DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ZONAS DIFUSAS SELECTIVAMENTE.

LA PRESENTE INVENCION DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR

(2) EN FORMA DE UNA REBANADA, PROCEDIMIENTO QUE COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: 1) APLICAR SELECTIVAMENTE UNA CONFIGURACION DE FUENTE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDOS A UNA PRIMERA SUPERFICIE PRINCIPAL DEL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR (2); 2) DIFUNDIR LOS ATOMOS DE ADULTERANTE DE DICHA FUENTE DE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDOS EN EL SUBSTRATO (2) MEDIANTE UNA FASE DE TRATAMIENTO TERMICO CONTROLADO EN UN AMBIENTE GASEOSO QUE RODEA AL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR (2), EL ADULTERANTE OBTENIDO DE LA FUENTE DE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDO SE DIFUNDE DIRECTAMENTE EN EL INTERIOR DEL SUBSTRATO (2) PARA FORMAR UNA PRIMERA ZONA DE DIFUSION (12) Y, AL MISMO TIEMPO DIFUNDIR EL ADULTERANTE OBTENIDO DE LA FUENTE DE ADULTERANTE A BASE DE SOLIDOS INDIRECTAMENTE MEDIANTE EL ENTORNO GASEOSO PARA FORMAR UNA SEGUNDA ZONA DE DIFUSION (15) EN AL MENOS ALGUNAS ZONAS DEL SUBSTRATO (2) NO CUBIERTAS POR DICHA CONFIGURACION; Y 3) FORMAR UNA CONFIGURACION DE CONTACTO METALICO (20) BASICAMENTE EN ALINEACION CON LA PRIMERA ZONA DE DIFUSION (12) SIN HABER ATACADO CON ACIDO SUSTANCIALMENTE LA SEGUNDA ZONA DE DIFUSION (15).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: IMEC VZW.

Nacionalidad solicitante: Bélgica.

Dirección: KAPELDREEF 75,B-3001 LEUVEN HEVERLEE.

Inventor/es: HORZEL, JORG, HONORE, MIA, NIJS, JOHAN, SZLUFCIK, JOZEF.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 22 de Diciembre de 1997.

Fecha Concesión Europea: 3 de Noviembre de 2004.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0224 (Electrodos)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/18 (Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Portugal, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ZONAS DIFUSAS SELECTIVAMENTE.