CIRCUITO DE MICROONDAS INTEGRADO.
CIRCUITO DE MICROONDAS INTEGRADO CON UN SUBSTRATO DIELECTRICO,
EN UNO DE CUYOS LADOS SE HA DISPUESTO UN REVESTIMIENTO METALICO CONTINUO, Y EN SU OTRO LADO AL MENOS UN COMPONENTE (2) CON DOS CONDUCTORES DE LENGUETA (3, 4), Y CON AL MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE (12). EL ELEMENTO DE AJUSTE SE UTILIZA PARA LA COMPENSACION DE LA CAPACIDAD PARALELA (6) PERTURBADORA DEL COMPONENTE POR LA GENERACION DE UNA INDUCTIVIDAD. EL ELEMENTO DE AJUSTE PRESENTA AL MENOS UN CONDUCTOR DE LENGUETA ACOPLADO CORTOCIRCUITADO AL FINAL (13), QUE ESTA DISPUESTO SOBRE EL SUBSTRATO Y CUYAS CONEXIONES ESTAN UNIDAS CON LAS ACOMETIDAS PARA EL COMPONENTE. CON VISTAS DE MINIMIZAR LA CAPACIDAD DE MASA DEL ELEMENTO DE AJUSTE, SE HAN PREVISTO PREFERENTEMENTE DOS CONDUCTORES DE LENGUETA ACOPLADOS CORTOCIRCUITADOS (12, 14), QUE ESTAN DISPUESTOS EN AMBOS LADOS DEL COMPONENTE ACTIVO DEL CIRCUITO DE MICROONDAS INTEGRADO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2, W-8000 MUNCHEN 2.
Inventor/es: LANGE, FRIEDRICH, DR.-ING.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 26 de Agosto de 1992.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01P1/209 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01P GUIAS DE ONDAS; RESONADORES, LINEAS, U OTROS DISPOSITIVOS DEL TIPO DE GUIA DE ONDAS (que funcionan con frecuencias ópticas G02B). › H01P 1/00 Dispositivos auxiliares (dispositivos de acoplamiento del tipo guía de ondas H01P 5/00). › con uno o varios brazos de derivación o bien cavidades situadas enteramente en el exterior de la guía de ondas principal.
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