COMPONENTE SEMICONDUCTOR DE NITRURO Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN.

Procedimiento para la generación de una estructura estratificada (102) de un componente semiconductor de nitruro sobre una superficie de silicio que comprende las siguientes etapas:

- disponer un sustrato (104) que tiene una superficie de silicio; - depositar una capa de germen de nitruro (106) que contiene aluminio sobre la superficie de silicio del sustrato (104); - opcionalmente: depositar una capa tampón de nitruro (A) que contiene aluminio sobre la capa de germen de nitruro; - depositar una capa de máscara (108, B) sobre la capa de germen de nitruro o sobre la primera capa de tampón de nitruro, si existe; - depositar una primera capa de semiconductor de nitruro (110) que contiene galio sobre la capa de enmascarado, de manera que - la primera capa semiconductora de nitruro es depositada en forma de capa sometida a esfuerzos de compresión sobre la capa de enmascarado, caracterizado porque - la capa de máscara es depositada de manera tal que, en la etapa de depósito de la primera capa de semiconductor de nitruro (110), crecen inicialmente cristalitos separados que se reúnen por encima de un grosor de la capa de coalescencia y ocupan un área promedio comprendida entre 0,16 µm² y 0,36 µm² por cristalito en un plano de capa perpendicular a la dirección de crecimiento de la capa de semiconductor de nitruro (110) de coalescencia, - y que la capa de máscara (108, B) es depositada con un grosor de capa que permite la formación de la capa superficial cerrada en más de 95% sobre la primera capa de semiconductor de nitruro que crece inicialmente en forma de cristalitos separados desde una separación de, como mínimo, 600 nm como promedio desde la capa de enmascarado, - y que la primera capa de semiconductor de nitruro (110) que contiene galio es depositada sobre la capa de máscara sin utilizar parámetros de crecimiento que favorezcan la coalescencia

La presente invención se refiere a un procedimiento para la fabricación de una estructura estratificada de un componente semiconductor de nitruro sobre una superficie de silicio. Además, la invención se refiere a un procedimiento para la fabricación de un componente semiconductor de nitruro. Finalmente, la invención se refiere a un elemento componente semiconductor de nitruro, en especial, un diodo generador de luz de capa delgada en base a un semiconductor

semiconductores que contienen uno o varios elementos del tercer grupo principal de la tabla periódica de elementos, así como uno o varios elementos del quinto grupo principal de la propia tabla. A ellos pertenecen, por ejemplo, los semiconductores GaN, InGaN, InGaAsN, AlGaN, etc. Otras designaciones habituales para los semiconductores de nitruro en el sentido de la presente solicitud son nitruro de grupo III, nitruro de grupo III-V. Estas designaciones se utilizarán con la misma significación en la presente descripción.

Los semiconductores de nitruro son aplicables

especialmente en estructuras de emisión de luz que emiten

en los sectores visibles y ultravioleta del espectro. Además, se conocen también componentes semiconductores electrónicos de nitruro, tales como transistores HEM (en inglés, high electron mobility) que son apropiados, en especial, para aplicaciones de alta frecuencia en la técnica de transmisión por radio. Los componentes semiconductores son aplicables en forma de los llamados “Dispositivos de Potencia” en electrónica de alta potencia.

La homoepitaxis económica de la estructura estratificada de un componente de nitruro no es comercialmente interesante a causa de la reducida dimensión y calidad de los sustratos disponibles a base de nitruro. Los componentes semiconductores de nitruro disponibles, tales como los llamados diodos de luz azules y verdes contienen, por lo tanto, estructuras estratificadas que han sido conseguidas por depósitos de sustratos de zafiro (Al2O3) o carburo de silicio (SiC). Estos materiales del sustrato tienen diferentes inconvenientes. Por una parte son caros. Por otra, los sustratos habituales de estos materiales son comparativamente pequeños, de manera que los costes de fabricación por componente se incrementan en base al rendimiento relativamente reducido con determinadas superficies de sustratos. Además, se debe tener en cuenta la gran dureza de estos materiales, que en la escala de Mohs se encuentra por encima de 9 y requiere una mecanización que es posible solamente con sierras y materiales de rectificado de diamante.

Por esta razón, para un crecimiento en una superficie

grande se recurre principalmente a sustratos de silicio

estructuras estratificadas de semiconductores de nitruro en la epitaxis gaseosa habitual, temperaturas por encima de 1000ºC. La diferencia de coeficientes de dilatación térmica del silicio y de los materiales de nitruro conducen en su enfriamiento a estructuras estratificadas de nitruro después del crecimiento a elevados esfuerzos de tracción de las capas del semiconductor de nitruro de aproximadamente

0,7 GPa/µm y a la generación de grietas desde grosores inferiores a 1 µm.

Para evitar la formación de grietas en el crecimiento de capas de GaN sobre silicio se utilizan capas intermedias llamadas de baja temperatura de AIN o de AlGaN a temperaturas inhabitualmente bajas (inferiores a 1000ºC). El efecto de estas capas se refiere a una compensación parcial de los esfuerzos de tracción por el crecimiento de una capa de GaN con esfuerzo de compresión de la capa intermedia de AIN o AlGaN. En el enfriamiento después del depósito de la capa, este esfuerzo de compresión de la capa de GaN actúa contrarrestando los esfuerzos de tracción generados por los diferentes coeficientes de dilatación térmica y conduce, como resultado, a esfuerzos de tracción reducidos.

Es un inconveniente de esta técnica la elevada dispersión de la densidad en la capa de GaN que crece sobre la capa intermedia. En el documento DE 101 51 092 A1, a la que se hará referencia en la materia de la presente

solicitud, se prevé para la reducción de la dispersión de densidad, la añadidura adicional de capas intermedias de nitruro de silicio en la capa de GaN en crecimiento. Una capa intermedia de SixNy no necesariamente completamente cerrada actúa como protección o máscara para el crecimiento sucesivo de GaN. El grosor de la capa intermedia se escoge de acuerdo con el documento DE 101 51 092 A1, de manera que sobre la misma se generen solamente pocas islas de

crecimiento con separación de 100 nm hasta algunas µm, que en el proceso posterior de crecimiento en la separación creciente de la superficie de crecimiento de la capa intermedia de SiN crecen conjuntamente desde un llamado grosor de coalescencia y constituyen una superficie de la capa de tipo cerrado. Ciertamente, una capa intermedia de SiN produce en la epitaxis de GaN sobre silicio un marcado crecimiento de islas y, por lo tanto, un grosor de coalescencia notable, que crece al aumentar el grosor de SiN. Mediante medidas apropiadas para la aceleración de la coalescencia de estas islas de crecimiento, se puede impedir, no obstante, que se alcance el espesor de grietas que ya se ha explicado antes de la coalescencia de las islas de crecimiento.

Del documento de A. Dadgar y otros, "Reduction of Stress at the Initial Stages of GaN Growth on Si (111)", Applied Physics Letters, Vol. 82, 2003, Nr. 1, páginas 28-30, (a continuación de modo abreviado "Dadgar y otros"), al que se hará referencia a continuación en la materia de la presente solicitud, es conocida además la fabricación de

capas de GaN después del depósito de una capa de germen de

AIN dopada con silicio y una capa de máscara de SiN de monocapas con un grosor nominal aproximado de 1,5. Al contrario que en el crecimiento de una capa de máscara de este tipo de SiN, los esfuerzos de tracción se pueden reducir en la capa en crecimiento de GaN.

Este efecto muestra como función el grosor de la capa de máscara de SiN a partir de un determinado grosor de muestras de saturación y no permite esperar una compensación completa de los esfuerzos dado que, por una parte, la capa de máscara SiN puede alterar o incluso impedir con el aumento de espesor, el acoplamiento estructural entre la capa de germen AIN y la capa siguiente en crecimiento GaN (es decir, después de la capa de máscara SiN). Como resultado, no puede aparecer un efecto indeseado de compresión de la capa de germen AIN y aparece un elevado esfuerzo indeseado de tracción en la capa de semiconductor de nitruro terminada. Por otra parte, una capa SiN gruesa aumenta el espesor de coalescencia a valores que con los métodos conocidos no se pueden mantener por debajo del grosor de capa crítico para la formación de grietas.

Como resultado, tampoco la introducción de una capa de máscara SiN puede evitar el esfuerzo de tracción en la estructura de la capa de semiconductor de nitruro.

El esfuerzo de tracción no homogéneo tiene otros inconvenientes adicionales. Provoca además de la elevada dispersión ya explicada de densidad, asimismo la curvatura de la estructura de capa en crecimiento y del sustrato que se encuentra por debajo de la misma. Este problema aparece

también en componentes de capa delgada, tales como diodos

de luz de capa delgada, en los que el sustrato de silicio es eliminado durante el proceso de la fabricación. El proceso de estructuras de semiconductor de nitruro curvadas presenta ya dificultades y aumenta la complicación y coste de la fabricación de los componentes. Una estructura de capa de semiconductor de nitruro curvada, que de manera típica está unida con un soporte, se desprende fácilmente del soporte y los correspondientes componentes tienen una vida útil indeseablemente corta.

Del documento de C. Mo y otros, "Growth and characterization of InGaN blue LED structure on Si (111) by MOCVD", Journal of Crystal Growth, 285 (2005), 312-317 (a continuación de modo abreviado “Mo y otros”), a la que se hará referencia en la materia de la presente solicitud, es conocido el reducir los esfuerzos de tracción mediante el crecimiento de una capa tampón...

1. Procedimiento para la generación de una estructura estratificada (102) de un componente semiconductor de nitruro sobre una superficie de silicio que comprende las siguientes etapas:

- disponer un sustrato (104) que tiene una superficie de silicio;

- depositar una capa de germen de nitruro (106) que contiene aluminio sobre la superficie de silicio del sustrato (104);

- opcionalmente: depositar una capa tampón de nitruro

(A) que contiene aluminio sobre la capa de germen de nitruro;

- depositar una capa de máscara (108, B) sobre la capa de germen de nitruro o sobre la primera capa de tampón de nitruro, si existe;

- depositar una primera capa de semiconductor de nitruro (110) que contiene galio sobre la capa de enmascarado, de manera que

- la primera capa semiconductora de nitruro es depositada en forma de capa sometida a esfuerzos de compresión sobre la capa de enmascarado,

caracterizado porque

- la capa de máscara es depositada de manera tal que, en la etapa de depósito de la primera capa de semiconductor de nitruro (110), crecen inicialmente cristalitos separados que se reúnen por encima de un grosor de la capa de coalescencia y ocupan un área promedio comprendida entre

0,16 µm² y 0,36 µm² por cristalito en un plano de capa

perpendicular a la dirección de crecimiento de la capa de semiconductor de nitruro (110) de coalescencia,

- y que la capa de máscara (108, B) es depositada con un grosor de capa que permite la formación de la capa superficial cerrada en más de 95% sobre la primera capa de semiconductor de nitruro que crece inicialmente en forma de cristalitos separados desde una separación de, como mínimo, 600 nm como promedio desde la capa de enmascarado,

- y que la primera capa de semiconductor de nitruro

(110) que contiene galio es depositada sobre la capa de máscara sin utilizar parámetros de crecimiento que favorezcan la coalescencia.

2. Procedimiento, según la reivindicación 1, en el que la capa de máscara (108, B) es depositada con una cubertura, como mínimo, de 95% de la capa de germen de nitruro (106) situada por debajo o, si existe, de la primera capa tampón de nitruro.

3. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 ó 2, en el que se deposita una capa de máscara (108, B) de nitruro de silicio.

4. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la duración de depósito de la capa de máscara se escoge de manera que, durante la etapa de depósito de la primera capa semiconductora de nitruro (110), la medición simultánea de la intensidad de reflexión de la superficie de crecimiento con una longitud de onda de la luz de aproximadamente 600 nm muestra un comportamiento de intensidad oscilante con

una amplitud de oscilación creciente que alcanza un valor

máximo aproximadamente constante, como mínimo, de cinco ciclos de oscilación.

5. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la capa de germen de nitruro (106) es depositada sobre la superficie de silicio (111).

6. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que una primera capa semiconductora de nitruro (110) es depositada con un grosor de capa comprendido entre 800 nm y 1600 nm.

7. Procedimiento, según la reivindicación 6, en el que se deposita una capa intermedia (112) de nitruro que contiene aluminio sobre la primera capa semiconductora de nitruro, y en el que una segunda capa semiconductora adicional de nitruro (114) que contiene galio es depositada sobre la capa anterior.

8. Procedimiento, según la reivindicación 7, en el que las etapas de depósito de una capa intermedia (112) de nitruro que contiene aluminio y una capa semiconductora adicional (114) de nitruro que contiene galio son llevadas a cabo de forma repetida.

9. Procedimiento, según la reivindicación 7 u 8, en el que se deposita sobre la capa adicional semiconductora de nitruro una estructura de pozos cuántica múltiple (120) de material semiconductor de nitruro.

10. Procedimiento, según la reivindicación 9, caracterizado por el depósito, como mínimo, de una capa de máscara adicional (117) constituida por nitruro de silicio inmediatamente antes del depósito de las capas de

semiconductor de nitruro adicionales sobre las que se deposita la estructura de pozos cuánticos múltiples (120).

11. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que se introduce dopado n en la primera capa (110) y, si existe, en las capas adicionales de semiconductor de nitruro (114) que han sido depositadas antes de la estructura de pozos cuánticos múltiples (120).

12. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, que comprende las siguientes etapas: producir una capa de cubierta (122) semiconductora de nitruro que contiene galio, dopada p, sobre la estructura de pozos cuánticos múltiples.

13. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la etapa de disponer un sustrato comprende la disposición del sustrato de silicio cuyo grosor es, como mínimo, DGaN *x, en la que DGaN indica el grosor de capa de la capa semiconductora de nitruro a depositar sobre el sustrato o, en el caso de que se tenga que depositar más de una capa de semiconductor de nitruro, indica la suma de grosores de capa de las capas de semiconductor de nitruro a depositar y de la capa intermedia de nitruro presente, y en el que x es igual a 110 en el caso en el que se utiliza un sustrato de silicio dopado y 200 en el caso de que se utiliza un sustrato no dopado.

14. Procedimiento para la producción de un componente semiconductor de nitruro, que comprende las etapas de:

- producir una estructura de capa (102) de un componente semiconductor de nitruro sobre una superficie de silicio, de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores,

- unir la estructura de capa (126) a un portador, de manera tal que la superficie superior de crecimiento de la estructura de capa (102) está dirigida al portador,

- retirar de manera completa o parcial el sustrato (104),

- producir una estructura de contacto.

15. Procedimiento, según la reivindicación 14, que comprende una etapa de depósito de una capa de contacto eléctricamente conductora sobre la superficie de crecimiento superior de la estructura de capa (102).

16. Procedimiento, según la reivindicación 15, en el que el material utilizado para la capa de contacto (124, 130) tiene un índice de refracción más elevado que la capa de recubrimiento de semiconductor de nitruro dopada p.

17. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 14 a 16, que comprende una etapa de metalización de la superficie superior de crecimiento de la estructura de capa o, en caso de que exista, de la capa de contacto, siendo llevada a cabo dicha etapa sin la etapa de unión.

18. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 14 a 17, en el que se utiliza un portador cuya superficie utilizada para la unión es eléctricamente conductora o reflectante o metálica.

- 53 –

19. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 16 a 18, en el que la capa de recubrimiento semiconductora de nitruro de la estructura de

**(Ver fórmula)**

capas es depositada con un grosor de 5 en la que m= 0, 1, 2, 3, …, λ es una longitud de onda de una emisión de luz de la estructura de pozos cuánticos

múltiples durante el funcionamiento del componente semiconductor de nitruro, nNitruro es el índice de refracción del nitruro para la longitud de onda λ y dMQW indica el grosor de la estructura de pozos cuánticos múltiples (120).

20. Procedimiento, según la reivindicación 15, en el que el material utilizado para la capa de contacto (124, 130) tiene un índice de refracción más bajo que la capa de recubrimiento conductora de nitruro dopada p. 21. Procedimiento, según la reivindicación 20, en el que la capa de recubrimiento semiconductora de nitruro de la estructura de capas es depositada con un grosor de

**(Ver fórmula)**

en la que m= 0, 1, 2, 3, 4, …, λ es una longitud de onda de una emisión de luz de la estructura de pozos cuánticos múltiples durante el funcionamiento del componente semiconductor de nitruro, nNitruro es el índice de refracción del nitruro para la longitud de onda λ y dMQW indica el grosor de la estructura de pozos cuánticos múltiples (120).

25 22. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 14 a 21, caracterizado porque la etapa de

unión es llevada a cabo a una temperatura comprendida entre 280º y 500ºC.

23. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 14 a 22, en el que la etapa de retirada del sustrato (104) es llevada a cabo por pulido o por la combinación de pulido y ataque químico.

24. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 14 a 22, en el que la etapa de retirada del sustrato (104) es llevada a cabo únicamente por ataque químico.

25. Procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 14 a 23, en el que el lado posterior de crecimiento expuesto al retirar el sustrato está estructurado para formar una capa antireflectante.

26. Componente semiconductor de nitruro que comprende la estructura estratificada (102) que contiene

- una primera capa semiconductora de nitruro que contiene galio (110) que tiene una estructura de cristalitos unidos entre sí que ocupan un área promedio

comprendida entre 0,16 µm² y 0,36 µm² por cristalito en un plano de capa perpendicular a la dirección de crecimiento,

- una capa intermedia de nitruro que contiene aluminio

(112) que se une a la primera capa semiconductora de nitruro (110), y

- uniéndose a la última capa, una segunda capa semiconductora adicional de nitruro que contiene galio (114), de manera que la estructura de la capa está unida sobre un portador, de manera tal que la segunda capa semiconductora de nitruro está dispuesta dirigida al

portador, y de manera que los cristalitos de la primera capa semiconductora de nitruro que contiene galio (110) forman una superficie de capa que está cerrada en más del 95% desde una distancia de 600 nm con respecto a la superficie límite de la primera capa semiconductora de nitruro (110) que está dirigida en alejamiento con respecto al portador (126).

27. Componente semiconductor de nitruro, según la reivindicación 26, en el que los cristalitos tienen una expansión promedio mínima de 400 x 400 nm2 en un plano de capa perpendicular a la dirección de crecimiento.

28. Componente semiconductor de nitruro, según la reivindicación 26 ó 27, en el que la primera capa semiconductora de nitruro (110) tiene un grosor de capa comprendido entre 800 nm y 1600 nm.

29. Componente semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 26 a 28, que contienen una secuencia repetida de capa intermedia de nitruro que contiene aluminio (112) y capa semiconductora de nitruro que contiene galio (114).

30. Componente semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 28 ó 29, en el que la estructura de pozos cuánticos múltiples (120) del material semiconductor de nitruro es depositada sobre la capa de semiconductor adicional de nitruro (114).

31. Componente semiconductor de nitruro, según la reivindicación 30, caracterizado porque, como mínimo, una capa adicional de enmascarado (117, B) de nitruro de

silicio inmediatamente adyacente a la capa de semiconductor

de nitruro adicional (118) sobre la que se ha depositado la estructura de pozos cuánticos múltiples (120) pero en el lado de dicha capa semiconductora de nitruro adicional

(118) que está dirigida en alejamiento de la estructura de pozos cuánticos múltiples (120).

32. Componente semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 26 a 31, en el que la primera (110) y, en caso de que existan, las capas de semiconductor de nitruro adicionales (114, 116, 118) están dopadas n, estando dispuestas sobre la cara de la estructura de pozos cuánticos múltiples (120) dirigida a la primera capa semiconductora de nitruro (110).

33. Componente semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 30 a 32, con una capa de recubrimiento semiconductora de nitruro (122) que contiene galio dopada p, dispuesta sobre el lado de la estructura de pozos cuánticos múltiples (120) dirigida en alejamiento de la primera capa semiconductora de nitruro (110).

34. Componente semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 26 a 23, en el que el portador (126) y la segunda capa semiconductora de nitruro están conectadas entre sí mediante una capa de metal.

35. Componente semiconductor de nitruro, según la reivindicación 34, en el que el portador (126) consiste sustancialmente en cobre o aluminio o silicio o nitruro de aluminio o de Al/Si.

36. Componente semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 26 a 35, en el que una capa de contacto eléctricamente conductora está dispuesta

entre el portador (126) y la segunda capa semiconductora de nitruro (114).

37. Componente semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 33 y 36, en el que la capa de contacto tiene un índice de refracción más elevado que la capa de recubrimiento semiconductora de nitruro dopada p (122).

38. Componente semiconductor de nitruro, según la reivindicación 33, en el que la capa de recubrimiento semiconductora de nitruro de la estructura estratificada es

depositada con un grosor de

**(Ver fórmula)**

que m = 0, 1, 2, 3, …, λ es una longitud de onda de una emisión de luz de la estructura de pozos cuánticos múltiples (120) durante el funcionamiento del componente semiconductor de nitruro, nNitruro es el índice de refracción del nitruro para la longitud de onda λ y dMQW indica el grosor de la estructura de pozos cuánticos múltiples (120).

39. Componente semiconductor de nitruro, según las reivindicaciones 33 y 36, en el que la capa de contacto tiene un índice de refracción más bajo que la capa de recubrimiento semiconductora de nitruro dopado p (122).

40. Componente semiconductor de nitruro, según la reivindicación 39, en el que la capa de recubrimiento semiconductora de nitruro de la estructura estratificada

tiene un grosor de

**(Ver fórmula)**

3, 4, …, λ es una longitud de onda de una emisión de luz de

la estructura de pozos cuánticos múltiples (120) durante el funcionamiento del componente semiconductor de nitruro, nNitruro es el índice de refracción del nitruro para la

longitud de onda λ y dMQW indica el grosor de la estructura de pozos cuánticos múltiples (120).

41. Componente semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 26 a 40, con un elemento de contacto eléctrico en el lado n y uno en el lado p.

42. Oblea portadora que comprende una serie de componentes semiconductores de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 26 a 41.

43. oblea portadora, según la reivindicación 42, en el que la serie de componentes semiconductores de nitruro tiene una extensión lateral total sobre exportador de, como mínimo, 24 cm.

44. Producto semiconductor de nitruro (100), que comprende:

- un sustrato (104) que tiene una superficie de silicio;

- una capa de germen de nitruro que contiene aluminio

(106) adjunta a la superficie,

- de opcionalmente: una capa tampón de nitruro (A) que contiene aluminio adjunta a la capa de germen de nitruro (106);

- una capa de máscara (108, B) sobre la capa de germen de nitruro (106) o, en caso de que exista, sobre la capa tampón de nitruro (A), en el que

- 59 –

- una primera capa de semiconductora de nitruro (110) que contiene galio que tiene una estructura de cristalitos unidos conjuntamente, está dispuesta adjunta a la capa de máscara (108, B), de manera que los cristalitos ocupan un

área promedio comprendida entre 0,16 µm² y 0,36 µm² por cristalito por encima del grosor de la capa de unión conjunta o coalescencia en un plano de capa perpendicular a la dirección de crecimiento,

- de manera que los cristalitos están unidos conjuntamente en más del 95% desde una distancia de, como mínimo, 600 nm desde la capa de máscara (108, B),

45. Producto semiconductor de nitruro, según la reivindicación 44, en el que la capa de germen de nitruro

(106) es una capa de aluminio o una capa de nitruro de galio y aluminio con un contenido de aluminio mínimo de 10%.

46. Producto semiconductor de nitruro, según la reivindicación 45, en el que la capa de germen de nitruro

(106) tiene un grosor de capa comprendido entre 10 y 100 nm.

47. Producto semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 44 a 46, en el que la capa tampón de nitruro (A) tiene un grosor de capa, como máximo, de 400 nm.

48. Producto semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 44 a 47, en el que el sustrato (104) se encuentra libre de curvatura o tiene un radio de curvatura mínimo de 10 m en una dirección perpendicular a la superficie posterior de un sustrato.

- 60 –

49. Producto semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 44 a 48, con una capa intermedia de nitruro que contiene aluminio (112, F) que se une a la primera capa semiconductora de nitruro (110) y

- unida a esta última capa, una segunda capa semiconductora de nitruro que contiene galio (114).

50. Producto semiconductor de nitruro, según cualquiera de las reivindicaciones 44 a 49, en el que el sustrato (104) tiene una extensión lateral mínima de 24 cm.