Procedimiento de fabricación de un transductor ultrasónico de alta temperatura que utiliza un cristal de niobato de litio soldado con oro e indio.
Procedimiento de fabricación de un transductor ultrasónico de alta temperatura,
comprendiendo dicho transductor un electrodo superior (2) de acero o metal, un convertidor (3) de material piezoeléctrico y un soporte (1) en acero o metal que asegura la interfaz entre el convertidor y el medio de propagación de las ondas acústicas, una primera unión (J1) entre el soporte y el material piezoeléctrico, una segunda unión (J2) entre el convertidor y el electrodo superior, caracterizado por que comprende las etapas siguientes para realizar dichas uniones:
- el depósito de una capa de oro seguida del depósito de una capa de indio sobre una de las caras del electrodo superior, sobre las dos caras del convertidor y sobre una cara del soporte de acero;
- el apilado del soporte, del convertidor y del electrodo superior, mantenido bajo presión;
- la realización de la primera unión y de la segunda unión a base de compuestos de oro y de indio, mediante una operación de soldadura y de difusión;
- incluyendo dicha operación de soldadura y de difusión las etapas siguientes:
• una primera etapa de elevación de temperatura a una primera temperatura comprendida entre aproximadamente 150 °C y aproximadamente 400 °C y el mantenimiento a esta primera temperatura durante una primera duración correspondiente a un primer escalón;
• una segunda etapa de elevación de la temperatura a una segunda temperatura comprendida entre aproximadamente 400 °C y aproximadamente 1000 °C y el mantenimiento a esta segunda temperatura durante una segunda duración correspondiente a un segundo escalón.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2012/062675.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 25, rue Leblanc, Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FRANCIA.
Inventor/es: LHUILLIER, CHRISTIAN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B06B1/06 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B06 PRODUCCION O TRANSMISION DE VIBRACIONES MECANICAS, EN GENERAL. › B06B PRODUCCION O TRANSMISION DE VIBRACIONES MECANICAS EN GENERAL (para las aplicaciones particulares, ver las subclases correspondientes, p. ej. B07B 1/40, B22C 19/06, B23Q 17/12, B24B 31/06, E01C 19/22; medida de vibraciones mecánicas o de ondas ultrasonoras, sonoras o infrasonoras G01H; sistemas que utilizan la reflexión o la rerradiación de ondas acústicas G01S 15/00; producción de energía sísmica para la prospección G01V 1/02; control de las vibraciones mecánicas G05D 19/00; procedimientos o dispositivos para transmitir, conducir o dirigir el sonido, en general G10K 11/00; síntesis de ondas acústicas G10K 15/02; elementos piezoeléctricos, electroestrictivos o magnetoestrictivos H01L 41/00; motores con imán, inducido o sistema de bobina vibrantes H02K 33/00; motores que utilizan el efecto piezoeléctrico, la electroestrición o la magnetoestrición H02N 2/00; producción de oscilaciones eléctricas H03B; resonadores electromecánicos como elementos de circuitos resonantes H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R). › B06B 1/00 Métodos o aparatos para producir vibraciones mecánicas de frecuencia infrasonora, sonora o ultrasonora. › que funcionan por efecto piezoeléctrico o por electrostricción (dispositivos piezoeléctricos o electrostrictivos en sí H01L 41/00).
- G21C17/025 FISICA. › G21 FISICA NUCLEAR; TECNICA NUCLEAR. › G21C REACTORES NUCLEARES (reactores de fusión, reactores híbridos fisión-fusión G21B; explosivos nucleares G21J). › G21C 17/00 Monitorización; Ensayos. › para la vigilancia de refrigerantes constituidos por metales líquidos.
- H01L41/29 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Formación de electrodos, cables o disposiciones para terminales.
- H01L41/313 H01L 41/00 […] › mediante la fusión de metal o con adhesivos.
PDF original: ES-2551082_T3.pdf
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