SISTEMA DE DETECCION IMPEDIMETRICO Y METODO DE PRODUCCION DEL MISMO.
LA INVENCION SE REFIERE A UN SENSOR PARA IDENTIFICAR LAS ESTRUCTURAS MOLECULARES DENTRO DE UNA SOLUCION DE MUESTRA.
EL SENSOR ESTA COMPUESTO POR UNA CAPA AISLANTE CON UNA PLURALIDAD DE CANALES INTERESPACIADOS EN SU INTERIOR QUE TIENEN ESENCIALMENTE LA MISMA DIRECCION. DICHOS CANALES TIENEN UNA PARTE INFERIOR Y, AL MENOS, DOS PAREDES LATERALES OPUESTAS A LO LARGO DE DICHA DIRECCION. LOS CANALES ADEMAS TIENEN UNAS DIMENSIONES SUBMICRONICAS. UN RECUBRIMIENTO METALICO SE APLICA SOBRE UNA DE DICHAS DOS PAREDES LATERALES OPUESTAS, EN ESENCIALMENTE CADA CANAL, Y SOBRE LA PARTE SUPERIOR DE LA CAPA DIELECTRICA ENTRE DICHOS CANALES, FORMANDO POR TANTO UN DISPOSITIVO DE MEDIDA DE IMPEDANCIA CON DICHA SOLUCION DE MUESTRA DENTRO Y ENTRE LOS CANALES ADYACENTES. SE PUEDEN APLICAR UNAS SONDAS PARA ENLAZAR ESPECIFICAMENTE CON DICHAS ESTRUCTURAS MOLECULARES, EN DONDE DICHAS SONDAS SE APLICAN O BIEN A LA PARTE AISLANTE DE LOS CANALES (DICHA PARTE INFERIOR Y LA OTRA PARED LATERAL DE DICHOS CANALES), O BIEN A LA SUPERFICIE DE LOS ELECTRODOS, O A LA PARTE DE AISLAMIENTO DE LOS CANALES, Y A LA SUPERFICIE DE LOS ELECTRODOS, A LA VEZ. ADEMAS, SE PROPORCIONA UN MEDIO PARA APLICAR UN VOLTAJE A LOS RECUBRIMIENTOS METALICOS; Y UN MEDIO PARA MEDIR LA IMPEDANCIA ENTRE LOS ELECTRODOS. ADEMAS, SE REVELA UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN SENSOR, PARA IDENTIFICAR LAS ESTRUCTURAS MOLECULARES DENTRO DE UNA SOLUCION DE MUESTRA. ESTE PROCEDIMIENTO INCLUYE LOS PASOS PARA FORMAR UNA PLURALIDAD DE CANALES INTERESPACIADOS EN UNA CAPA AISLANTE, TENIENDO DICHOS CANALES ESENCIALMENTE LA MISMA DIRECCION, Y TENIENDO DICHOS CANALES UNA PARTE INFERIOR Y, AL MENOS, DOS PAREDES LATERALES OPUESTAS A LO LARGO DE DICHA DIRECCION, DEPOSITAR UNA CAPA METALICA SOBRE DICHA CAPA AISLANTE MIENTRAS SE ALINEA DICHA CAPA AISLANTE CON RESPECTO A LA FUENTE DE DEPOSICION DEL METAL, DE FORMA TAL QUE LA PARTE INFERIOR DE DICHOS CANALES, Y LAS PAREDES LATERALES DE DICHOS CANALES A LO LARGO DE LA DIRECCION DE DEPOSICION, ESTEN OSCURECIDAS Y NO ESTEN CUBIERTAS POR EL METAL, PARA FORMAR POR TANTO UN DISPOSITIVO DE MEDIDA DE LA IMPEDANCIA CON DICHA SOLUCION DE MUESTRA DENTRO Y ENTRE LOS CANALES ADYACENTES; Y APLICAR UNAS SONDAS PARA ENLAZAR CON DICHAS ESTRUCTURAS MOLECULARES, SIENDO APLICADAS DICHAS SONDAS BIEN A LA PARTE AISLANTE DE LOS CANALES (DICHA PARTE INFERIOR Y LA OTRA PARED LATERAL DE DICHOS CANALES) O BIEN A LA SUPERFICIE DE LOS ELECTRODOS, O A LA PARTE AISLANTE DE LOS CANALES, Y A LA SUPERFICIE DE LOS ELECTRODOS, A LA VEZ, ENFRENTE DE LA DIRECCION DE DEPOSICION.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INNOGENETICS N.V.
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW.
Nacionalidad solicitante: Bélgica.
Dirección: INDUSTRIEPARK ZWIJNAARDE 7, BOX 4,9052 GENT.
Inventor/es: ROSSAU, RUDI, VAN GERWEN, PETER, BAERT, KRIS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 29 de Noviembre de 1996.
Fecha Concesión Europea: 14 de Julio de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01N27/02 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › G01N 27/00 Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos (G01N 3/00 - G01N 25/00 tienen prioridad; medida o ensayo de variables eléctricas o magnéticas o de las propiedades eléctricas o magnéticas de los materiales G01R). › investigando la impedancia.
- G01N27/22 G01N 27/00 […] › investigando la capacidad.
- G01N33/543 G01N […] › G01N 33/00 Investigación o análisis de materiales por métodos específicos no cubiertos por los grupos G01N 1/00 - G01N 31/00. › con un soporte insoluble para la inmovilización de compuestos inmunoquímicos.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Mónaco, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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