Circuito resonante para controlar un elemento piezoeléctrico.
Un circuito para un dispositivo emisor de material volátil, que comprende:
una bomba piezoeléctrica (58, 166) que incluye una impedancia (168) conectada en serie con un elemento piezoeléctrico (62), en el que la impedancia y el elemento piezoeléctrico (62) forman un circuito tanque (168,62) que tiene una frecuencia de resonancia;
un controlador (164) conectado a la bomba piezoeléctrica; en el que el controlador comprende cuatro transistores (180, 182, 184. 186) acoplados en una configuración de puente completo, que tiene el primer y segundo transistores (180, 184) de canal p con sus respectivos electrodos fuente acoplados a una alimentación de alta tensión y el primer y segundo transistores (182, 186) de canal n con sus respectivos electrodos fuente acoplados a masa, estando el electrodo de drenaje del primer transistor (180) de canal p conectado al electrodo de drenaje del primer transistor (182) de canal n para formar un primer pin de salida (SALIDA1) y estando el electrodo de drenaje del segundo transistor (184) de canal p conectado al electrodo de drenaje del segundo transistor (186) de canal n para formar un segundo pin de salida (SALIDA2) , en los que el circuito tanque (168, 62) está conectado entre el primer pin de salida (SALIDA1) y el segundo pin de salida (SALIDA2);
en el que el controlador (164) está adaptado para generar una forma de onda de control para controlar los transistores (180, 182, 184, 186) en uno de un primer y segundo estados que comprenden un primer estado en el cual el primer transistor (180) de canal p y el segundo transistor (186) de canal n están activados "ON" y el segundo transistor (184) de canal p y el primer transistor (182) de canal n están en corte "OFF", y un segundo estado en el cual el primer transistor (180) de canal p y el segundo transistor (186) de canal n están en corte "OFF" y el segundo transistor (184) de canal p y el primer transistor (182) de canal n están activados "ON";
caracterizado por que el circuito además comprende:
un primer y segundo comparadores (192, 194) acoplados entre el controlador (164) y el circuito tanque (168, 62), en el que los comparadores (192, 194) están adaptados para detectar un parámetro de la alimentación aplicada a la bomba piezoeléctrica (58, 166) por el controlador (164) para operar la bomba piezoeléctrica (58, 166) en una frecuencia de resonancia mecánica de la misma;
teniendo dicho primer comparador (192) sus entradas conectadas entre el primer pin de salida (SALIDA1) y masa;
teniendo dicho segundo comparador (194) sus entradas conectadas entre el segundo pin de salida (SALIDA2) y masa;
estando el controlador configurado para conmutar al primer estado cuando el primer comparador (192) detecta un paso por cero de la tensión a través de sus entradas que representa un paso por cero de la corriente en el primer transistor (182) de canal n, y para conmutar al segundo estado cuando el segundo comparador (194) detecta un paso por cero de la tensión a través de sus entradas que representa un paso por cero de la corriente en el segundo transistor (186) de canal n.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2010/002955.
Solicitante: S. C. JOHNSON & SON, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1525 HOWE STREET RACINE, WI 53403 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: SIPINSKI,GENE, NORWOOD,RICHARD L, LUC,TAI P.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L41/04 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › de elementos piezoeléctricos o electroestrictivos.
PDF original: ES-2571985_T3.pdf
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