Dispositivo semiconductor de baja capacitancia.

Dispositivo de protección contra sobretensión del tipo que presenta un chip semiconductor de cuatro capas y por lo menos dos terminales,

en el que la conducción se produce desde una cara de dicho chip hasta una cara opuesta de dicho chip cuando se aplica al dispositivo una tensión que supera un voltaje de transición conductiva, comprendiendo el dispositivo de protección contra sobretensión:

una o más zonas enterradas (60) de dopante formadas en una superficie de una capa semiconductora de dicho dispositivo de protección contra sobretensión, comprendiendo cada una de dichas zonas enterradas dos zonas semiconductoras unidas por una unión PN, y definiendo una concentración de impurezas de dichas zonas enterradas en parte el voltaje de transición conductiva de dicho dispositivo de protección contra sobretensión; y

una capa epitaxial (40) de material semiconductor formada sobre dicha capa semiconductora para cubrir dichas zonas enterradas.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2008/010197.

Solicitante: LITTELFUSE, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 800 East Northwest Highway Des Plaines, IL 60016-3096 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: RODRIGUES,RICHARD A.

Fecha de Publicación: 2 de Mayo de 2018.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L27/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
H01L29/87 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Diodos tiristor, p. ej. diodos Schockley, diodos de transición conductora (break-over diodes).
H02H3/20 H […] › H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA. › H02H CIRCUITOS DE PROTECCION DE SEGURIDAD (indicación o señalización de condiciones de trabajo indeseables G01R, p. ej. G01R 31/00, G08B; localización de defectos a lo largo de las líneas G01R 31/08; dispositivos de protección H01H). › H02H 3/00 Circuitos de protección de seguridad para desconexión automática respondiendo directamente a un cambio indeseado de las condiciones eléctricas normales de trabajo con o sin reconexión (especialmente adaptados para máquinas o aparatos de tipos especiales o para la protección seccional de sistemas de cables o líneas H02H 7/00; sistemas para conmutación de la alimentación de reserva H02J 9/00). › sensibles a un exceso de tensión.

PDF original: ES-2674724_T3.pdf

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