Métodos para la fabricación de dispositivos termoeléctricos de película gruesa.

Un proceso para producir una película gruesa con una microestructura precursora de volumen libre relativamente grande,

que comprende las etapas de:

formar un polvo que comprende elementos, aleaciones o compuestos, con tamaños de partícula de los constituyentes iniciales de tal tamaño que se puede formar una capa del polvo sobre un sustrato;

estando el proceso caracterizado por:

combinar dicho polvo con un vehículo que es capaz de volatilizarse a una temperatura elevada sin residuo, y un agente adelgazante, también capaz de volatilizarse, para formar una pasta de viscosidad deseada como un medio para depositar dicho polvo, donde la relación entre volumen de polvo y vehículo permite que la mayoría de las partículas entren en contacto parcial entre sí;

depositar dicha pasta para formar una capa mediante serigrafía, impresión de estarcido, pulverización, o mediante cualquier otro medio adecuado que pueda formar una capa de las partículas dentro del vehículo sobre un sustrato con dicho vehículo capaz de volatilizarse;

secar dicha capa a una temperatura relativamente baja para volatilizar y eliminar el agente adelgazante;

sinterizar dicha capa mientras simultáneamente se volatiliza y se retira dicho vehículo en la pasta, de manera que la mayoría, si no todo el vehículo, dentro de la pasta deja un volumen libre dentro de la capa, y en donde dichas partículas se convierten en una microestructura interconectada dentro de la capa, y por lo tanto capaces de soportarse por sí mismas estructuralmente en forma de capas, y tiene una suficiente estabilidad estructural para un procesamiento posterior;

presionar dicha capa sinterizada a la presión deseada y suficiente para proporcionar una densificación deseada en la capa para reducir el alto volumen libre para obtener las propiedades deseadas del material después de la densificación, produciendo de este modo una película gruesa.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E14190184.

Solicitante: Berken Energy LLC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 2400 Midpoint Drive Fort Collins, CO 80525 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: PETKIE,RONALD.

Fecha de Publicación: 30 de Agosto de 2017.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L35/16 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con teluro, selenio, o azufre.
H01L35/34 H01L 35/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

PDF original: ES-2650539_T3.pdf

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