Substrato transparente provisto de un electrodo.
Substrato transparente, en particular, de vidrio, provisto de un electrodo,
en particular, para célula solar, que incluye una capa conductora a base de molibdeno Mo, caracterizado porque dicha capa a base de molibdeno es a lo sumo de 500 nm de espesor, en particular, a lo sumo de 400 nm o a lo sumo de 300 nm o a lo sumo de 200 nm y porque el electrodo incluye al menos una capa conductora complementaria, diferente de la capa a base de molibdeno, siendo la capa conductora complementaria M a base de metal o de aleación metálica y por debajo de la capa conductora a base de molibdeno Mo, porque el electrodo incluye al menos una capa conductora complementaria M'N a base de un nitruro sub-estequiométrico, estequiométrico o sobre-estequiométrico, en nitrógeno, de al menos uno de los siguientes metales: Ta, Zr, Nb, Ti, Mo, Hf, y porque la capa M'N está por debajo de la capa a base de molibdeno Mo y dispuesta entre la capa M y la capa a base de Mo.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E11170582.
Solicitante: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 18, AVENUE D'ALSACE 92400 COURBEVOIE FRANCIA.
Inventor/es: RONDEAU, VERONIQUE, BLIESKE,ULF, JANKE,Nikolas, FIX,RENAUD, HEITZ,THIBAUT, NEANDER,BERTRAND.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/0392 H01L 31/00 […] › comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.
- H01L31/0749 H01L 31/00 […] › incluyendo un compuesto A I B III C VI , p. ej. células solares de heterounión CdS/CuInSe2 [CIS].
PDF original: ES-2627686_T3.pdf
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