UN PROCEDIMIENTO MEJORADO PARA LA PRODUCCION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES EN FORMA DE LAMINAS O CINTAS.
Un procedimiento mejorado para la producción de materiales semiconductores en forma de láminas o cintas,
el cual comprende la formación del depósito del material en forma amorfa sobre una superficie principal de un substrato, la separación del material amorfo del substrato y el calentamiento del semiconductor amorfo hasta su temperatura de cristalización de modo que el semiconductor amorfo se convierta en un material de cristal simple con una orientación predeterminada.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 320 PARK AVENUE, NUEVA YORK 10022, N.Y..
Fecha de Solicitud: 6 de Septiembre de 1979.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 1 de Septiembre de 1980.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B1/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 1/00 Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00). › por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad).
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