptándola al rango de potencia admisible por la entrada de sonido del amplificador de dicha entrada auxiliar, situándose en este caso el conmutador de señal antes del amplificador de la entrada auxiliar universal, que la envía a los altavoces del equipo de sonido.

Sensor magnético de proximidad de efecto Hall biestable.

(26/03/2014) Sensor de proximidad magnético biestable que comprende una carcasa y un chip de efecto Hall , siendo dicho chip de efecto Hall de tipo monoestable, teniendo el chip de efecto Hall alojado en dicha carcasa, al menos un primer elemento magnético y un segundo elemento magnético , caracterizado porque dicho primer elemento magnético y dicho segundo elemento magnético están alojados respectivamente en la carcasa de forma que ambos tienen libertad de giro con el fin de mantener una condición de atracción magnética mutua orientándose según una polaridad respectiva del mismo signo de los elementos hacia dicho chip de efecto Hall .

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO DE CONEXION PARA LA EXCITACION DE UNA PLURALIDAD DE CIRCUITOS.

(16/07/2004) Procedimiento para la excitación de una pluralidad de circuitos (IC1, IC2, ..., ICn) que están unidos entre sí por medio de una conexión común para recibir una señal (UA) de excitación, comprendiendo cada uno de los circuitos de la pluralidad de circuitos un conmutador y un sensor que genera una señal útil que puede aplicarse al hilo conductor común de conexión, con lo que el conmutador comprende un elemento de conexión así como un elemento de conmutación, definiendo el elemento de conmutación una frecuencia (fR1, fR2, ..., fRn) de resonancia para el circuito, con lo que al menos dos circuitos de la pluralidad de circuitos tienen diferentes frecuencias de…

SUPRESOR DE ARCOS CON DOS TERMINALES.

(01/04/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: SCHWEITZER ENGINEERING LABORATORIES, INC.. Inventor/es: LEE, TONY J.

UN CIRCUITO DE SUPRESION DE ARCO QUE INCLUYE UN TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT) CONECTADO ENTRE LOS CONTACTOS DEL INTERRUPTOR ELECTRICO A PROTEGER. CUANDO LOS CONTACTOS SE ABREN, LA COMBINACION DE LA CAPACIDAD MILLER AÑADIDA Y LA CAPACIDAD DE PUERTA A EMISOR DEL IGBT PRODUCE LA ACTIVACION DEL IGBT . EL IGBT ES RAPIDAMENTE DESACTIVADO A CONTINUACION POR UN SEGUNDO TRANSISTOR , QUE SE ACTIVA CUANDO EL VOLTAJE A LO LARGO DEL CIRCUITO DE SUPRESION SE ELEVA COMO CONSECUENCIA, A SU VEZ, DE LA ACTIVACION DEL IGBT . LA ACTIVACION DEL SEGUNDO TRANSISTOR HACE QUE EL PRIMER TRANSISTOR DE POTENCIA SE DESACTIVE DE FORMA RAPIDA Y ABRUPTA DE MANERA QUE EN EL TRANSISTOR DE POTENCIA SE DISIPE UNA CANTIDAD RELATIVAMENTE PEQUEÑA DE LA ENERGIA DE CARGA.

INTERRUPTOR DE CARGA ELECTRONICO PARA AUTOMOVIL.

(16/04/1998). Solicitante/s: HELLA KG HUECK & CO.. Inventor/es: LANGE, PETRIK, DR., JENSS, VOLKER.

SE DESCRIBE UN INTERRUPTOR DE CARGA ELECTRONICO, QUE ES ELABORABLE DE FORMA SENCILLA Y CON COSTE ADECUADO, ASI COMO PUEDE SER UTILIZADO EN BASE A LA DISPOSICION DE CONTACTOS DE ENCHUFE. ES ESPECIALMENTE VENTAJOSO EN PARTICULAR PARA PROBLEMAS DE EVACUACION TERMICA A PARTIR DEL INTERRUPTOR DE POTENCIA ELECTRONICO, EN DONDE SE DISPONE ACOPLADO DE FORMA TERMICA Y ELECTRICA DIRECTAMENTE EN EL SOPORTE DE BOBINADO CONFIGURADO EN LA DISPOSICION DE CONTACTO DE ENCHUFE.

CIRCUITOS DE EXCITACION PARA LOS DISPOSITIVOS DE RAYOS LASER.

(16/01/1995) UN CIRCUITO MANEJADOR DE LASER APLICA PULSOS DE CORRIENTE A UN DIODO LASER PARA ACTIVAR EL DIODO Y QUE EMITA PULSOS DE RADIACION ADECUADOS PARA LA OPERACION DE UNA IMPRESORA LASER . UN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (FET) SE CONECTA EN SERIE CON EL DIODO LASER Y CON UN RESISTOR DE RETROALIMENTACION PARA APLICAR LOS PULSOS DE CORRIENTE, SIRVIENDO EL RESISTOR DE RETROALIMENTACION COMO FUENTE DE SEÑAL DE RETROALIMENTACION INDICATIVA DE LA MAGNITUD DEL FLUJO DE CORRIENTE. UN FOTODETECTOR DETECTA LA RADIACION EMITIDA POR UN DIODO LASER Y EMITE UNA SEÑAL DE RETRALIMENTACION OPTICA REPRESENTATIVA DE LA POTENCIA…

SISTEMA ELECTRONICO DE APERTURA Y CONTROL DE PUERTAS Y SIMILARES MEDIANTE TARJETAS CODIFICADAS.

(16/10/1988). Ver ilustración. Solicitante/s: INTERNATIONAL TECHNOLOGY INDUSTRIES, S.A. (I.T.I.S.A.). Inventor/es: COLLS CONCHS, MARTIN, XARNACH CONCHS, JOSE.

COMPRENDE UNA UNIDAD CENTRAL GENERADORA DE TARJETAS, QUE IMPRIME EN LA TARJETA LOS DATOS DEL USUARIO Y UN CODIGO DE BARRAS CORRESPONDIENTE A LA PUERTA O PUERTAS A ABRIR POR EL USUARIO, UNA UNIDAD DE LECTURA, QUE LEE LOS DATOS DE LA TARJETA, LOS COMPARA CON LOS DATOS ALMACENADOS EN LA MISMA UNIDAD, Y MANDA UNA SEÑAL A LA UNIDAD DE CIERRE CUANDO EL CODIGO DE LA TARJETA CORRESPONDE CON EL DE LA UNIDAD DE LECTURA, Y UNA UNIDAD DE CIERRE, QUE RECIBE LA SEÑAL DE LA UNIDAD DE LECTURA Y ACTUA SOBRE UN CIERRE MECANICO DE LA PUERTA. EL SISTEMA COMPRENDE DISTINTOS TIPOS DE TARJETAS CODIFICADAS, CADA UNA DE LAS CUALES PERMITE LA APERTURA DE UNA O VARIAS PUERTAS SEGUN EL CODIGO DE LA MISMA.

METODO DE INTERRUMPIR DE MODO SEGURO EL SUMINISTRO DE ENERGIA ELECTRICA A PARTIR DE UNA FUENTE DE TENSION ELECTRICA DE BAJA FRECUENCIA O DIRECTA A UNA CARGA.

(01/09/1984). Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON.

METODO Y APARATO PARA INTERRUMPIR DE MODO SEGURO EL SUMINISTRO DE ENERGIA ELECTRICA PROCEDENTE DE UNA FUENTE DE TENSION ELECTRICA EN BAJA FRECUENCIA O CONTINUA A UNA CARGA.CONSISTENTE EN QUE LA TENSION DE SALIDA (A) DE LA FUENTE ES TROCEADA POR UN DISPOSITIVO VIBRADOR O TROCEADOR , CAMBIANDOLA EN TENSION ALTERNA DE ALTA FRECUENCIA (E, F) EN RESPUESTA A UNA SEÑAL (B) DE ENTRADA DE UNA SEÑAL DE ALTA FRECUENCIA AL MENCIONADO DISPOSITIVO TROCEADOR Y ES TRANSFERIDA DESDE EL PRIMARIO AL SECUNDARIO DE UN TRANSFORMADOR ASI COMO RECTIFICADAY FILTRADA PARA FORMAR UNA TENSION (K) APLICADA A LA LAMPARA SEÑALIZADORA , TENIENDO DICHA TENSION (K) LA FORMA DE ONDA CORRESPONDIENTE A LA FORMA DE ONDA DE LA TENSION DE SALIDA (A) DE LA FUENTE .TIENE APLICACION PARA LA SEÑALIZACION EN VIAS DE FERROCARRIL.

PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN CIRCUITO DE MUESTREO DE SEÑAL.

(16/08/1984). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN CIRCUITO DE MUESTREO DE SEÑAL.CONSISTEN EN UNA FUENTE DE TENSION DE REFERENCIA VREF; ELEMENTOS DE POLARIZACION; ELEMENTOS DE UTILIZACION DE SEÑAL; UN PRIMER Y SEGUNDO AMPLIFICADORES CADA UNO CON ENTRADA ACOPLADA A LOS ELEMENTOS DE POLARIZACION Y UNA SALIDA; PRIMEROS DISPOSITIVOS DE CONMUTACION PARA ACEPTAR SELECTIVAMENTE LA SALIDA DEL PRIMER AMPLIFICADOR CON VREF Y ASI ESTABLECER UN ESTADO DE REFERENCIA PARA LOS MEDIOS DE POLARIZACION; SEGUNDOS DISPOSITIVOS DE CONMUTACION PARA ACOPLAR SELECTIVAMENTE LA SALIDA DEL SEGUNDOAMPLIFICADOR A LOS ELEMENTOS DE UTILIZACION DE SEÑAL DURANTE EL INTERVALO DE MUESTREO; EL PRIMER Y SEGUNDO AMPLIFICADOR PRODUCEN LA MISMA SEÑAL DE SALIDA AL FINAL DE INTERVALO DE REFERENCIA.

CUADRO DE MANDOS CON CONTACTOS SUPERFICIALES.

(01/08/1981). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE.

INTERRUPTOR POR RAYOS INFRARROJOS. TRAS UN CRISTAL , CON UNA CAPA OPACA QUE LLEVA UNA VENTANA CON UN CEMENTO DE PLATA TRANSPARENTE A LOS RAYOS INFRARROJOS Y OPACO A LA LUZ VISIBLE, SE SITUA UN DIODO EMISOR DE RAYOS INFRARROJOS CONCENTRADOS POR UNA LENTE EN UN PUNTO DE LA SUPERFICIE ACCESIBLE DEL CRISTAL , RODEADO POR UNA MARCA , DONDE, AL PONER EL DEDO, U OTRO OBJETO, SE REFLEJAN Y LLEGAN A UN FOTOTRANSISTOR, SENSIBLE A RAYOS INFRARROJOS, QUE SE EXCITA, ENTRANDO EN CONDUCCION. APLICACION A CUADROS DE MANDO.

PROCEDIMIENTO DE ACTUACION SOBRE SISTEMAS DE SEGURIDAD, MEDIANTE INFORMACION CONTROLADA.

(01/11/1976). Solicitante/s: GOMEZ Y PEREZ,FRANCISCO.

Resumen no disponible.

PERFECCIONAMIENTOS EN EMISORES DE ORDENES SIN CONTACTO.

(16/08/1976). Solicitante/s: SIENMENS AKTIENGESELLSCHAFT DE BERLIN Y MUNCHEN.

Resumen no disponible.

UN DISPOSITIVO CONMUTADORA.

(16/08/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Disposición conmutadora que comprende una fuente de tensión continua que tiene n derivaciones a las cuales están conectadas n impedancias, preferentemente idénticas, comprendiendo cada una la combinación serie de un resistor óhmico y un elemento no lineal, estando conectados los extremos de las impedancias alojados de las n derivaciones a un conductor común, mientras que entre este conductor y un lado de la fuente de tensión continua se incluye otra fuente de tensión, de tensión de salida variable, caracterizada por el hecho de que cada elemento no lineal es un elemento que tiene una impedancia que disminuye durante un aumento del valor absoluto de la tensión suministrada.

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .