PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE MODULOS FOTOVOLTAICOS, ASI COMO UN DISPOSITIVO PARA LLEVAR A CABO ESTE PROCEDIMIENTO.

SE DA A CONOCER UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA LA ELABORACION DE MODULOS FOTOVOLTAICOS FABRICADOS A PARTIR DE LAMINADOS.

EL PROCEDIMIENTO TIENE LAS SIGUIENTES ETAPAS: (A) UN APILAMIENTO (2) MODULAR DE SISTEMAS DE CELDA SOLAR APILADOS PREVIAMENTE, ENCAPSULANDO LOS MATERIALES Y SEPARANDO LAS LAMINAS, SE APLICA A LA ESTACION (1) DE CARGA; (B) EL APILAMIENTO (2) MODULAR SE TRANSPORTA A UN LAMINADOR (5) VACIO QUE ES ENTONCES CERRADO Y EVACUADO, SIENDO CALENTADO EL APILAMIENTO (2) MODULAR HASTA LA TEMPERATURA DE REBLANDECIMIENTO DE LAS CAPAS DE SELLADO PLASTICO DISPUESTO EN LOS MATERIALES DE ENCAPSULADO MEDIANTE PRESIONADO DE LA PLACA (21) DE CALENTAMIENTO SOBRE LA PLACA (3) SOPORTE TERMOCONDUCTIVA; (C) EL MATERIAL (2') COMPUESTO FORMADO DESPUES DEL LAMINADOR (5) DE VACIO SE VENTILA SIN ENFRIAMIENTO UNA VEZ QUE LA PLACA (21) DE CALENTAMIENTO SE TRANSPORTA DE NUEVO AL HORNO (10) DE ENDURECIMIENTO; (D) EL LAMINADO (2'') ENDURECIDO ES TRANSPORTADO ENTONCES A LA ZONA (12) DE ENFRIAMIENTO; Y (E) EL LAMINADO ACABADO SE SEPARA DE LA EXTRACCION (14) DE ELIMINACION EN LA TERMINACION DEL PROCESO DE FABRICACION. LAS ETAPAS (A) HASTA (E) SON REALIZADAS DE FORMA CICLICA AL MISMO TIEMPO Y EN PARALELO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ISOVOLTA OSTERREICHISCHE ISOLIERSTOFFWERKE AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Austria.

Dirección: INDUSTRIEZENTRUM NO-SUD,2355 WIENER NEUDORF.

Inventor/es: FALK, JOHANN, PLESSING, ALBERT, K.

Fecha de Publicación: 16 de Marzo de 1999.

Fecha Solicitud PCT: 7 de Junio de 1994.

Fecha Concesión Europea: 13 de Enero de 1999.

Clasificación Internacional de Patentes:

B32B31/00
H01L31/04 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Portugal, Eslovenia, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Letonia, Australia, Bielorusia, Canadá, República Checa, Hungría, Japón, República de Corea, Kazajstán, Mongolia, Federación de Rusia, Eslovaquia, Ucrania, Estados Unidos de América, Urbekistán.

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