Método para la generación de un circuito electrónico para modelización de los efectos de acoplamiento del sustrato en un circuito integrado.

Método para la generación de un circuito eléctrico que comprende al menos una red de diodos,

resistencias y/o homouniones, modelizando los efectos parasitarios de un sustrato de un circuito integrado que comprende dispositivos electrónicos, siendo definido dicho circuito integrado por un conjunto de disposiciones de capas de máscara y un archivo de reglas tecnológicas, comprendiendo el método:

* generar (13) una disposición en 3D simplificada de dicho circuito integrado a partir del conjunto de disposiciones de capas de máscara y del archivo de reglas tecnológicas solamente mediante el uso de capas de máscaras asociadas a las capas tecnológicas implicadas en los efectos parasitarios;

* definir (15) en la disposición en 3D simplificada una pluralidad de regiones internas, correspondiendo cada región interna a un dispositivo electrónico del circuito integrado y una región externa que corresponde a la parte de la disposición en 3D simplificada no incluida en ninguna región interna;

* calcular (17, 19) en paralelo e independientemente:

* para cada región interna, una matriz en 3D de cuboides rectangulares adyacentes, de modo que hay un límite entre al menos dos cuboides rectangulares adyacentes en donde hay un cambio de tipo de dopado o donde hay un cambio de la concentración del dopado en la disposición simplificada;

* para la región externa, una malla de cuboides rectangulares adyacentes sin solapes y sin espacios;

* extraer (21) un componente parasitario con dos terminales entre cada par de cuboides adyacentes, estando posicionado cada terminal en el centro de uno de los dos cuboides adyacentes, de modo que:

* si los dos cuboides adyacentes tienen dos tipos de dopado diferente, el componente parasitario se define como un diodo; y

* si los dos cuboides adyacentes tienen el mismo tipo de dopado con la misma concentración de dopado, el componente parasitario se define como una resistencia; y

* si los dos cuboides adyacentes tienen el mismo tipo de dopado y diferentes concentraciones, el componente parasitario se define como una homounión; y

* definir (23) las características eléctricas de cada componente parasitario basándose en la geometría de los cuboides adyacentes y de los parámetros tecnológicos; y

* conectar (25) todos los componentes parasitarios extraídos en un circuito eléctrico mediante la consideración de cada centro de cuboide rectangular como un nodo de la red de componentes parasitarios.

caracterizado por que se aplica un conjunto de coordenadas xyz sobre la disposición 3D simplificada, en la que las coordenadas x e y definen planos horizontales y la coordenada z define la profundidad del circuito integrado y la matriz en 3D de la región interna se calcula mediante:

* escanear (31) las capas de máscara para hallar y recolectar puntos de esquina de cambio en el tipo de dopado o la concentración del dopado;

* aplanar (33) los puntos de esquina a coordenadas xy de modo que se construye (35, 37, 39) un teselado rectangular horizontal en el que cada punto de esquina es una esquina de al menos un rectángulo;

* construir (43) capas de cuboides rectangulares mediante la proyección del teselado rectangular sobre el eje z, correspondiendo la profundidad de cada capa a la profundidad de al menos un punto de esquina.