METODO PARA LA SUPRESION DE LA RECOMBINACION NO RADIATIVA EN MATERIALES DOPADOS CON CENTROS PROFUNDOS.

Procedimiento para obtener materiales semiconductores con niveles situados cerca del centro de la banda prohibida

(niveles profundos) que no sufren la recombinación no radiativa por emisión de múltiples fonones (MPE) asociada a dichos niveles. Consiste en incrementar el dopaje del semiconductor con aquellas impurezas que producen los centros profundos hasta alcanzar el punto en que se causa una transición de Mott entre las funciones de onda de los electrones atrapados en los centros, de tal forma que éstas quedan distribuidas a lo largo de todo el semiconductor. Cuando esto ocurre, desaparecen las variaciones locales de densidad de carga eléctrica y con ellas la recombinación por MPE. A partir de los materiales resultantes (semiconductores con tres bandas energéticas separadas (1),(2) y (3)) se pueden fabricar dispositivos optoelectrónicos (células solares, fotodetectores, láseres, etc) capaces de utilizar de forma eficiente (y si el caso lo requiere, simultánea) transiciones electrónicas radiativas en rangos energéticos no convencionales.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: MADRID.

Inventor/es: LUQUE LOPEZ,ANTONIO, MARTI VEGA,ANTONIO, ANTOLIN FERNANDEZ,ELISA, TABLERO CRESPO,CESAR.

Fecha de Solicitud: 13 de Diciembre de 2005.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 30 de Noviembre de 2007.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0352 (caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/06 (caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/08 (en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias)

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0352 (caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/06 (caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/08 (en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias)
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METODO PARA LA SUPRESION DE LA RECOMBINACION NO RADIATIVA EN MATERIALES DOPADOS CON CENTROS PROFUNDOS.