Pulsador de avalancha.
Un circuito (100, 300) para generar un impulso que comprende:
un transistor (101,
301) construido y dispuesto para que sea operable en un modo de avalancha; y un circuito (130) de generación de impulsos construido y dispuesto para recibir por lo menos una señal de entrada de activador, generar un impulso de voltaje que tiene una duración menor que un tiempo de avalancha del transistor (101, 301) en respuesta a por lo menos una porción de por lo menos una señal de entrada de activador, y transmitir el impulso de voltaje a una terminal del transistor (101, 301);
en donde el transistor (101, 301) se construye y dispone para emitir un impulso de avalancha desde por lo menos una terminal del transistor (101, 301) en respuesta al impulso de voltaje; caracterizado porque el circuito (100, 300) comprende adicionalmente: por lo menos un generador de polaridad negativa construido y dispuesto para generar un voltaje negativo;
en donde el circuito (130) de generación de impulsos comprende:
por lo menos un diodo (131, 311) de recuperación de paso (SRD) referenciado para el voltaje negativo en un cátodo de por lo menos un SRD (131, 311), en donde el SRD (131, 311) se construye y dispone para recibir por lo menos una señal de entrada de activador en un ánodo de por lo menos un SRD (131, 311), almacenar la carga cuando por lo menos una señal de entrada de activador tenga un voltaje positivo, y detener el almacenamiento de carga cuando por lo menos una señal de entrada de activador tiene un voltaje negativo; y
por lo menos un inductor (133) construido y dispuesto para generar el impulso de voltaje después de que por lo menos un SRD (131, 311) detiene el almacenamiento de carga.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2012/050892.
Solicitante: NIITEK, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 23031 LADBROOK DRIVE DULLES, VA 20166 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: BANDELL,HOWARD M.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01S13/88 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01S LOCALIZACION DE LA DIRECCION POR RADIO; RADIONAVEGACION; DETERMINACION DE LA DISTANCIA O DE LA VELOCIDAD MEDIANTE EL USO DE ONDAS DE RADIO; LOCALIZACION O DETECCION DE PRESENCIA MEDIANTE EL USO DE LA REFLEXION O RERRADIACION DE ONDAS DE RADIO; DISPOSICIONES ANALOGAS QUE UTILIZAN OTRAS ONDAS. › G01S 13/00 Sistemas que utilizan la reflexión o la rerradiación de ondas de radio, p. ej. sistemas de radar; Sistemas análogos que utilizan la reflexión o la rerradiación de ondas cuya naturaleza o longitud de onda sea irrelevante o no especificada. › Sistemas de radar o análogos especialmente adaptados para aplicaciones específicas (prospección o detección electromagnética de objetos, p. ej. detección de campo cercano, G01V 3/00).
- G01S7/03 G01S […] › G01S 7/00 Detalles de sistemas según los grupos G01S 13/00, G01S 15/00, G01S 17/00. › Detalles de subsistemas de HF especialmente adaptados a ellos, p. ej. comunes a transmisor y a receptor.
- H03K3/335 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 3/00 Circuitos para la generación de impulsos eléctricos; Circuitos monoestables, biestables o multiestables (H03K 4/00 tiene prioridad; para generadores de funciones digitales en ordenadores G06F 1/02). › por la utilización como elementos activos de dispositivos semiconductores con más de dos electrodos y que presentan el efecto de avalancha.
PDF original: ES-2556582_T3.pdf
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