ESTRUCTURAS LASER DE SEMICONDUCTOR.
SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA LASER CON MATERIAL ACTIVO ALTAMENTE IMPURIFICADO QUE TIENE UN FACTOR (ALFA) DE AUMENTO DEL ANCHO DE LINEA PARTICULARMENTE BAJO.
POR LO TANTO, EL ANCHO DE LA EMISION DE LA ESTRUCTURA LASER (1) ES RELATIVAMENTE PEQUEÑO. LA ESTRUCTURA (1) MUESTRA UNA ESPECIAL RELACION ENTRE LA ENERGIA FOTONICA (E), LA ENERGIA DE INTERVALO DE BANDA (EG) Y EL NIVEL QUASI FERMI DE LA BANDA DE CONDUCCION (EFC) DEL MATERIAL ACTIVO QUE MINIMIZA (ALFA), SIENDO LA BANDA DE VALENCIA DEGENERADA. ESTAS CONDICIONES PUEDEN SER UTILIZADAS PARA DISEÑAR ESTRUCTURAS LASER DE (ALFA) BAJO. LAS ESTRUCTURAS ACORDES CON LOS DIVERSOS DISEÑOS DEL INVENTO SON PARTICULARMENTE APROPIADAS PARA SU APLICACION DIRECTA A LASERES MODULADOS O A MODULADORES DE ABSORCION, Y TAMBIEN A LA DETECCION OPTICA COHERENTE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: BRITISH TELECOM CENTRE, 81 NEWGATE STREET, LONDON EC1A 7AJ.
Inventor/es: WESTBROOK, LESLIE DAVID, ADAMS, MICHAEL, JOHN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 18 de Noviembre de 1993.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L33/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
- H01S3/103
- H01S3/19
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