CIRCUITO Y METODO DE PROTECCION CONTRA SOBRECORRIENTE Y SOBRETEMPERATURA PARA INTERRUPTORES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.

Circuito para la protección contra sobrecorriente y sobretemperatura de interruptores semiconductores de potencia

(2) o de módulos semiconductores de potencia basados en éstos compuesto por un circuito de protección contra sobrecorriente en forma de control VCEsat o VDson, que consta de una fuente de tensión (VM), un elemento de comparación (10), un diodo rápido de alto bloqueo (6) y una fuente de tensión de referencia (VRef), y donde la entrada de referencia del elemento de comparación (10) está conectada al polo positivo de la fuente de tensión de referencia (V Ref) y cuyo polo negativo se encuentra sobre el potencial de la salida de corriente del interruptor semiconductor de potencia (2) que debe controlarse, el ánodo del diodo (6) está conectado a través de una resistencia (4) con la fuente de tensión (VM), al igual que la segunda entrada del elemento de comparación (10), y el cátodo del diodo (6) está conectado con la resistencia PTC (20) y ésta con la entrada de corriente del interruptor semiconductor de potencia (2).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH PATENTABTEILUNG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200, POSTFACH 820 251,90253 NURNBERG.

Inventor/es: SCHREIBER, DEJAN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 6 de Marzo de 2003.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS > TECNICA DE IMPULSO (medida de las características... > Conmutación o apertura de puerta electrónica, es... > H03K17/082 (por retroacción del circuito de salida hacia el circuito de control)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

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