TRATAMIENTO MEJORADO DE SUPERCONDUCTORES DE OXIDO DE BSCCO-2223.

UN METODO PARA LA PREPARACION DE UN ARTICULO SUPERCONDUCTOR DE OXIDO BSCCO-2223 QUE CONSISTE EN RECOCER UN ARTICULO SUPERCONDUCTOR DE OXIDO QUE COMPUESTO DE UN SUPERCONDUCTOR DE OXIDO BSCCO-2223 A UNA TEMPERATURA SELECCIONADA DE LA GAMA DE APROXIMADAMENTE T ENTRE 500 (GRADOS) C Y 787 (GRADOS) C Y UNA ATMOSFERA DE RECOCIDO QUE TENGA UNA PRESION DE OXIGENO SELECCIONADA DE DENTRO DE LA REGION QUE TIENE UN COTA INFERIOR DEFINIDA POR LA ECUACION:

P{SUB,02}(INFERIOR) = 3,5 X 10{SUP,10}EXP(-32.000/T + 273) Y UNA COTA SUPERIOR DEFINIDA POR LA ECUACION: P{SUB,02}(SUPERIOR) MENOR O IGUAL 1,1 X 10{SUP,12}EXP(-32.000/T + 273). EL ARTICULO SE RECUECE DURANTE UN PERIODO DE TIEMPO SUFICIENTE COMO PARA OBTENER UN AUMENTO DE AL MENOS UN 10% DE LA DENSIDAD DE CORRIENTE CRITICA EN COMPARACION A LA DENSIDAD DE CORRIENTE CRITICA DEL ARTICULO SUPERCONDUCTOR DE OXIDO PRERRECOCIDO. SE OBTIENE UN SUPERCONDUCTOR DE OXIDO QUE TIENE LA FORMULA BI{SUB,2Y}PB{SUB,Y}SR{SUB ,2}CA{SUB,2}CU{SUB,3}O{SUB ,10 + X}, DONDE X ENTRE 0 Y 1,5 Y DONDE Y ENTRE 0 Y 0,6, EN DONDE EL SUPERCONDUCTOR DE OXIDO SE CARACTERIZA PORQUE TIENE UNA TEMPERATURA DE TRANSICION CRITICA SUPERIOR A 111,0 K, SEGUN QUEDA DETERMINADO POR UN METODO DE SONDA DE CUATRO PUNTAS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AMERICAN SUPERCONDUCTOR CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: TWO TECHNOLOGY DRIVE,WESTBOROUGH, MA 01581.

Inventor/es: RILEY, GILBERT, N., JR., OTTO, ALEXANDER, CARTER, WILLIAM, L.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 1 de Abril de 1994.

Fecha Concesión Europea: 2 de Agosto de 2000.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L39/24 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de los dispositivos cubiertos por H01L 39/00 de sus partes constitutivas.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Rumania, Oficina Europea de Patentes, Australia, Barbados, Bulgaria, Brasil, Bielorusia, Canadá, República Checa, Hungría, Japón, República de Corea, Kazajstán, Sri Lanka, Madagascar, Mongolia, Malawi, Noruega, Nueva Zelanda, Polonia, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, República Popular Democrática de Corea.

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