UN DISPOSITIVO TRANSISTOR.

Dispositivo transistor que comprende un cuerpo en que una parte semi-conductora de un tipo de conductividad determinada provista con contacto,

parte que es considerada como la base está separada por junturas opuestas contiguas de por lo menos dos partes semi-conductoras de tipo de conductividad opuesta provistas con contactos, partes que son consideradas como la zona emisora y la zona colectora respectivamente caracterizada por el hecho de que partiendo de una superficie límite del cuerpo adyacente al contacto emisor,una parte no conductora penetra en la base, parte que localmente estrecha el paso de corriente desde el emisor al contacto de base y se aproxima al colector hasta una distancia menor quela distancia mínima entre el emisor y el colector siendo la disposición tal que se produce una resistencia diferencial negativa en la curva característica que muestra la relación entre la corriente de y la diferencia de potencial en la dirección inversa entre el contacto colector y el contacto de base para una diferencia de potencial constante en la dirección de paso entre el contacto emisor y el contacto de base

Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0237232.

Solicitante: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Nacionalidad solicitante: Países Bajos.

Fecha de Solicitud: 21 de Agosto de 1957.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 10 de Marzo de 1958.

Clasificación antigua:

  • C25F3/12 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS.C25F PROCESOS PARA LA ELIMINACION ELECTROLITICA DE MATERIA EN OBJETOS; SUS APARATOS (tratamiento del agua, agua residual o de alcantarilla por procesos electroquímicos C02F 1/46; protección anódica o catódica C23F 13/00). › C25F 3/00 Grabado o pulido electrolítico. › de materiales semiconductores.
  • G11C19/28 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 19/00 Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento (cadenas contadoras H03K 23/00). › que utilizan elementos semiconductores (G11C 19/14, G11C 19/36 tienen prioridad).
  • H03K23/00 SECCION H — ELECTRICIDAD.H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS.H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; arranque, sincronización o estabilización de generadores cuando el tipo de generadores es indiferente o no especificado H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › Contadores de impulsos que comprenden cadenas de cómputo; Divisores de frecuencia que comprenden cadenas de cómputo (H03K 29/00 tiene prioridad).
  • H03K3/02 H03K […] › H03K 3/00 Circuitos para la generación de impulsos eléctricos; Circuitos monoestables, biestables o multiestables (H03K 4/00 tiene prioridad; para generadores de funciones digitales en ordenadores G06F 1/02). › Generadores caracterizados por el tipo de circuito o por los medios utilizados para producir impulsos (H03K 3/64 - H03K 3/84 tienen prioridad).
  • H03K3/26 H03K 3/00 […] › por la utilización como elementos activos de transistores bipolares con realimentación positiva interna o externa (H03K 3/023, H03K 3/027 tienen prioridad).
  • H03K3/35 H03K 3/00 […] › por la utilización como elementos activos de dispositivos semiconductores bipolares con al menos tres uniones PN, o al menos cuatro electrodos o al menos dos electrodos conectados en la misma región de conductividad (H03K 3/023, H03K 3/027 tienen prioridad).
  • H03L5/0 H03 […] › H03L CONTROL AUTOMATICO, ARRANQUE, SINCRONIZACION O ESTABILIZACION DE GENERADORES DE OSCILACIONES O DE IMPULSOS ELECTRONICOS (de generadores dinamoeléctricos H02P). › Control automático de la tensión, de la corriente o de la potencia.

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