MEJORAS INTRODUCIDAS EN UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR AMORFO.
Mejoras introducidas en un elemento conductor amorfo constituido por un material semiconductor amorgo caracterizadas porque incluyen una composición de una pluralidad de elementos,
de los cuales uno por lo menos es un elemento de peso atómico constituido por boro, carbono, nitrógeno y oxígeno, que tiene la forma de una matriz de recepción amorfa sólida teniendo configuraciones estructurales de orden localizada en lugar de largo alcance y configuraciones electrónicas que proporcionan un intervalo de energía y una energía eléctrica de activación, y un material modificador añadido a dicha matriz de recepción amorfa y que tiene órbitas que reaccionan con la matriz de recepción amorfa y forman en el intervalo de energía estados electrónicos que modifican sustancialmente las configuraciones electrónicas de la matriz de recepción amorfa a la temperatura ambiente y a temperaturas superiores.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Fecha de Solicitud: 11 de Octubre de 1978.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 16 de Octubre de 1979.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/04 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica o con orientación especial en planos cristalinos (caracterizados por defectos físicos H01L 29/30).
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