PROCEDIMIENTO DE TRANSFERENCIA DE MODELOS PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
LOS MATERIALES PROTECTORES DE ALTA RESOLUCION, SENSIBLES A LOS HACES DE ELECTRONES,
ACTUALMENTE DISPONIBLES, TALES COMO PBS, SE CARACTERIZAN POR UNA POBRE RESISTENCIA AL MORDENTADO EN SECO. POR TANTO, DICHOS MATERIALES PROTECTORES NO SON ADECUADOS PARA UTILIZARSE EN LOS PROCESOS CON MATERIALES PROTECTORES DE TRES NIVELES, CONVENCIONALES, ESENCIALES PARA LITOGRAFIA SUBMICROMETRICA. TAL Y COMO AQUI SE DESCRIBE, SE EMPLEA UNA CAPA MUY FINA (24) DE UN METAL MORDENTABLE EN HUMEDO EN LUGAR DEL DIOXIDO DE SILICIO DE LA ESTRUCTURA DE TRES NIVELES CONVENCIONAL. DADO QUE EL PBS EXHIBE UNA BUENA RESISTENCIA AL MORDENTADO EN HUMEDO, LOS MODELOS EN PBS PUEDEN SER TRANSFERIDOS A LA CAPA METALICA MUY FINA SIN DEGRADAR DE MANERA IMPORTANTE LA CALIDAD DE LOS REBORDES DE LAS LINEAS. LA CAPA METALICA SIRVE ENTONCES COMO UNA MASCARA RESISTENTE PARA MORDENTAR EN SECO EL MODELO HACIA LA CAPA PLANARIZANTE SUBYACENTE (22).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH CO..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 550 MADISON AV NEW YORK N.Y. 10022.
Inventor/es: MANSFIELD, WILLIAN MICHAEL, VAIDYA, SHEILA.
Fecha de Solicitud: 18 de Marzo de 1987.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 25 de Octubre de 1988.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G03F7/02
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