Procedimiento para preparar un material magnético permanente de tierras raras con una difusión intercristalina utilizando una diana compuesta mediante deposición en fase vapor.

Un procedimiento para preparar un material magnético permanente de tierras raras con una difusión intercristalina utilizando una diana compuesta mediante deposición en fase vapor,

que comprende:

etapa 1 de:

preparar la diana compuesta que tiene la fórmula química H100-x-yMxQy, en la que:

H es Dy y/o Tb,

M es Nd y/o Pr,

Q es uno o más elementos seleccionados del grupo de Cu, Al, Zn y Sn,

x está en el intervalo de 0 a 20 y está en el intervalo de 0 a 40 son porcentajes atómicos de la composición correspondiente en la diana compuesta, y

x e y no pueden ser cero simultáneamente;

etapa 2 de:

mecanizar un imán sinterizado de NdFeB para formar el imán con forma y tamaño requeridos, y luego limpiar y secar la superficie del imán, obteniendo, de ese modo, un imán de NdFeB que ha de ser tratado;

etapa 3 de:

apilar, de forma alterna, la diana compuesta y el imán de NdFeB que ha de ser tratado, a su vez, y colocándolos en un equipo de procesamiento, siendo tanto la capa superior como la capa inferior las dianas compuestas, revestir la superficie del imán de NdFeB que ha de ser tratada con la película metálica con la condición especificada utilizando la diana compuesta como fuente de evaporación y generando una difusión intercristalina, y luego enfriar junto con el equipo de procesamiento, obteniendo, de ese modo, un imán de NdFeB que ha generado una difusión; y

etapa 4 de:

templar el imán de NdFeB que ha generado una difusión para revestir uniformemente el exterior de las partículas de fase primaria con la fase de junta intergranular, obteniendo, de ese modo, un imán cuyo rendimiento es mejorado;

caracterizado porque la diana compuesta es Tb95Cu5, Tb98Al2 o Tb95,9Dy0,4Nd0,7Zn2Sn1.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/CN2015/093951.

Solicitante: Advanced Technology & Materials Co., Ltd.

Inventor/es: LIU,Tao, ZHOU,LEI, LIN,DE, YU,XIAOJUN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C14/24 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento (tubos de descarga provistos de medios que permiten la introducción de objetos o de un material para ser expuestos a la descarga H01J 37/00). › Evaporación en vacío.
  • H01F1/057 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS.H01F 1/00 Imanes o cuerpos magnéticos, caracterizados por los materiales magnéticos pertinentes; Empleo de materiales específicos por sus propiedades magnéticas. › y elementos del grupo IIIa, p. ej. Nd 2 Fe 14 B.
  • H01F41/02 H01F […] › H01F 41/00 Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación o al acoplamiento de dispositivos cubiertos por la presente subclase. › para la fabricación de núcleos, bobinas o imanes (H01F 41/14 tiene prioridad).

PDF original: ES-2699949_T3.pdf

 

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