DISPOSITIVO DE TRANSFERENCIA DE CARGA.
Dispositivo de transferencia de carga que comprende unos primer y segundo registros de desplazamiento de carga asociados en un sustrato de material semiconductor de un tipo de conductividad,
que presenta una superficie principal, caracterizada por: un primer electrodo de almacenamiento (22) que está superpuesto, con interposición de un aislante, a dicha superficie principal, un primer electrodo de transferencia (23) adyacente a dicho primer electrodo y que se superpone, con interposición de un aislante, a dicha superficie principal, un dispositivo (16,17) para aplicar tensiones fijas a dicho primer electrodo de almacenamiento y primer electrodo de transferencia para formar en dicho sustrato una primera región da almacenamiento (25) y una primera región de transferencia (26) respectivamente, teniendo el potencial superficial de dicha primera región de almacenamiento un primer nivel de almacenamiento y teniendo el potencial superficial de dicha primera región de transferencia un primer nivel de transferencia en la ausencia de portadores minoritarios en ella, siendo dicho primer de almacenamiento energéticamente inferior a dicho primer nivel de transferencia para los portadores minoritarios en dicho sustrato, un segundo electrodo de almacenamiento (31) adyacente a dicho primer electrodo de transferencia y que se superpone, con interposición de un aislante, a dicha primera superficie.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: GENERAL ELECTRIC COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1 RIVER ROAD, SCHENECTADY, NEW YORK 12305.
Fecha de Solicitud: 15 de Noviembre de 1979.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 1 de Octubre de 1980.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C19/28 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 19/00 Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento. › que utilizan elementos semiconductores (G11C 19/14, G11C 19/36 tienen prioridad).
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