PUENTE DE CONEXION (FUSIBLE) SEPARABLE E INTERRUPCION DE LA LINEA (ANTI-FUSIBLE) CONECTABLE ASI COMO PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION Y ACTIVACION DE UN FUSIBLE Y DE UN ANTI-FUSIBLE.
Sección de la CIP Electricidad
(01/02/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: H01L27/02, H01L23/535.
LA INVENCION TRATA DE UN PUENTE DE UNION SEPARABLE (FUSE) CON UNA PISTA DE CONDUCTORES ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, QUE ESTA CONFIGURADA EN UN SUSTRATO (2, 2A) HECHO DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, QUE ES CONTINUA EN EXTENSION LONGITUDINAL Y QUE MUESTRA EN TRANSVERSAL RESPECTO A LA EXTENSION LONGITUDINAL UN DETERMINADO ANCHO, MOSTRANDO UN SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO AL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, TENIENDO EL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD UNA CONCENTRACION TAL CON RESPECTO AL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES QUE, A UNA TEMPERATURA DE ACTIVACION PREDETERMINADA QUE ES MAYOR QUE LA TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO DEL PUENTE DE UNION , TIENE LUGAR UNA INTERRUPCION POR TODO EL ANCHO (M) DE LA PISTA DE CONDUCTORES DEBIDO A LA DIFUSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD Y/O DEL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES DEL SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD.
MEMORIA CON CIRCUITO REDUNDANTE.
(16/11/2001) LA INVENCION SE REFIERE A UNA MEMORIA CARACTERIZADA PORQUE COMPRENDE AL MENOS UNA SERIE DE CELULAS DE MEMORIA QUE CONTIENEN CELULAS DE MEMORIA, UN CIRCUITO DE REDUNDANCIA QUE CONTIENE AL MENOS UNA CELULA DE MEMORIA REDUNDANTE, Y UN CIRCUITO SELECTOR DE LINEA DE SELECCION DE REDUNDANCIA, QUE TIENE AL MENOS UNA MEMORIA DE ASIGNACION, EN EL QUE PUEDE ALMACENARSE INFORMACION SOBRE ASIGNACION, CON LO CUAL, BASANDOSE EN DICHA INFORMACION SOBRE ASIGNACION, SE PUEDE ASIGNAR AL MENOS UNA CELULA DE MEMORIA REDUNDANTE A AL MENOS UNA CELULA DE MEMORIA. ADEMAS, LA MEMORIA DE ASIGNACION TIENE UNA CELULA DE MEMORIA DE ASIGNACION CON UNA MEMORIA INTERMEDIA PARA ALMACENAR LA INFORMACION SOBRE ASIGNACION. SEGUN EL PROCEDIMIENTO DE PROGRAMACION UTILIZADO,…
CIRCUITO PARA LA ACTIVACION DE UNA DISPOSICION DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES NO VOLATIL.
(16/08/2001) Circuito para la activación de una disposición de memoria de semiconductores no volátil, con un circuito de conversión de nivel , que aplica un valor de salida (D) y un valor de salida (DN) complementario de este valor de salida, a una línea de bits y/o a una línea de palabra de la disposición de memoria de semiconductores, con un circuito de bloqueo (enganche) que se encuentra entre un circuito de entrada y el circuito de conversión de nivel , y que memoriza temporalmente los datos a memorizar en la disposición de memoria de semiconductores, caracterizado porque el circuito de entrada consta de un primer transistor NMOS (N1) que se encuentra con su trayectoria de fuente-drenaje dispuesta entre una…
DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES.
Sección de la CIP Física
(16/10/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G11C7/00, G11C8/00.
LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES, CON VARIAS CELULAS DE MEMORIA , SITUADAS EN LOS PUNTOS DE CRUCE DE LINEAS DE BITS Y LINEAS DE PALABRAS DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR, CONTROLABLES PARA LA PROGRAMACION CON CONTENIDOS DE DATOS VIA CIRCUITO DE CONTROL DE LINEAS DE PALABRAS Y CIRCUITO DE CONTROL DE LINEAS DE BITS . LAS CELULAS DE MEMORIA DE UNA LINEA DE PALABRAS TIENEN ASIGNADAS CELULAS DE MEMORIA DE ACTIVACION , SITUADAS A LO LARGO DE UNA LINEAS DE BITS DE ACTIVACION Y CONTROLABLES VIA UN CIRCUITO DE CONTROL DE LINEAS DE BITS DE ACTIVACION , SEPARADO Y CONTROLABLE DE FORMA INDEPENDIENTE DEL CIRCUITO DE CONTROL DE LINEAS DE BITS . LAS CELULAS DE MEMORIA DE ACTIVACION PUEDEN ESTIMULARSE MEDAINTE UN VALOR DE ACTIVACION PARA ACTIVAR LAS CELULAS DE MEMORIA DE UNA LINEA DE PALABRAS DEFINIDA.
DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES.
(01/09/2000) LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES, COMPUESTO DE VARIAS CELULAS DE MEMORIA (SZ), SITUADAS EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR , PARA EL ALMACENAMIENTO PROGRAMABLE DE CONTENIDOS DE DATOS. EL DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES PUEDE UTILIZARSE EN POR LO MENOS DOS ESTADOS OPERATIVOS, DE LOS QUE EL PRIMERO ESTA ASIGNADO AL BORRADO DEL CONTENIDO DE DATOS DE UNA CELULA DE MEMORIA (SZ) Y EL SEGUNDO A LA CONSERVACION DEL CONTENIDO DE DATOS DE UNA CELULA DE MEMORIA (SZ). EL DISPOSITIVO REFERIDO CONTIENE ASIMISMO UN CIRCUITO SELECTOR PARA SELECCIONAR UN GRUPO VINCULADO DE CELULAS DE MEMORIA (SZ), POR LO MENOS UN CIRCUITO DE CONTROL CON UNA LINEA DE CONTROL…
DISPOSICION DE CIRCUITO CON UN CIRCUITO DE PRUEBA.
(16/05/2000) LA INVENCION ESTA RELACIONADA CON UN DISPOSITIVO DE CIRCUITO CON UN NUMERO PREDETERMINADO DE LINEAS EN GRUPO (WLO, ..., WLM, BLO, ..., BLM) CONFIGURADAS PARALELA Y REGULARMENTE EN UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR , EN LAS QUE SE CONECTAN UN GRAN NUMERO DE CIRCUITOS ELEMENTALES ELECTRONICOS CONFIGURADOS EN EL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR Y, FUNDAMENTALMENTE, DEL MISMO TIPO, ESTANDO PREVISTO UN CIRCUITO DE PRUEBA PARA LA COMPROBACION DEL FUNCIONAMIENTO ELECTRONICO DE LOS CIRCUITOS ELEMENTALES Y/O DE LAS LINEAS EN GRUPO (WLO, ..., WLM, BLO, ..., BLM) QUE TAMBIEN SE REALIZA INTEGRADO EN EL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE LA DISPOSICION DE CIRCUITO Y QUE PRESENTA UN DISPOSITIVO…
FUENTE DE CORRIENTE CONSTANTE CON UNA CELULA EEPROM.
Sección de la CIP Física
(01/07/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G05F3/24.
FUENTE DE CORRIENTE CONSTANTE CON UN MOSFET. SU CONEXION DE DRENADOR (D) ESTA UNIDA A UNA PRIMERA CONEXION DE LA FUENTE DE CORRIENTE Y SUS CONEXIONES DE FUENTE (S) Y DE PUERTA DE CONTROL (SG) LO ESTAN A UNA SEGUNDA CONEXION DE LA FUENTE DE CORRIENTE. ENTRE LA PUERTA DE CONTROL (SG) Y EL CANAL (K) DEL FET SE DISPONE UNA PUERTA FLOTANTE (FG) CON UNA CARGA DEL TIPO DE PORTADOR DE CARGAS OPUESTO AL TIPO DE CANAL DEL FET.
