CAPTADOR DE LUMINOSIDAD Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DEL MISMO.
Captador de luminosidad que comprende, como mínimo, un elemento fotoeléctrico (1) cuya cara superior constituye la cara de detección de luminosidad y cuya cara inferior presenta dos salidas polarizadas (2,
3) destinadas a su conexión a un módulo de tratamiento de la señal para el control automático del funcionamiento de un conjunto de aparatos, estando la cara inferior de dicho elemento fotoeléctrico (1) fijado sobre la cara superior de un soporte plano (6) que está dimensionado para que sobresalga con respecto a la periferia de dicho elemento fotoeléctrico (1), Llegando cada una de las dos salidas polarizadas (2, 3) dispuestas sobre la cara inferior de dicho elemento fotoeléctrico (1) a establecer contacto con uno de los extremos de dos pistas conductoras (4, 5) dispuestas sobre la cara superior de dicho soporte plano (6), extendiéndose los otros dos extremos (4'', 5'') de dichas pistas conductoras (4, 5) hasta el borde periférico de dicho soporte plano (6) o sensiblemente hasta dicho soporte periférico, Comprendiendo el captador de luminosidad una capa plana de protección (8) que recubre dicho soporte plano (6), en el lado del elemento fotoeléctrico (1), con excepción de la zona (13) de colocación de dicho elemento fotoeléctrico (1) y con excepción de la zona o zonas de dicho soporte plano (6) a cuyo nivel llegan los extremos (4'', 5'') de dichas pistas conductoras (4, 5), caracterizado porque la capa plana de protección (8) recubre dichas pistas conductoras (4, 5) en una zona de recubrimiento, con excepción de dichos extremos (4'', 5'') de las pistas conductoras (4, 5).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SECURITY VISION CONCEPT.
Nacionalidad solicitante: Luxemburgo.
Dirección: 2 RUE ASTRID,1143 LUXEMBOURG.
Inventor/es: ALBERT, PASCAL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 27 de Febrero de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L31/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Detalles.
- H01L31/0203 H01L 31/00 […] › Contenedores; Encapsulados (para dispositivos fotovoltaicos H01L 31/048; para dispositivos fotosensibles orgánicos H01L 51/44).
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