METODO PARA LA OBTENCION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

Método para la obtención de un dispositivo semiconductor que comprende una capa cristalina delgada de un material semiconductor formada sobre un substrato cristalino por crecimiento epitaxial a partir de una solución,

que comprende las etapas de poner en contacto una zona de un substrato cristalino con una solución saturada del material semiconductor de un depósito mantenido a la temperatura de solución del material semiconductor o a temperatura superior, reducir la temperatura de la solución a una temperatura final durante un periodo prefijado de tiempo para efectuar el crecimiento de una capa cristalina delgada sobre el substrato, y retirar la solución agotada de la capa cristalina así crecida, caracterizado porque antes de la etapa de reducción de temperatura se aísla del depósito de solución una porción alícuota de la solución suficiente para formar sobre dicha zona del substrato una delgada capa de solución de 3mm o menos de espesor, preferiblemente de 1 mm o menos, y se contrae dicha capa de solución en la dirección del espesor hasta los citados 3 mm o menos, preferiblemente un milímetro o menos.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: WESTERN ELECTRIC CO. INC..

Fecha de Solicitud: 29 de Noviembre de 1972.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 7 de Febrero de 1975.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/208 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando un depósito líquido.

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