CARBURO DE SILICIO SEMIAISLANTE SIN DOMINIO DE VANADIO.

Monocristal volumétrico semiaislante de carburo de silicio que tiene una resistividad de al menos 5.

000 O-cm a temperatura ambiente, una concentración de elementos de captura de nivel profundo que se encuentra por debajo de la cantidad que afecta a las características eléctricas del cristal, y una concentración de átomos de nitrógeno que se encuentra por debajo de 1 x 1017 cm-3.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CREE, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 4600 SILICON DRIVE,DURHAM, NC 27703.

Inventor/es: CARTER, CALVIN, H., JR., BRADY, MARK, TSVETKOV, VALERI F.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 17 de Mayo de 2000.

Fecha Concesión Europea: 20 de Septiembre de 2006.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B23/00 QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado.
  • C30B29/36 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Carburos.

Clasificación PCT:

  • C30B23/00 C30B […] › Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado.
  • C30B29/36 C30B 29/00 […] › Carburos.
  • C30B33/00 C30B […] › Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00  tiene prioridad).

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

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